本発明は、エッチングマスクパターン形成用ペースト及びそれを用いたシリコン太陽電池の製造方法を開示する。本発明のエッチングマスクパターン形成用ペースト組成物は、シリコン太陽電池の選択的エミッタ製造に使用され、無機物粉末、有機溶媒、バインダー樹脂、及び可塑剤を含むことを特徴とする。本発明のペースト組成物で形成したエッチングマスクパターンは、基板との接着力に優れ、エッジカール（ｅｄｇｅ−ｃｕｒｌ）現象を防止することができる。これにより、選択的エミッタ形成のためのエッチバック工程におけるエッチング耐性に優れ、安定的なエミッタを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、強度が高く、かつプラズマダメージ耐性が高い低誘電率絶縁膜を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ構造を含む基本分子１の複数個を直鎖状に結合した直鎖状分子２，３，４と、この直鎖状分子２，３，４の複数個を、間にＳｉＯ構造を含むバインダー分子５を介在させて結合してなり、Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなる低誘電率絶縁膜であって、該膜のフーリエ変換赤外分光法により分析して得たスペクトルのピーク信号のうち、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号、ネットワーク型ＳｉＯ構造を示す信号、及びケージ型ＳｉＯ構造を示す信号の３種の信号面積の総和を１００％としたとき、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号の面積比が４９％以上であり、かつスペクトルのピーク信号のうち、Ｓｉ（ＣＨ_３）を示す信号量と、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量の総和を１００％としたとき、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量が６６％以上である。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、耐酸化性に優れる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板２上に、ゲート電極３、ゲート絶縁層４、半導体層５、ソース電極６およびドレイン電極７を形成してなる薄膜トランジスタであって、アルカリ可溶性フェノール樹脂（Ａ）と感放射線化合物（Ｂ）とを含有する感放射線性樹脂組成物からなる保護膜８が、前記ゲート絶縁層４、前記半導体層５、前記ソース電極お６よび前記ドレイン電極７に接触して形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を施した後も安定したトランジスタ特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、その製造方法及び酸化物薄膜トランジスタを用いたディスプレイを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の第１実施形態の酸化物薄膜トランジスタ１は、酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、ＰＶＰおよびフッ素系界面活性剤を含む構成とすることにより、良好かつ安定した特性を有するとともに、デバイス形成時に加熱処理を行った場合にも、特性の変化が殆どない酸化物薄膜トランジスタ１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光照射によって誘電率を変化させることが可能な膜、およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０は、ガラス基板２１、ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３、半導体層（活性層）２４、ソース電極２５およびドレイン電極２６を備える。ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３および半導体層２４は、この順序でガラス基板２１上に積層されている。ソース電極２５およびドレイン電極２６は、半導体層２４上に形成されている。ゲート絶縁膜２３は、有機重合体と、その有機重合体中に分散された化合物とを含む溶液を、ガラス基板上に形成されたゲート絶縁膜上にスピンコート法によって塗布した。その化合物は、以下の式（１）で表される化合物および以下の（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である。［化学式（１）および（２）］
（もっと読む）

【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の膜強度を十分に確保する。
【解決手段】第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。第１、第２の配線層絶縁膜は、第１、第２の低誘電率膜（第１の低誘電率膜４、第３の低誘電率膜１１）を含む。層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤ法により機械強度に優れた電気絶縁膜を提供し、それを配してなる半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】スピロ構造を有する環状シロキサン化合物である２，２，４，４，６，６−トリ（ブタン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−テトラ（ブタン−１，４−ジイル）シクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６−トリ（ペンタン−１，５−ジイル）シクロトリシロキサン、または２，２，４，４，６，６−トリ（２−ブテン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサンを原料ガスとして用い、ＰＥＣＶＤ法によって、機械強度に優れた電気絶縁膜、およびそれを配してなる半導体電子デバイスを製造する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくく、膜特性が維持された絶縁膜を形成することができる膜形成用組成物、かかる膜形成用組成物により形成された絶縁膜、および、かかる絶縁膜を備える半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物を含む膜形成用組成物であり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有するものである。そして、前記重合性反応基が、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来技術のデバイスのドレイン電流値が実用的には少なすぎ、試料を昇温すると、ある温度以上でドレイン電流が劇的に減少し、元に戻らず、デバイスが劣化するという問題を解決するダイヤモンド電界効果トランジスターおよびダイヤモンド多層膜。
【解決手段】ダイヤモンド上に水素を含む第１の表面層があり、その上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極が順に並んでおり、ソース電極−ゲート電極間、およびゲート電極−ドレイン電極間の上記ダイヤモンド結晶の第１の表面層上に、フッ素を含む保護層があることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスター。 （もっと読む）

【課題】絶縁性、低吸水性、溶剤溶解性、及び、薄膜形成性等の特性に優れ、高い信頼性を有する有機薄膜トランジスタ用絶縁膜、及び、該絶縁膜を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】フッ素含有シアノアリールエーテル重合体を含む絶縁膜を有機薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いる。該フッ素含有シアノアリールエーテル重合体は、ベンゼン環でＲ基の位置を基準として１とすると、時計回りに２，６にフッ素、４にシアノ基、３，５に酸素を含むエーテル結合があり、これを単位とし、エーテル結合の部分で重合形成される重合体である。ここでＲは置換基を有してもよく、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アリールチオ基を表す。また、エーテル結合部分はＯＲ’Ｏであり、Ｒ’は２価の有機基である。 （もっと読む）

