高温オゾン処理を含むナノ細孔の超低誘電薄膜の製造方法及びこれによって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜が提供され、前記製造方法は、有機シリケートマトリックス−含有溶液と反応性ポロゲン−含有溶液とを混合して混合溶液を準備し、前記混合溶液を基材上に塗布して薄膜を形成し、前記薄膜を熱処理し、前記熱処理の過程中にオゾン処理を行うことを含み、このような製造方法によって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜は、高温のオゾン処理及び処理温度の最適化による薄膜内の細孔のサイズと分布度の改善を通じて、２.３以下の誘電率と１０ＧＰａ以上の機械的強度とを有することができる。
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【課題】多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、有機シラン又は有機シロキサンの１つの前駆体と、該前駆体とは異なるポロゲンであって、本質的に芳香族であるポロゲンとを含むガス状試薬を導入する工程、前記チャンバー中の前記ガス状試薬にエネルギーを適用して該ガス状試薬の反応を引き起こしてポロゲンを含有する膜を堆積させる工程、並びにＵＶ放射によって有機材料の実質的にすべてを除去して気孔を有しかつ２．６未満の誘電率を有する多孔質の膜を提供する工程を含む多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線が形成される多孔質絶縁膜がプラズマダメージ等を受けるのを防ぐことにより、高歩留り且つ高信頼性な半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板の上に、化学気相成長法により、炭素濃度、空孔形成剤濃度及び酸素濃度がそれぞれ異なる複数の領域を有する空孔形成剤含有膜を形成する工程を備えている。この工程は、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第１の流量で流す第１の期間と、第１の期間の後に、前駆体の流量に対する空孔形成剤の流量を減少させる第２の期間と、第２の期間の後に、前駆体の流量に対する空孔形成剤の流量の減少を停止し、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第２の流量で流す第３の期間と、第３の期間の後に、前駆体の流量に対する酸化剤の流量を増大させる第４の期間と、第４の期間の後に、前駆体、空孔形成剤及び酸化剤を第３の流量で流す第５の期間とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属性不純物が少なくリーク電流の発生を十分に抑制できる絶縁被膜を有効に形成できるボラジン系樹脂組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｂ，Ｂ’，Ｂ’’−トリアルキニルボラジン類とヒドロシラン類とを、固体触媒の存在下に重合させる第１の工程と、第１の工程を実施した後に、固体触媒を除去する第２の工程と、を備え、固体触媒が、白金アルミナ等であり、ヒドロシラン類が、下記式（２）；


で表されるもの等である方法により、主鎖又は側鎖にボラジン骨格を有する重合体を製造し、重合体と、該重合体を溶解可能な溶剤とを含むボラジン系樹脂組成物を得る、ボラジン系樹脂組成物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、分子内に複数個の重合性反応基を備え、当該重合性反応基として少なくとも１個の重合性二重結合を備えた多価反応性オレフィン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記多価反応性オレフィン体が有する前記重合性反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記多価反応性オレフィン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が０．０１〜１０モル％である。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁性を実現しつつ、有機半導体分子を高いレベルで異方的配向させて優れたキャリア移動度を発揮可能な有機半導体素子用絶縁性配向膜を形成し得る有機半導体素子用絶縁性配向組成物を提供する。
【解決手段】光配向性基を有するポリオルガノシロキサン化合物と、ポリアミック酸及びポリイミドからなる群より選択される少なくとも１種の重合体とを含有する有機半導体素子用絶縁性配向組成物である。上記光配向性基は桂皮酸構造を有する基であることが好ましい。上記桂皮酸構造を有する基は、特殊なフェニルアクリル酸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜内の水分などによるバリアメタルの腐食を防止し、銅配線の信頼性の低下及び抵抗値の上昇を抑制し得る半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 メチル基を含有する層間絶縁膜３２内に配線溝３７を形成する。配線溝３７が形成された絶縁膜３２に紫外線又は電子線を照射した後に、メチル基を有するガスを用いて絶縁膜の露出面を疎水化する。配線溝３７の疎水化された内面に沿ってバリアメタル層４１を形成し、該バリアメタル層４１を介して配線溝３７を銅配線４３で充填する。一実施形態において、配線溝３７はメタルハードマスク４７を用いて絶縁膜３２をエッチングすることにより形成され、絶縁膜３２への紫外線又は電子線の照射は、メタルハードマスク４７を残存させた状態で行われる。 （もっと読む）

