【課題】光触媒膜の内部における光触媒粒子同士の結合および光触媒膜の光触媒粒子と透明電極との結合を強固なものとすることができる光触媒膜の形成方法を提供する。
【解決手段】透明基板(1)と、その上の透明導電膜(2)とからなる透明電極(3)に、酸化チタン粒子を含むペーストを塗布し、乾燥、透明電極(3)の透明導電膜(2)の上に光触媒膜(4)を形成した。ついで、光触媒膜(4)に透明電極(3)側からアレキサンドライトレーザ（700-820nm）を照射した。その後、この光触媒膜(4)に、光増感色素を含む浸漬液に浸して光触媒膜の表面に同色素を吸着させた。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】光照射により電子及び正孔を生成するキャリア発生層と、電子を収集する負電極と、正孔を収集する正電極とを具備し、負電極及び／又は正電極とキャリア発生層とが直接接触しておらず、負電極の少なくとも一部及び／又は正電極の少なくとも一部が、キャリア発生層の内部に埋設されており、キャリア発生層の内部に負電極が埋設されている場合には、埋設された負電極とキャリア発生層とが、正孔の移動を阻止し電子の移動を許容する電子移動層を介して接続され、キャリア発生層の内部に正電極が埋設されている場合には、埋設された正電極とキャリア発生層とが、電子の移動を阻止し正孔の移動を許容する正孔移動層を介して接続されている、太陽電池とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面に細幅で厚みもあり、かつエッジがシャープな電極線を形成することができる太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】表面にｎ型拡散層１３が形成されたｐ型シリコン基板１２の裏面上に裏面電極層を形成する裏面電極層形成工程と、表面上に複数平行に延在するグリッド電極形成層、およびグリッド電極形成層間を接続するバス電極形成層を形成する表面電極層形成工程と、シリコン基板１２を焼成する焼成工程と、を含み、表面電極層形成工程は、シリコン基板１２の表面上に、凹版オフセット印刷法で、グリッド電極形成層とバス電極形成層のパターンに導電性ペーストを印刷して第１の電極層形成層２１１Ａを形成する工程と、第１の電極層形成層２１１Ａ上に第２の電極層２１２Ａを重ねて形成する工程と、スクリーン印刷法で、第２の電極層形成層２１２Ａ上に導電性ペーストを重ねて印刷して第３の電極層形成層２１３Ａを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性基板の裏面に設けられた裏面電極に対してその設計の自由度を確保しつつ、結晶性基板の裏面から透過した光の再利用を可能にした結晶太陽電池及び結晶太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】光を受光する表面１１ｉと該表面１１ｉと対向する裏面１１ｒとの間で光電変換機能を発現する結晶性基板１１を具備する結晶太陽電池１０であって、結晶性基板１１の裏面１１ｒから透過する光を再び結晶性基板１１の中へ反射する白色塗膜１４が結晶性基板１１の裏面１１ｒの側に設けられた。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化を招来することなく、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池１０は、導電型の異なる複数の半導体層を含む半導体層群１１と、該半導体層群１１の光入射側と反対側の面に形成された裏面電極１４とを備えた太陽電池１０であって、半導体層群１１の光入射側と反対側の面と裏面電極１４との間にポーラスシリコン層１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧｅｘＳｉ１−ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成した太陽エネルギ電池を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ^＋をＳｉ基板上へ注入する。更に数個のＧｅ_ｘＳｉ_１‐ｘ緩衝層（Ｓｉ／Ｇｅ_０．８Ｓｉ_０．２／Ｇｅ_０．９Ｓｉ_０．１／Ｇｅ）１０３〜１０５がＵＨＶＣＶＤによりＳｉ基板上部に成長する。低転移密度の純Ｇｅ層がＧｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層上に成長する。最後に、高効率III−Ｖ太陽電池２０１〜２０６がＧｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層上に成長する。 （もっと読む）

【課題】反転変性多接合電池構造を製造するための商業的に確立された製造方法を使用して、商業的に実用的でエネルギー効率の高い太陽電池を製造すること。
【解決手段】第一バンドギャップを有する上方の第一太陽補助電池と、該第一太陽補助電池に隣接して、該第一バンドギャップより小さい第二バンドギャップを有する第二太陽補助電池と、該第二太陽補助電池に隣接し、該第二バンドギャップより大きい第三バンドギャップを有する第一の勾配中間層と、該第一の勾配中間層に隣接し、該第二バンドギャップより小さい第四バンドギャップを有し、該第二補助電池に対して格子非整合状態の第三太陽補助電池とを含む多接合型太陽電池である。第二の勾配中間層は、該第三太陽補助電池に隣接して、該第四バンドギャップより大きい第五バンドギャップを有し、下方の第四太陽補助電池は、該第二の勾配中間層に隣接して、該第四バンドギャップより小さい第六バンドギャップを有し、該第三補助電池に対して格子非整合であるように構成される。 （もっと読む）

