【課題】照明装置の輝度均一性を向上しつつ、省電力化を図ることができる、液晶表示装置、バックライトユニット、透光板および導光体を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１は、表示面３５を構成する液晶表示パネル２と、液晶表示パネル２の表示面３５側とは反対側である下方に配置され、複数の光源１３が設けられた発光層５と、発光層５と液晶表示パネル２との間に配置された第１光電変換層２８とを備えている。第１光電変換層２８は、光源１３の上方の位置に形成された、表示面３５側に向いた受光面を有する複数の第１光電変換部３を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン系太陽電池において、光電変換層への光の取り込み量を多くすることで光電変換効率の向上をはかる。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、その上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極が、５００ｎｍの波長における屈折率が１．２〜１．６である炭素系薄膜と、その上に導電性酸化物層を含んで形成されており、且つ上記導電性酸化物層が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】微小凹部を形成することにより、光電変換効率および安定性を向上させた、光電変換装置および光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面の少なくとも一部を覆い、基板側とは反対側の表面に凹凸形状を有する透明導電膜３とを備えている。また、透明導電膜３の凹凸形状の少なくとも一部を覆い、第１導電型を有するｐ層５と、ｐ層５を覆うｉ層６とを備えている。凹凸形状は、最大高さが５０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下である凸部を有している。凸部は、表面に、局部山頂の間隔が２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である微小凹部を有している。ｐ層５は、微小凹部の底部上に形成された部分の層厚がこの底部上以外に形成された部分の層厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】例えば量子ドットを含む層の材料の選択範囲を広げた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の光電変換装置は、ｐ型単結晶シリコン層１００と、ｎ型半導体層１２０と、ｐ型単結晶シリコン層１００とｎ型半導体層１２０との間に形成された、孔１１１に複数の量子ドット１１２を含有する多孔質シリコン層１１０と、を備える構成としている。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンにおける再結合の低減に依存せずに開放電圧を増大し得る太陽電池を提供する。
【解決手段】、太陽電池１０は、ｐｎ接合を有する結晶Ｓｉ層５０と、結晶Ｓｉ層５０の第１主面５０ａｓ上に形成された半導体層６０とを備える。半導体層６０は、結晶Ｓｉ層５０の半導体層６０と接触している部分の導電型と同じ導電型を有する。太陽電池１０への光照射時の開放電圧は、結晶Ｓｉ層５０内における電子の擬フェルミ準位とホールの擬フェルミ準位との準位差と異なる。 （もっと読む）

【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアバルクライフタイムの高い、高効率な太陽電池を安価に製造できる太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池を提供する。
【解決手段】シリコン基板１を、この基板とは異なる導電型の不純物存在下で高温熱処理して不純物拡散層２を形成した後、この不純物拡散層２に電気的に接続する電極４，６，７を形成して太陽電池を製造するに際し、上記高温熱処理して不純物拡散層を形成した後、この高温熱処理温度よりも低い温度で、好ましくは高温熱処理炉とは異なる熱処理炉を用いて低温熱処理を行うことで、基板中に存在する鉄や亜鉛等の金属不純物をｎ型拡散層２、ＰＳＧ（リン珪酸塩）層等のデバイス不活性な領域内にゲッタリング（捕獲）して、少数キャリアバルクライフタイムの高い基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】細線化された場合でも高い密着強度を有するとともに低い電極抵抗を有する電極形成して光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板の一面上に絶縁膜からなる反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜上に、ガラス粒子を含むガラスペーストを受光面側電極と略同等の形状に配置して受光面側ガラス層を形成する工程と、ガラス粒子のガラス移転点以上の温度で受光面側ガラス層を焼成して受光面側ガラス層を半導体基板まで貫通させる工程と、受光面側ガラス層を除去して、反射防止膜における受光面側ガラス層が配置されていた領域に半導体基板に達する開口を形成する工程と、開口内に、導電性ナノ粒子を含み低温焼成により導電性を発揮する低温焼成導電ペーストを配置する工程と、低温焼成導電ペーストを低温で焼成して半導体基板に直接接合する受光面側電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をＰＣＶＤ装置を用いて形成する条件として、（１）プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離ｄが５ｍｍ〜７ｍｍ（２）形成基板の温度が２００℃（３）製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が１体積％（４）製膜室内の圧力ｐが１０００Ｐａ〜１５００Ｐａ（５）プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が６０ＭＨｚであり、且つ電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ^２（６）製膜室内の圧力ｐと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離ｄと、の積ｐｄが７０００Ｐａ・ｍｍ≦ｐｄ＜８０００Ｐａ・ｍｍの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を図ることのできる太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板２、表面電極層３、光吸収層６、及び裏面電極層９を備える太陽電池の製造方法であって、透明基板の一方の主面側に表面電極層３を形成する表面電極形成工程において、主面側にインジウムの酸化物にドープ元素ＸをドープしてなるＩＸＯ層を形成するＩＸＯ層形成工程と、ＩＸＯ層上にＺｎＯ層を形成するＺｎＯ層形成工程と、ＺｎＯ層の光吸収層側にテクスチャ構造を形成するテクスチャ構造形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の良好な太陽電池を得る。