【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）

【課題】低温の酸化処理により酸化膜を形成する。
【解決手段】酸化膜の作成方法は、主鎖にＳｉ−Ｎ結合を有する高分子化合物を含む第１の膜１６と主鎖にＳｉ−Ｏ結合を有する高分子化合物を含む第２の膜１５とを積層する工程と、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を水蒸気又は水性の雰囲気中で加熱処理し、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を酸化膜１８に変化させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウエハー面内の寸法均一性に優れた耐熱性樹脂パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも（１）耐熱性樹脂組成物または耐熱性樹脂前駆体組成物を基板に塗布して樹脂膜を形成する工程、（２）樹脂膜を乾燥する工程、（３）樹脂膜をフォトリソグラフィーによりパターン形成する工程、（４）パターン形成した樹脂膜をホットプレートを用いて８０℃以上１６０℃以下で熱処理する工程および（５）パターン形成した樹脂膜をオーブンまたは炉を用いて熱硬化させる工程をこの順に含むことを特徴とする耐熱性樹脂パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機ケイ酸塩ガラス膜を提供する。
【解決手段】当該膜、Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｚは０〜１５原子％である）は、Ｓｉ−ＣＨ₃を有するケイ酸塩の網目構造を有し、細孔及び２．７よりも低い誘電率を有する。予備的な膜が、オルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン前駆体と細孔形成前駆体とからＣＶＤ法によって堆積される。ポロゲン前駆体が予備的な膜中に細孔を形成し、続いて除去されて多孔質膜を与える。組成物は、少なくとも１つのＳｉ−Ｈ結合を含有するオルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン化合物と、アルコール、エーテル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトロ、第一、第二及び／又は第三アミン官能性又はそれらの組み合わせを含有する炭化水素のポロゲン前駆体とを含む。 （もっと読む）

【課題】
硬化性が高い一方、室温での保存安定性の悪いシロキサンポリマーを含む被膜形成用塗布液について、保存安定性を向上させる。
【解決手段】
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有すると共にシラノール基を有する重合体と、式Ｒ^１（ＯＣＨ_２ＣＨＣＨ_３）_ｎＯＣＯＣＨ_３（Ｒ^１は炭素数１乃至４のアルキル基を示し、ｎは１又は２を示す）で表される有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸を溶解可能な有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸とを含む被膜形成用塗布液を用いる。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および加工耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ^１_ｂ（Ｒ^２Ｏ）_３−ｂＳｉ−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３−ｃＲ^４_ｃ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示す。） （もっと読む）

【課題】微細構造領域とフラット領域とに「表面が単平面となるコート層」を形成できるコーティング方法を提供する。
【解決手段】平面状領域に微細な周期的構造が形成された微細構造領域１０Ａと、この微細構造領域に隣接する平坦な表面を有するフラット領域１０Ｂとを形成された被コーティング体１０の、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとにわたりコーティング材料を液状態でコーティングして、コート層を形成するコーティング方法において、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとに所定の段差量：ΔＨを、微細構造領域１０Ａにおける微細な周期的構造の形態に応じて予め設定することにより、コーティングされたコート層の表面を、微細構造領域とフラット領域とにわたって実質的に平坦な単一面とする。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および薬液耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１、下記一般式（２）で表される化合物２、および加水分解性ポリカルボシランを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ・・・・・（１）
（式中、Ｒは炭素数１〜２のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示し、ａは１〜２の整数を示し、Ｒ^１は炭素数１〜３のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示す。）
Ｒ^２_ｂ（Ｒ^３Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^６）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｃＲ^５_ｃ・・・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６はフェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を示し、ｄは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】ウェハにおける制約上のＴＥＣの違いによる衝撃を減少させ、製造された装置および接着層の間の接触面（界面）を改良した、ウェハのスケールでのマイクロシステムまたはナノシステムの組立てによる電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、ａ）前面８の側部分に現れる部品の活性面、ｂ）部品に対して少なくとも横方向に存在し、いわゆる部品が装置において保持されるのを確実にする、コーティング材３、ｃ）部品の活性面１０にはなく、コーティング材３がこの部品４から分離される、絶縁緩衝層６を具える。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜を用いた層間絶縁膜ＳｉＯＣＨ膜をＣＭＰプロセスにおけるダメージから保護しつつ、配線間層間絶縁膜ＳｉＯＣＨ膜の実効誘電率を低減する。
【解決手段】半導体装置１００は、ＳｉＯＣＨ膜１０の表層が改質されることにより形成された、ＳｉＯＣＨ膜１０よりも炭素濃度が低くかつＳｉＯＣＨ膜１０よりも酸素濃度が高い表面改質層２０が設けられるとともに、Ｃｕ配線５０の表面及び表面改質層２０の表面に接するキャップ絶縁膜６０を有している。このため、ＳｉＯＣＨ膜１０全体の誘電率の上昇を低減しつつ、ＣＭＰプロセスにおいて親水性の表面改質層２０が露出することによって水滴が残りにくくなり、ＣＭＰプロセス後のパーティクルの残留やウォーターマークの発生を低減できる。 （もっと読む）

