【課題】Ｃdsubの低減を通じて、出力容量Ｃossの低減に寄与する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第１導電型の半導体層とを有するＳＯＩ基板と、第１導電型の半導体層からなる活性領域内に、第２導電型の半導体層からなるウェルを形成するとともに、ウェル内および第１導電型の活性領域内に、第１導電型の半導体層からなるソース・ドレイン領域を形成した横型ＭＯＳＦＥＴにおいて、活性領域のうち、ドレイン領域にコンタクトするように形成されるドレインパッド形成領域９ｐ下の少なくとも一部は、ＳＯＩ基板の絶縁膜に到達するように形成された絶縁性領域１１で構成される。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの高い微細パターを有する半導体デバイスの製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造方法は、回折格子層７及び絶縁層９を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、周期構造パターン１１ｐ１を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３をマスクとしてシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程とを備える。シリコン含有樹脂層形成工程は、シリコン含有樹脂溶液を回転塗布する工程と、シリコン含有樹脂層１３を第１の温度まで加熱する工程と、シリコン含有樹脂層１３の外縁部１３ｅ１に揮発性成分を有するリンス液１４を回転塗布する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビア深さのバラツキを抑制することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、ＳｉおよびＣを含むキャップ絶縁膜を形成する工程と、キャップ絶縁膜上に、キャップ絶縁膜と比較して、シリコン原子数に対する炭素原子数の組成比が高い、有機シリカ膜を形成する工程と、不活性ガス、Ｎを含むガス、フッ化炭素ガスおよび酸化剤ガスを含む混合ガスを用いたプラズマ処理により、有機シリカ膜に、異なる開口径を有する２以上の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】より低温、より短期間で処理することができる誘電体層、誘電性組成物を提供することである。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、誘電性材料、架橋剤、及び赤外線吸収剤を含有する誘電性組成物を基材上に成膜する工程と、誘電性組成物を赤外線に暴露して誘電性組成物を硬化させ、基材上に誘電体層を形成する工程と、基材上に半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする。また、電子デバイスは、架橋された誘電性材料及び赤外線吸収剤を含有する誘電体層を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物（Ａ）、及びフッ素樹脂である活性水素化合物（Ｂ）を含有する。 （もっと読む）

【課題】ａ）紫外光域において強力かつ均一に吸光し、ｂ）レジスト材料を「崩れ」させたり、意図したレジストラインよりはみ出ることのない、ｃ）フォトレジスト現像剤および上記のＳＯＧ反射防止膜の製造工程に対して感応することのない、吸収性スピンオンガラス反射防止膜およびリソグラフィー材料が、層状材料、電子部品、および半導体部品の製造を発展させるために望まれている。
【解決手段】少なくとも１つの無機系化合物と、少なくとも１つの導入することが可能な吸収性有機化合物と、少なくとも１つのｐＨ調整剤とを含んでなる、吸収性スピンオンガラス組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便なプロセスで製造可能であり、スイッチング特性に優れたＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、酸化物半導体からなる酸化物半導体層および上記酸化物半導体層と接するように形成された半導体層接触絶縁層を有する薄膜トランジスタと、を有し、上記薄膜トランジスタに含まれる半導体層接触絶縁層の少なくとも一つが、感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された感光性ポリイミド絶縁層であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固体撮像素子における光電変換部の実装に用いられる絶縁膜の形成に好適に用いられる感放射線性組成物、絶縁膜の形成方法、絶縁膜及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の感放射線性樹脂組成物は、黒色剤と、フェノール性水酸基を有する重合体と、感放射線性酸発生剤と、酸の作用により架橋反応が進行する架橋剤と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）および金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ、を簡便で安価な方法で提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）のゲート絶縁層、あるいは金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタの絶縁体として、電子グレード・シルク溶液を基板上に形成されたゲート電極上、あるいはキャパシタ電極上にコートし乾燥させ、ゲート電極上あるいはキャパシタ電極上にシルクプロテインで作られたゲート絶縁層あるいはキャパシタ絶縁体を得る。 （もっと読む）