【課題】自重による基板素材の撓みを低減することができる基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】周縁部１ｂが支持された場合、自重による撓みを生じる基板素材の一面１ａには、自重による基板素材の撓みを低減し、基板素材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの裏面を研削する際に、スクライブ領域からの切削屑等の浸入を防止できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体ウエハ１に素子が形成された素子形成領域１Ａと、半導体ウエハ１における素子形成領域１Ａの周囲に形成されたスクライブ領域３とを有している。さらに、半導体装置は、素子形成領域１Ａの上及びスクライブ領域３の上に形成され、素子形成領域１Ａ及びスクライブ領域３を保護する保護膜２を有している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体薄膜の製造方法においては、金属酸化物半導体薄膜を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる。また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等において、薄型で容量が大きく、かつ、少ないスルーホール発生率の誘電体膜を提供する。
【解決手段】第１の基体、第１の誘電体材料からなる第１の基体上の誘電体層であって、誘電体層が誘電体膜厚を有し、第１の基体との境界面から誘電体層の半対面まで通じるスルーホールに貫通される誘電体層、及び、スルーホールを少なくとも部分的に塞ぐ第２の誘電体材料からなる装置、並びに、そのような装置を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】約２．６以下の誘電率を有する超低誘電率材料およびその作製する方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ原子、Ｃ原子、Ｏ原子およびＨ原子を含み、共有結合３次元ネットワーク構造を有し、２．６以下の誘電率を有する、熱的に安定な超低誘電率膜を提供する。この誘電率膜は、さらに、共有結合環状ネットワークを有することもできる。共有結合３次元ネットワーク構造は、Ｓｉ−Ｏ共有結合、Ｓｉ−Ｃ共有結合、Ｓｉ−Ｈ共有結合、Ｃ−Ｈ共有結合およびＣ−Ｃ共有結合を含み、必要ならＦおよびＮを含むこともできる。この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。この誘電率膜は、１．３マイクロメートル以下の厚さを有し、毎秒１０^−１０メートル以下の水中での亀裂成長速度を有する。さらに、ＢＥＯＬ絶縁体、キャップまたはハード・マスク層として本発明の誘電膜を含むバック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、低い誘電率を有する機械強度に優れた電気絶縁膜を作製するためのプレカーサーとして有用なスピロ型シクロトリシロキサン誘導体を提供することにある。
【解決手段】一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数が１乃至３のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は同時に水素原子ではない。また破線を伴う実線は単結合又は二重結合を表す。）で表されるシクロトリシロキサン化合物を用いて形成させた膜は、所望の低い誘電率を有し、機械強度に優れた電気絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含むガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスの提供。
【解決手段】二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下記式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜である。式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。
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【課題】薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。
【解決手段】ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０重量ｐｐｂ以下である半導体用シール組成物に、２以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が２０００〜１０００００である樹脂を含有せしめ、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が１０ｎｍ以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】基体に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に、埋め込み性が良好で、低いリーク電流を示す絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物をトレンチ構造を含む基板に塗布する塗布工程と、第二の工程として前記塗布された縮合反応物を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程と、第三の工程として前記絶縁膜の表面を疎水化処理剤にさらす疎水化処理工程を順に行う。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜としての性能を損なうことなく、スピンオングラスを用いた簡便な方法でメタル下絶縁膜や素子分離用絶縁膜として利用可能な絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてオルガノアルコキシシランの加水分解縮合物を含む塗布液を基板上に塗布して塗布基板を得る工程と、第二の工程として前記塗布基板を７００℃以上９００℃以下の温度で水素を含む気体中で加熱して前記塗布膜を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程とを順に含む。 （もっと読む）

【課題】ポリフェニレンエーテルなどの本来有する低誘電率、低吸水性および耐熱性を維持しつつ、感放射線性に優れ、低温で熱処理可能な樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香族環を有する、比誘電率が５以下の化合物と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される架橋剤と、（Ｃ）酸発生剤とを含有する。


［式（１）中、Ｒ¹はｎ価の炭化水素基、ｎは１〜４の整数、Ｒ²はそれぞれ独立に水素原子、酸の存在下により、カチオンを有する基または電子供与性基を示す。］ （もっと読む）

【課題】粘度、表面張力、溶剤の沸点等の様々なパラメータをインクジェット用に制御しなければならない非水系インクジェット用インクにおいて、ジェッティング後、表面処理を行わずに平坦な基板ににじみあるいはぬれ広がりの少なく、良好なパターン膜が得られ、かつ低粘度のためインクジェットヘッドの加熱が不必要な非水系インクジェット用インクを提供すること。
【解決手段】界面活性剤（Ｂ）を含有する非水系インクジェット用インクであって、前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度が、０．００００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下であることを特徴とする非水系インクジェット用インク。 （もっと読む）

本発明は、エッチングマスクパターン形成用ペースト及びそれを用いたシリコン太陽電池の製造方法を開示する。本発明のエッチングマスクパターン形成用ペースト組成物は、シリコン太陽電池の選択的エミッタ製造に使用され、無機物粉末、有機溶媒、バインダー樹脂、及び可塑剤を含むことを特徴とする。本発明のペースト組成物で形成したエッチングマスクパターンは、基板との接着力に優れ、エッジカール（ｅｄｇｅ−ｃｕｒｌ）現象を防止することができる。これにより、選択的エミッタ形成のためのエッチバック工程におけるエッチング耐性に優れ、安定的なエミッタを形成することができる。 （もっと読む）