本発明は、基材に高疎水性を付与するために基材の表面を処理する方法に関する。さらに詳細には、上記方法は、基板の処理中に、低い表面エネルギーを有するが異なる鎖長を有する２つの異なる種類の有機シラン分子の自発的に生じる相分離を利用する。これらのドメイン（domain）とマトリクス（matrix）構造の高さ差から生じ、相分離され低い表面エネルギーを有する長い有機シラン分子及び短い有機シラン分子により形成された表面粗度は、それぞれロータス効果（Lotus effect）の超疎水性を再現する。このように、上記方法は上記基板を高疎水性とすることができる。最後に、基板の表面を高疎水性にする、上記基板表面の処理方法は、高疎水性の表面が、ＣＦ_３基を官能基として有する有機シランと上記有機シランより炭素鎖長が短くＣＨ_３基を官能基として有する有機シランとを使用して、化学気相蒸着によって混合自己組織化単分子膜を形成することにより得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きい電荷移動度を維持しつつも、電気特性の異方性が小さい有機薄膜トランジスタのために使用できる非晶質オルガノシラン積層体を提供する。
【解決手段】表面に水酸基を有する下地層（Ｕｎｄｅｒ）、及びこの下地層上に形成されている非晶質オルガノシラン薄膜（Ａｍｒ）を有する、非晶質オルガノシラン積層体とする。また、本発明の積層体を有する薄膜トランジスタ（１０）では、本発明の積層体の下地層（Ｕｎｄｅｒ）が、薄膜トランジスタの基板（Ｓｕｂ）として用いられ、且つこの下地層（Ｕｎｄｅｒ）上に形成されている非晶質オルガノシラン薄膜（Ａｍｒ）上に直接に、有機半導体膜（Ｓｅｍｉ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第１の圧力まで上昇させ（工程３）、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第２の圧力まで上昇させ（工程４）、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う（工程５）。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を用いたトップゲート構造において、電流駆動能力の向上を確実に図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１３ｓ−ドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５と、これらの上部にゲート絶縁膜１７を介して設けられたゲート電極１９とを有するトップゲート型の薄膜トランジスタ１-1である。特に、ゲート絶縁膜１７は、フッ素系溶媒に可溶な樹脂からなるフッ素樹脂層１７ａ、無機材料からなる密着層１７ｂ、およびフッ素樹脂層１７ａを構成する樹脂よりも誘電率が高い樹脂材料からなる高誘電率樹脂層１７ｃとをこの順に積層した３層構造である。 （もっと読む）

【課題】 結晶系半導体基板のエッチング工程における保護膜の形成と剥離を簡略化し、生産性を向上させることができる表面保護部材を提供する。
【解決手段】 結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 （もっと読む）

【課題】液状でハンドリングおよび溶液塗布により容易に薄膜形成でき、かつ、低温ベイク温度条件で高い絶縁性が要求される電子部品、例えば薄膜トランジスタのパッシベーション膜、ゲート絶縁膜などに用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】 樹脂組成物を溶液塗布することで形成でき、かつ１７０℃以下のポストベイクによって得られる薄膜において、ＤＳＣ測定による発熱量が５Ｊ／ｇ以下である絶縁性薄膜により上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】疎水性機能を損なうことなく、かつ比誘電率への影響が小さく、機械的特性の向上を可能とする疎水性多孔質ＳＯＧ膜の作製方法の提供。
【解決手段】ＳＯＧ膜の熱処理を酸素含有ガスの存在下で行って疎水性多孔質ＳＯＧ膜を作製する。この熱処理を、そのプロセスの所定の時期に導入した酸素分圧５Ｅ＋３Ｐａ以上の酸素含有ガス中で、３００℃〜１０００℃の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、電気絶縁性、耐薬品性に優れたポリイミドの性質を維持し、さらに、誘電率が公知のポリイミドよりも低い、新規なポリイミド、それを含む組成物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テトラアミン、テトラカルボン酸ジ無水物及び芳香族ジアミンを、触媒の存在下、重縮合させることにより製造された、誘電率が2.7以下の架橋ポリイミド及び該イミドを含む組成物。 （もっと読む）

【課題】直交する電極どうしの交差部に絶縁膜形成インクを噴射して絶縁膜を形成する際に、表面に凹凸の少ない絶縁膜を形成することが可能なタッチパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成工程では、Ｘ電極１０のブリッジ配線１１上の領域に対して、絶縁膜形成インクを選択的に噴射（配置）する。その後、基板１上の絶縁膜形成インクを加熱し、乾燥固化することで、ブリッジ配線１１上に絶縁膜３０が形成される。絶縁膜形成インクは、例えば、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどの絶縁材料を液性媒体に溶解（分散）させ、更にアクリル系界面活性剤を含有させたものである。 （もっと読む）

【課題】印刷法により基板表面の任意部分に平坦な絶縁被覆層を形成可能な絶縁体インクを提供する。
【解決手段】回路加工した基板に印刷する絶縁体インクにおいて、熱硬化性樹脂及び高分子量成分を含む絶縁樹脂組成物と、２５℃における蒸気圧が４．０×１０^２Ｐａ以上、１．３４×１０^３Ｐａ未満の溶剤と、を含有する絶縁体インク。 （もっと読む）