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼からなる基材１３の少なくとも一方の面に、Ａｌ材１１が一体化されたものを金属基板１４とし、金属基板１４のＡｌ材１１の表面に、Ａｌの陽極酸化膜１２が電気絶縁層として形成されてなる絶縁層付金属基板１０上に、下部電極２０を介して、少なくとも、銅および／または銀を含むIｂ族元素含有粒子、およびアルミニウム、インジウム、ガリウムのうち少なくとも１つを含むIIIｂ族元素含有粒子を用いて光電変換層３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】モノリシック構造を採用した色素増感現象による光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１は、透光性基板２と、透光性基板２上に部分的に配置された第１の透光性導電層３と、透光性基板２上に第１の透光性導電層３より間隔をあけて設けられた第２の透光性導電層４と、第１の透光性導電層３上に設けた多孔質半導体層５と、多孔質半導体層５の表面に吸着された色素６と、多孔質半導体層５とそれぞれの透光性導電層３、４間を覆うように設けられた多孔質絶縁層７と、多孔質絶縁層７および第２の透光性導電層４上に連続して設けた多孔質カーボン導電層８と、それぞれの透光性導電層３、４と接触し、多孔質絶縁層７と多孔質カーボン導電層８を囲う封止部材９と、多孔質半導層５と多孔質絶縁層７および多孔質カーボン導電層８の微細孔に設けた封止部材９に囲まれた電荷輸送層１０とで形成される。 （もっと読む）

【課題】テクスチャの密度や大きさを制御してより光反射率の低い半導体ウェハや半導体薄膜を得ることができる太陽光発電装置の製造方法を得ること。
【解決手段】有機物とハロゲン酸塩とを含むエッチング液を用いて、第１導電型の半導体ウェハの第１の主面をエッチングしてテクスチャを形成する工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第２導電型の拡散層を形成する工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する工程と、半導体ウェハの第１の主面上に反射防止膜を形成する工程と、半導体ウェハの第１の主面および第１の主面に対向する第２の主面上に、所定の形状の電極を印刷し、焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜太陽電池のドナーとアクセプターの混合物の膜の厚みを厚くすることによって変換効率を向上させ、また、より多く光発生電荷を発生させるようにする。
【解決手段】 インプリント型を用いてナノインプリント加工することによりドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層にナノスケール幅の微細な溝を形成し、該微細な溝に電極を形成して有機薄膜太陽電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマＣＶＤ装置の真空容器内の部品表面に付着する膜状物質の剥離を低減する。
【解決手段】太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する平行平板型プラズマＣＶＤ装置であって、真空容器内に設けられ、この太陽電池基板を戴置する基板電極と、これに対向する高周波電極とを備え、この高周波電極の基板電極に対向する面に、溶射によってＡｌより融点の高い金属膜を形成している。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブ法による太陽電池セル分離時における残余物質に起因した出力特性の低下が抑制された高品質の薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板１０上に、第１電極層１２と光電変換層１３と第２電極層１４とがこの順で積層されてなり、透光性絶縁基板１０よりも上部の層１２、１３、１４が分離溝２０、２１、２２により短冊状に分割された複数の薄膜太陽電池セルが配設された薄膜太陽電池の製造方法であって、遮光性材料からなる線形状のマスク層１１を分離溝２０、２１、２２により分割される層よりも下層または同層に形成し、マスク層１１を含む領域に透光性絶縁基板１０側からレーザ光を照射し、透光性絶縁基板１０の面内方向における一部分がマスク層１１によってマスクされることにより成形されたレーザ光により透光性絶縁基板１０よりも上部の層に分離溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いて良好な量子効率（電子取り出し効率）の受光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 それぞれが窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を順に有する受光素子であって、ｎ型層と活性層との間には、ｎ型層から順に、ｎ型層のｎ型不純物濃度よりも小さいｎ型不純物濃度の第１層と、第１層の格子定数よりも大きい格子定数の第２層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】現在の薄膜太陽電池で吸収しきれていない光を有効に利用するために、バンドギ
ャップが2eV以上3eV未満でありｐｎ両極性に電気特性を制御できる半導体を提供する。
【解決手段】酸化第一錫（ＳｎＯ）にＡｌ³⁺、Ｇａ³⁺、Ｉｎ³⁺、Ｓｂ³⁺から選ばれる３価
の陽イオンを不純物として含有し、ｎ型伝導性を示すＳｎＯからなるｎ型半導体薄膜。こ
のｎ型半導体薄膜とＳｎＯからなるｐ型半導体薄膜とを積層したホモｐｎ接合素子。この
ホモｐｎ接合素子を用いた薄膜太陽電池。ＳｎＯ粉末にＡｌ³⁺、Ｇａ³⁺、Ｉｎ³⁺、Ｓｂ³⁺
から選ばれる３価の陽イオン源の酸化物粉末を添加混合して焼結したＳｎＯターゲットを
用いて物理的成膜法によりＳｎＯからなるｎ型半導体薄膜を製造する。また、ＳｎＯ粉末
を焼結したＳｎＯターゲットを用いて物理的成膜法により成膜したｐ型ＳｎＯ薄膜と、上
記の方法で製造したｎ型ＳｎＯ薄膜とを積層してホモｐｎ接合素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属元素を含む前駆体層を、水素の濃度が徐々にあるいは段階的に低くなる水素含有気体雰囲気下で加熱し、半導体層３を形成する工程を含む。これにより、半導体層３を所望の組成で良好に結晶化させることができ、光電変換効率の高い半導体層３および光電変換装置１０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板に、導電性の制御された半導体膜を成膜する半導体膜の成膜方法を得ること。
【解決手段】ドーパントがドープされたシリコン粒子１３を汎用エンジニアリングプラスチックを材料として形成された可撓性を有するフレキシブル基板である基板１０に塗布する粒子塗布工程と、シリコン粒子１３が塗布された基板１０上に、水素ガスを含む混合ガスの雰囲気中でのプラズマＣＶＤによってシリコン膜１４を成膜する成膜工程と、を含む。 （もっと読む）