【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、１分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とＳｉＣＮ膜とを用いて測定される、ｍ−ＥＬＴ法による密着力が、０．１５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以上０．３５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを生じにくい膜形成用組成物入り容器を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物入り容器は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物を含む液状の膜形成用組成物を容器に収納してなるものであって、前記容器の前記膜形成用組成物を収納する収納部の収納量をＶ［ｃｍ^３］、前記収納部の内表面積をＳ［ｃｍ^２］としたとき、Ｓ／Ｖ≦０．８５の関係を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁性が高く、かつ均一な膜厚を有するゲート絶縁膜を効率よく形成することができる電界効果型トランジスタの製造方法、及び該電界効果型トランジスタの製造方法により製造され、安定した特性を有する高性能な電界効果型トランジスタの提供。
【解決手段】前記第一の基材上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、第二の基材上にゲート絶縁膜形成用樹脂溶液を塗布し、ゲート絶縁膜を形成する塗布工程と、前記ゲート絶縁膜表面の流動性が消失するまで乾燥する乾燥工程と、前記ゲート電極と、前記ゲート絶縁膜表面とを接触させて接触体を形成する接触工程と、前記接触体に対し、ゲート絶縁膜形成用樹脂のガラス転移温度以上の熱を加える加熱工程と、前記接触体から前記第二の基材を剥離し、第一の基材上にゲート絶縁膜を形成する剥離工程とを少なくとも含む電界効果型トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】スクリーン印刷やディスペンス塗布に最適なレオロジー特性を有し、各塗布基板との濡れ性を向上させ、５００回以上の連続印刷が可能であり、印刷・塗布後や乾燥・硬化時にワキやハジキ、ピンホールが発生せず、所定部分を被覆できる半導体装置用ポリイミド樹脂組成物並びにそれを用いた半導体装置中の膜形成方法及び該方法により形成された膜を絶縁膜や保護膜等として有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置用ポリイミド樹脂組成物は、第一の有機溶媒（Ａ）及び第二の有機溶媒（Ｂ）の混合溶媒に可溶な耐熱性ポリイミド樹脂であって、ポリイミドの繰り返し単位中にアルキル基及び／又はパーフルオロアルキル基を含み、チクソトロピー性を有するポリイミド樹脂を、前記混合溶媒中に含む。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、半導体装置の製造に適用した際に絶縁不良等の問題を生じにくい絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、フッ素系ガスでエッチングした際のエッチングレートが、ＳｉＯ膜の０．７５倍以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポーラス絶縁層を用いた半導体装置において、当該ポーラス絶縁層を覆うポアシール絶縁層を良好に形成すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）ポーラス絶縁層の表面にトレンチを形成する工程と、（Ｂ）ビニル基を含み−Ｓｉ−Ｏ−を含む構造を備える化学物質を、ポーラス絶縁層の表面上あるいはポーラス絶縁層中に導入する工程と、（Ｃ）当該化学物質の重合を行うことにより、ポーラス絶縁層よりも高密度のポアシール絶縁層をトレンチの表面上に形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 インクジェット法などの印刷手法によって、微細なパターン状ポリイミド膜を形成する方法を提供すること。さらに、容易な表面処理方法でインクジェット印刷に適した均一な基板表面を形成することができ、結果として所望のパターンのポリイミド膜が得られる塗膜形成方法を提供すること。
【解決手段】反応性の有機基を有するシランカップリング剤（Ａ）、パーフルオロアルキル基あるいはポリシロキサン基から選ばれる基を少なくとも１つ有するシランカップリング剤（Ｂ）及びカチオン性有機基を有するシランカップリング剤（Ｃ）からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する表面処理剤を用いて、基板上に前記表面処理膜を形成する工程、その後に、アミド酸誘導体及びそのイミド化物から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有するインクジェットインクを前記表面処理膜上にインクジェット塗布方法によりパターン状に形成する工程、を有する、パターン状ポリイミド膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、炭酸エステル系の化合物である回復剤と接触させてダメージ回復処理を行うことを特徴とする絶縁膜のダメージ回復方法を選択する。 （もっと読む）

反応器内部の露出面上の望ましくない成長または核生成を防止するために、混合ＳＡＭの形成に関する方法および構造が記載される。混合ＳＡＭ（３２２）は、核生成が望ましくない表面（３０８）上に、第１の長さ（３３４）の分子を有する第１のＳＡＭ前駆体、および第１の長さより短い第２の長さ（３３８）の分子を有する第２のＳＡＭ前駆体を導入することによって形成されることができる。提供できる合成ＳＡＭ（３２２）に覆われる露出面の例は、反応器表面ならびに絶縁体および誘電体層などの集積回路構造（８００）の選択表面を含む。 （もっと読む）