【課題】低誘電性で、かつ高耐熱性を示す膜を形成することができる膜形成用組成物、膜形成用組成物から得られる絶縁膜、および、絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】炭素-炭素不飽和結合を含む基を有するケイ素化合物（Ａ）と、カゴ型シルセスキオキサン構造を有する化合物とを含む膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下での使用や、デバイスとして駆動するため電界が印加された際に、有機分子層同士を結合している共有結合が切断され、分子層積層構造が崩壊する恐れがない、耐久性に優れた分子層積層膜による有機薄膜を作製して用い、素子寿命が改善された有機デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１と、該基板１１上第一の有機分子層１２と、該第一の有機分子層１２に積層された第二の有機分子層１４とを備え、該第一の有機分子層１２と第二の有機分子層１４が、第一の結合部１３によって接続され、前記第一の結合部１３の構成が、前記第一の有機分子層１２と前記第二の有機分子層１４との間を接続する第一の共有結合部１３１と、前記第一の有機分子層１２および／または前記第二の有機分子層１４と、前記第一の共有結合部１３１の構成原子との間を接続する第一の化学結合１３２からなる有機デバイス。 （もっと読む）

【課題】基板表面上に半導体素子構造を形成した後に、基板を裏面側から研削した場合に生じる基板の反りを防止でき、容易にダイシング処理を行うことができ、高集積でパッケージングされる半導体素子として好適な厚みの薄い半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１表面上に形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造内に形成され、基板１を裏面側から研削することにより発生する前記基板１を反らせるストレスを補償する補償ストレス膜６とを備えている半導体素子とする。 （もっと読む）

【課題】低温で良好な絶縁膜であるシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】シリコン基板１上にトレンチ１ａ、１ｂを形成し、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶かした塗布剤を塗布して塗布膜を形成する。塗布膜に含まれる有機溶媒を気化させてポリマー膜を形成する。ポリマー膜に９０℃以下の温度で紫外線を照射し、そのポリマー膜を５０℃以上８０℃未満の温度の純水または水溶液中に浸漬することによってシリコン酸化膜３に転換する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有するとともに、ＴＦＴの性能安定性が高いトランジスタ基板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面にガスバリア層２０が設けられたプラスチック基材１２と、前記プラスチック基材上に設けられ、ゲート電極４２、ゲート絶縁層３０、酸化物半導体又は有機半導体を含む活性層４４、ソース電極４６、及びドレイン電極４８を有する電界効果型薄膜トランジスタ４０と、を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも１つの有機層２４と少なくとも１つの無機層２２，２６とが積層した構造を有し、且つ、前記ゲート絶縁層が、少なくとも１つの有機層３４と少なくとも１つの無機層３２，３６とが積層した構造を有することを特徴とするトランジスタ基板１０。 （もっと読む）

【課題】本発明者らは、ＥＢキュアによって膜の機械強度を大幅に向上させる効果が得られ、空孔形成剤を用いて微細な空孔を膜中に形成するにあたり、空孔崩壊が抑制され、低誘電率および高機械強度を示すポリフェニレン系有機絶縁膜が得られる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物より得られる絶縁膜、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも１つのシクロペンタジエノン基を有する化合物と、少なくとも１つのアセチレン基を有する化合物とのディールスアルダー反応によって形成されるポリフェニレンを含有する絶縁膜形成用組成物であって、前記ポリフェニレンが第２級炭素原子を含有する置換基を有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 ソフトエラーを低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電極パッドを有する半導体チップが形成される半導体基板と、前記電極パッドに設けられる内部接続端子と、前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように設けられる絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記内部接続端子と接続される配線パターンと、を有する半導体装置であって、前記絶縁層は、ポリイミド及び／又はポリイミド系化合物等のα線を遮蔽する材料を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着により重合膜を成膜する際に、原料を加熱して供給する際の上記不都合が生じない重合膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】原料形成面に重合膜を形成するための複数の原料を所定パターンで形成した第１の基板１６と、重合膜を形成すべき成膜面を有する第２の基板１５とを、原料形成面と成膜面とが向き合うように処理容器２内に対向して設け、処理容器２内を真空雰囲気とし、第１の基板１６を前記複数の原料１７，１８が蒸発する第１の温度に加熱して蒸発させるとともに、第２の基板１５を複数の原料が重合反応を生ずる第２の温度に加熱し、第１の基板１６から蒸発した複数の原料１７，１８を第２の基板１５の成膜面で反応させ、成膜面に所定の重合膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電率、高機械強度および高耐熱性を示す膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、この絶縁膜形成用組成物を用いて絶縁膜を製造する方法、及び、この絶縁膜を構成層として有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される、分岐構造を有する繰り返し単位を含む重合体、を含有する絶縁膜形成用組成物。
【化１】


（一般式（１）中、Ｘは、カゴ型構造を表す。Ｙは、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^１は、芳香族炭化水素基を、Ｒ^２は置換基を表す。「＊」は結合位置を表す。ａは０〜１８の整数を、ｂは０〜６の整数を、ｃは２〜７の整数を、ｄは１〜３の整数を表す。） （もっと読む）