【課題】埋め込まれた金属の酸化、及びパターン欠損の発生を抑制しつつ、低誘電率絶縁膜自体の電気的特性を十分に回復できる低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法を提供すること。
【解決手段】低誘電率絶縁膜を加工処理した後、低誘電率絶縁膜の表面に加工処理によって生じたダメージ性官能基を、疎水性官能基に置換し（ＳＴ．２）、低誘電率絶縁膜の表面に置換処理によって生じたデンス層の下に存在するダメージ成分を、紫外線加熱処理を用いて回復させる（ＳＴ．３）。 （もっと読む）

【課題】表面自由エネルギーを変化させる際に照射する紫外線による濡れ性変化層の絶縁性の低下を抑制することが可能な積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子、電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体１０は、基板１１上に、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層１２の紫外線照射領域１２ａに導電体層１３が形成されている積層構造を有し、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料は、ポリアミド酸を脱水閉環反応させることにより得られる有機溶媒に可溶な特定ポリイミドである。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を疎水化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３に多孔質絶縁膜２を形成する工程（Ｓ１０１）と、多孔質絶縁膜２が形成された基板３をチャンバー１内に配置する工程（Ｓ１０２）と、基板３が配置されたチャンバー１内にシロキサンを投入するとともに基板３を第一の温度に昇温する工程（Ｓ１０３）と、投入されたシロキサンが付着した基板３を第一の温度よりも高い第二の温度に昇温する工程（Ｓ１０４）と、を含む。Ｓ１０３では、チャンバー１内の圧力を１ｋＰａ以下とする。また、第一の温度は、チャンバー１内の圧力がシロキサンの飽和蒸気圧となる温度以上であり、かつ、多孔質絶縁膜２とシロキサンとが重合反応を開始する温度以下である。 （もっと読む）

基板表面上に薄膜を堆積するための化学気相成長(CVD)法が記載されている。当該CVD法は、処理チャンバ内の基板ホルダ上に基板を設ける工程、及び、化学前駆体を有する処理気体を前記処理チャンバに導入する工程を有する。前記処理気体は、前記基板ホルダとは別個の非電離熱源に曝されることで、前記化学前駆体の分解を引き起こす。薄膜が前記基板上に堆積される。
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【課題】処理チャンバ内の処理空間に対して給排気を行うための給排気構造を有する基板処理装置において、処理チャンバから漏洩するＸ線を効果的に減衰させる。
【解決手段】壁面側での孔形成禁止範囲以外にアルゴンガス供給孔２７を形成して漏洩Ｘ線Ｘ２の経路上にチャンバ壁２６が位置し、また壁面対向面側での孔形成禁止範囲以外に供給孔８３２を形成して漏洩Ｘ線Ｘ１の経路上に供給カバー８３１の壁面が位置するように、アルゴンガス供給孔２７および供給孔８３２が配置されている。したがって、処理空間２１内で発生したＸ線は必ず供給カバー壁および／またはチャンバ壁２６を透過し、処理チャンバ２から漏洩するＸ線を効果的に減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面洗浄を確実に行うことができる洗浄方法、塗布方法、現像方法及び回転処理装置を提供する。
【解決手段】一方面に基板１を周縁部が突出した状態で保持すると共に、前記一方面３の面内方向で回転される回転部材２１と、前記回転部材２１に設けられて洗浄液１００を前記基板１の前記回転部材２１に保持された保持面２側に供給する洗浄ノズル２６と、前記洗浄ノズル２６に前記洗浄液１００を供給する洗浄液供給部２７と、を具備する回転保持治具２０を用いて、前記基板１を回転させながら前記洗浄ノズル２６から前記基板１の前記保持面２ａに前記洗浄液１００を供給して、前記基板１の前記保持面２ａを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】インクジェットヘッドの耐久性を低下させない溶媒を使用できるイミド系の化合物を含み、且つ、インク中にイミド系の化合物を高濃度で含有し、常温保存における保存安定性が良好で、１回のジェッティングで比較的厚い（１μｍ以上の）膜を形成でき、さらに、製膜時に耐熱性、電気絶縁性が高く、十分な機械的強度を有する、反り量の少ない絶縁膜を得ることができるインクジェット用インクを提供する。
【解決手段】モノアミン（ａ１）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ２）とを用いて得られるイミド化合物（Ａ）と、溶媒（Ｂ）とを含む、インクジェット用インク。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。
【解決手段】多孔質膜は、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じる官能基を有する化合物（Ｘ）を用いて形成され、空孔分布曲線における最大ピークを示す空孔直径が５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜用の材料として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率に優れた膜を製造することができる化合物、およびその化合物を含む組成物、さらにはその組成物より得られる膜を提供。
【解決手段】化合物は、ジエノフィル構造を有する化合物（Ａ）と、環状もしくは直鎖状のいずれかで表される共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）とのディールス・アルダー反応により形成され、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより逆ディールス・アルダー反応を介して前記共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）を放出する化合物である。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な溶液の保存安定性が良く、埋め込み性が高く、厚膜化ができ、かつ良好なクラック耐性を有するトレンチ埋め込み用縮合反応物、及びトレンチ埋め込み膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物、並びに２０℃における蒸気圧が５３０Pａ以上であり、かつ、沸点が８０℃以上１３０℃未満である有機溶媒（Ａ）、及び２０℃における蒸気圧が５３０Pａ未満であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｂ）から成る混合溶媒、又は２０℃における蒸気圧が５３０Ｐａ以上であり、かつ、沸点が１３０℃以上２００℃以下である有機溶媒（Ｃ）を含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用縮合反応物。 （もっと読む）