【課題】多くの工程と複雑な装置をなくすことによって、安価に光電変換効率が高い選択エミッタ構造の太陽電池を製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１の受光面に、電極を形成する部位に応じて、インクジェット法あるいはオフセット印刷によりドーパント濃度の高い拡散剤を塗布し、高濃度膜３を形成する。シリコン基板１の受光面全体にスピンコートによって、先に塗布した拡散剤よりもドーパント濃度の低い拡散剤を塗布して、低濃度膜４を高濃度膜３に重ねて形成する。熱処理を行って、ドーパントを拡散させ、高濃度エミッタ層５および低濃度エミッタ層６を形成するとともに、拡散剤に含まれる金属化合物により、高濃度エミッタ層５の上に低屈折率の反射防止膜７を形成し、低濃度エミッタ層６の上に高屈折率の反射防止膜８を形成する。高濃度エミッタ層５の上に、受光面電極９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ソーラバッテリのパネル構造およびパネル電極の製造方法を提供する。
【解決手段】ソーラバッテリパネル電極製造方法は、半導体ウェーハ基板を準備する工程２０１と、半導体ウェーハ基板上に反射防止層を形成する工程２０２と、反射防止層上に第１の金属層を設ける工程２０３と、レーザビームを用いて第１の金属層上にパターンを形成する工程２０４と、パターンのラインを基に、第１の金属層および反射防止層にレーザビームを透過させ、レーザ合金化処理を行う工程２０５と、溶液により第１の金属層を除去する工程２０６と、半導体ウェーハ基板上には、反射防止層が設けられた側と反対の側に第２の金属層が設けられる工程２０７と、第１の電極を第１の金属シリサイドに接続するように形成し、反射防止層の表面に露出させる工程２０８と、第２の電極が半導体ウェーハ基板から露出されるように形成する工程２０９とを含む。 （もっと読む）

【課題】フレーム内に光源部を収容する構成を採用しつつ、フレームの分解も容易に行える発光モジュールを提供すること。
【解決手段】発光モジュールは、導光板と、導光板の縁を囲い少なくとも一部が中空に形成されてなるフレームと、フレーム内に収容され導光板を面状に発光させる光源部とを備え、フレームは中空に形成された部分に光源部を着脱可能に露出させる開口部が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】陽極腐食により光を吸収する面積を極大化して、集光領域を広げることができ、マイクロサイズの半球状の透明電極を用いて、光の乱反射を防止し、光の吸収度を高めることができる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池は、一面に複数のホールが形成された基板と、ホール内壁及び基板の一面に形成された金属層と、金属層にコーティングされたｐ型半導体と、ホールの内部及び基板の一面に形成されたｎ型半導体と、ｎ型半導体上に形成された透明電極と、ｐ型半導体及び透明電極に形成された電極端子と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽光のうち波長１０００ｎｍ〜３０００ｎｍの光を、上記発電層の吸収可能帯域まで変換した上で、これを電力に変換可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽光エネルギーを電力に変換する太陽電池において、透明電極膜１１と、透明電極膜１１の表面に形成された、ｐ層１２、発電層１３及びｎ層１４を含む半導体層１５と、半導体層１５上に形成された裏面電極膜１６と、入射された太陽光に基づいて発電層１３へ近接場光を滲出させる近接場光滲出手段とを備え、滲出させた近接場光により誘起された非断熱過程に基づいて、上記太陽光のうち波長１０００ｎｍ〜３０００ｎｍの光を、上記発電層の吸収可能帯域まで変換する。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜の材料を粒子として溶媒に分散ないしは溶解させた粘性のインクを噴射する複数の噴射ノズルを備えるインクジェットヘッドから、搬送テーブル３２により搬送される被処理体に対してインクを噴射するときに、各噴射ノズルから噴射したインクが被処理体２１上で凸曲面形状となり、且つ隣接するインク同士が端部において連続した形状となるようにインクを噴射し、被処理体２１上のインクを加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、被処理体２１に形成された各インクが端部から先に順次中央部に向けて熱硬化する上昇温度で緩速加熱を行っている。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることができる光電変換装置を提供すること。
【解決手段】透明導電基板１と、透明導電基板１に対向配置される対極２と、透明導電基板１及び対極２間に設けられ、入射した光を電気に変換させる発電部３と、透明導電基板１及び対極２間に設けられ、発電部３に隣接する非発電部４とを備え、非発電部４が、透明導電基板１のうち対極２側の表面上に設けられる金属配線１１と、金属配線１１を被覆し且つ透明導電基板１に接触する配線保護層１２とを有し、配線保護層１２が、発電部３にて電気に変換される光を透過可能であり、対極２が、配線保護層１２を透過した光を反射又は散乱させる光反射散乱部を有する光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】単純な構造で太陽光の有効利用を図り、且つ、屋内に射し込む太陽光の調光が可能な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】両面型太陽電池セル３を有する太陽電池モジュール１であって、太陽光９の受光面側に設けた第１の光透過性基板２と、第１の光透過性基板２上に受光面からの入射光を透過させる採光部４を形成するように所定の間隔を隔てて平面状に配置された複数の両面型太陽電池セル３と、受光面側から見て両面型太陽電池セル３の後方に配置され入射光に対し凹部５を有する調光層７と、を備え、調光層７の凹部５は、調光層７からの反射光が両面型太陽電池セル３に集光するように所定の曲面を有する太陽電池モジュール１。 （もっと読む）