【課題】基板上に処理液が存在するか否かについて、簡易な構造で検出し、製品の歩留まりの悪化を抑えること。
【解決手段】スピンチャック２に静電センサ５４Ａ〜５４Ｃを埋設する。静電センサ５４の静電容量は、基板であるウエハＷ上に処理液が存在すると、存在しない場合に比べて大きくなる。従って静電センサ５４Ａ〜５４Ｃにより、スピンチャック２上のウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することができる。従って所定のタイミングでウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することによって、処理液ノズル４からの処理液の吐出や、基板上における処理液の拡散の異常を速やかに検出できるため、これらの異常に直ちに対処でき、製品の歩留まりの悪化を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】自己組織化によるパターン形状を良好に且つより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１の上に中性化膜１０２を形成する。続いて、中性化膜１０２の上に、親水性を有し且つ開口部１０３ａを有するガイドパターン１０３を形成する。続いて、ガイドパターン１０３の少なくとも側面に対して、該ガイドパターン１０３の親水性を増長する表面処理である水素化処理を行う。その後、中性化膜１０２の上であって、表面処理を行ったガイドパターン１０３の開口部に、ブロックコポリマー膜１０５を形成する。続いて、ブロックコポリマー膜１０５をアニーリングすることにより、該ブロックコポリマー膜１０５を自己組織化する。その後、自己組織化されたブロックコポリマー膜１０５から自己組織化パターンの１つである第２のパターン１０５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】電子グレードまで精製可能であり、所望の電気的特性を保持した状態で厚さを減少させた誘電体層の形成に用いることができる材料を提供する。
【解決手段】分子性ガラスと、架橋剤と、触媒と、を含む、液体組成物を用い、誘電体層を形成する。分子性ガラスとしては、アモルファス分子性材料であり、‐ＯＨ、‐ＮＨ２の何れかを含む、エステル分子、スピロ、ビスフェノールＡ、四面体アリールシラン、アダマンタン、環系、縮合環、トリアリールアミン、ベンゼン、ヘキサフェニルベンゼン、トリフェニルベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントラセン、ピレンを用いる。又、光を照射することで酸を発生させる化合物、ナノ粒子等の無機粒子、金属ナノ粒子、酸化金属ナノ粒子、その他の無機ナノ粒子を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体のバッファコーティング(Ｂｕｆｆｅｒ ｃｏａｔｉｎｇ)に適用されるものであり、ポリイミドおよびこれを含む感光性樹脂組成物に関する。
【解決手段】上記ポリイミドは、下記一般式(１)で表されるポリイミド重合体である。なお、本発明は、１) ＢＤＡ系の７０％以上のｉ-線透過度を有する可溶性ポリイミドと、２) 伸び率が４０％以上のポリアミド酸と、３) ノボラック樹脂と、４) ジアゾナフトキノン系感光性物質とを含み、半導体のバッファコーティングの要求特性の高解像度、高感度、優れたフィルム特性および機械的物性を有する感光性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した低誘電率絶縁膜用材料として有用な、新規な環状シロキサン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（２０）
【化１】


（式中、Ｒ^１８は炭化水素基を表し、Ｒ^１９は水素原子又は炭化水素基を表す。ｇは２乃至１０の整数を表し、ｈは１乃至３の整数を表す。）で示される環状シロキサン化合物［具体的例示:２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン］。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的に昇華させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】常温において固体状態である固体の粒子３０を気化させる気化器２１において、前記固体の粒子３０を供給するための供給部３１と、前記供給部３１より供給された前記固体の粒子３０を気化するため、複数の孔部が設けられた加熱部を有する気化部３３とを有し、前記気化部３３は、重力の働く方向に上から順に設けられた分散網３４と加熱網３５と加熱傾斜部３６からなる。 （もっと読む）

【課題】実効誘電率を低減させて、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。第二のバリア絶縁膜４は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である。 （もっと読む）

【目的】キャップ成膜時に起因するｌｏｗ−ｋ膜の絶縁性劣化を低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜上に絶縁材料を用いたキャップ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記キャップ膜を形成した後に、前記キャップ膜を介して前記前記キャップ膜の下層のシリル化処理を行なう工程（Ｓ１０８）と、前記シリル化処理の後、エッチング法を用いて、前記キャップ膜上から前記絶縁膜内へと続く開口部を形成する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部に導電性材料を堆積させる工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基材に高疎水性を付与するために基材の表面を処理する方法に関する。さらに詳細には、上記方法は、基板の処理中に、低い表面エネルギーを有するが異なる鎖長を有する２つの異なる種類の有機シラン分子の自発的に生じる相分離を利用する。これらのドメイン（domain）とマトリクス（matrix）構造の高さ差から生じ、相分離され低い表面エネルギーを有する長い有機シラン分子及び短い有機シラン分子により形成された表面粗度は、それぞれロータス効果（Lotus effect）の超疎水性を再現する。このように、上記方法は上記基板を高疎水性とすることができる。最後に、基板の表面を高疎水性にする、上記基板表面の処理方法は、高疎水性の表面が、ＣＦ_３基を官能基として有する有機シランと上記有機シランより炭素鎖長が短くＣＨ_３基を官能基として有する有機シランとを使用して、化学気相蒸着によって混合自己組織化単分子膜を形成することにより得られることを特徴とする。 （もっと読む）