【課題】発電効率を上げ、かつスペクトルミスマッチによる太陽光損失を低減し、光利用効率を高めて発電効率を向上させることのできる太陽電池モジュール用波長変換型ライトトラッピングフィルム及びこれを用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】光の入射側から順に、第１の層、第２の層、・・・第ｍの層とし、各層の屈折率をそれぞれ第１の屈折率ｎ_１、第２の屈折率ｎ_２、・・・第ｍの屈折率ｎ_ｍとしたとき、ｎ_１≦ｎ_２≦・・・≦ｎ_ｍが成り立つ複数の光透過性層を含む太陽電池モジュールの少なくとも１層の光透過性層として用いられる波長変換型ライトトラッピングフィルムであって、一方の面に微細な凸又は凹形状の多角錐又は円錐が隙間なく多数敷き詰めるように形成してなり、屈折率が１．６〜２．４であり、かつ有機蛍光物質を含むことを特徴とする波長変換型ライトトラッピングフィルムである。 （もっと読む）

【課題】耐候性と基材密着性バランスに優れ、防汚染性、透明性が良好なコーティング組成物等を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：粒子径が１ｎｍ〜４００ｎｍの金属化合物粒子と、（Ｂ）成分：粒子径が１０ｎｍ〜８００ｎｍの重合体エマルジョン粒子とを含み、前記（Ｂ）成分が、以下の（ｂ１）〜（ｂ４）の各成分、（ｂ１）成分：加水分解性珪素化合物と、（ｂ２）成分：重合体のガラス転移点が−２０℃〜８０℃であるビニル単量体と、（ｂ３）成分：乳化剤と、（ｂ４）成分：水とを混合してエマルジョン化するとともに、（ｂ１）成分の加水分解・縮合を進めたのち、エマルジョンの粒子径を５００ｎｍ以下に微細化し、次いで（Ｃ）成分のラジカル重合開始剤を加えて、前記（ｂ２）成分をラジカル重合することにより得られる重合体エマルジョン粒子であることを特徴とするコーティング組成物。 （もっと読む）

【課題】細線電極上に形成した気泡では、細線電極上に入射した光を十分に光電変換部へ導くことができず、太陽電池モジュールの出力を向上させることが困難であった。
【解決手段】太陽電池と、太陽電池の光入射側に設けられた封止材と、を備え、太陽電池は、光電変換部と、光電変換部の受光面上に一方向に延在するように形成された細線電極と、を含むと共に、細線電極の受光面と封止材との間には、封止材の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層が細線電極の受光面を覆うように設けられ、低屈折率層は、一方向と直交する他方向における断面において、中央部が突出し、且つ、光電変換部の受光面に向かって傾斜する傾斜面を有することで、光を効率よく光電変換部の受光面へ導くことができるため、発電に寄与することができなかった光を有効に利用できるので、出力の向上した太陽電池モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】封止安定性及び長期使用時の信頼性を向上させた、色素増感型太陽電池を提供すること。
【解決手段】封止部材４１と光電変換電極２１及び対極３１の少なくとも一方との間に、疎水性層１３，３３を配設する。疎水性層１３，３３は、封止部材４１よりも幅広に形成することが好ましく、その厚みは０．００１〜１０μｍにすることが好ましい。疎水性層１３，３３及び封止部材４１は、シロキサン結合を有する有機化合物を含むものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高変換効率を有し、量産性に優れた大面積光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板上に結晶質シリコン層を含む光電変換層を形成した光電変換装置であって、結晶質シリコン層が結晶質シリコンｉ層を有し、結晶質シリコンｉ層における非晶質シリコン相のラマンピーク強度に対する結晶質シリコン相のラマンピーク強度の比であるラマンピーク比の平均値が４以上８以下、ラマンピーク比の標準偏差が１以上３以下、かつ、ラマンピーク比が４以下となる領域の割合が０％以上１５％以下で表される基板面内分布を有することを特徴とする光電変換装置。基板の前記光電変換層を形成した面の大きさが１ｍ角以上であり、結晶質シリコンｉ層におけるラマンピーク比の平均値が５以上８以下、ラマンピーク比の標準偏差が１以上３以下、かつ、ラマンピーク比が４以下となる領域の割合が０％以上１０％以下で表される基板面内分布を有することを特徴とする光電変換装置。 （もっと読む）