【課題】熱処理工程時の温度ムラによる特性のバラつきを抑制し、かつ、高抵抗率に制御可能とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含有し、Ｉｎ及びＧａの合計に対するＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす非晶質酸化物薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＜０．７５の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上１５０℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理し、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０．７５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上２００℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｏ₃およびＢａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃をベースにした圧電材料の特性を向上させる非鉛系圧電材料を提供する。
【解決手段】基板１上に弾性膜２、密着層３，４，５、下部電極６、圧電膜９を形成する。圧電材料は、Ｂｉ（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｏ₃とＢａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃の混晶からなる圧電材料であって、組成式（１−ｘ）Ｂｉ（Ｆｅ_1-yＭｎ_y）Ｏ₃−ｘＢａ（Ｚｒ_uＴｉ_1-u）Ｏ₃で表され、０＜ｘ＜０．４０、０．０１＜ｙ＜０．１０および０≦ｕ＜０．１６である。かかる構成によれば、Ｂｉ（Ｆｅ_1-yＭｎ_y）Ｏ₃の自発分極量や高いキュリー温度を維持しつつ、Ｂａ（Ｚｒ_uＴｉ_1-u）Ｏ₃により圧電特性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便に界面の欠陥を低減することを可能とする。
【解決手段】大気と遮断された真空成膜室内で、基板上に酸素不定比性のある酸化物を含有する第１層を成膜する第１成膜工程と、前記第１層上に前記第１層と同一材料又は異なる材料からなる第２層を成膜する第２成膜工程と、前記第１成膜工程後前記第２成膜工程前までの間、前記第１層を、前記真空成膜室を含む大気と遮断された室内で、前記第１成膜工程における前記真空成膜室内の酸素分圧よりも高い酸素分圧下に保持する分圧制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、前駆体組成物層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置が、絶縁膜と、絶縁膜上において該絶縁膜と接する第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する第２の金属酸化物膜と、第２の金属酸化物膜上において該第２の金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板温度が低温の場合でも酸化レートを高速化して、低温での酸化を可能とするとともに、厚膜酸化を可能とするプラズマ酸化方法および装置を提供する。
【解決手段】酸素を含むプロセスガスで酸素含有プラズマを生成し、ステージ１８上に設置された基板１６に対して、トランス結合バイアス電源からバイアス電圧を印加し、前記基板１６のバイアス電位の最大値Ｖｍａｘ及び最小値Ｖｍｉｎが、プラズマ電位Ｖｐに対して、Ｖｍｉｎ＜Ｖｐ＜Ｖｍａｘの関係を満たすように前記バイアス電位を制御することによって前記酸素含有プラズマ中の正イオンと負イオンとを前記基板１６に照射するプラズマ処理装置１０により前記基板１６をプラズマ酸化する。 （もっと読む）

【課題】安価であって、高品質であり、かつ光取出し効率に優れた薄膜状の金属酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜状の金属酸化物の製造方法は、透明電極上に金属アルコキシドを含む金属溶液を塗布することにより、光重合材料膜を形成するステップと、該光重合材料膜を部分的に露光することにより、３μｍ²以上０．２ｍｍ²以下の上面の面積の露光部を２以上形成する第１露光ステップと、該光重合材料膜に対しアルコール系の現像液を用いて現像することにより、第１露光ステップで露光されていない部分を除去するステップと、露光部を露光することにより、露光部の重合反応を促進する第２露光ステップと、第２露光ステップの後に、露光部を５００℃以下の温度で焼成することにより、薄膜状の金属酸化物を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。
【解決手段】ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（６５０〜８５０℃）以下まで降温させる。これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチックまたはガラス基板と原子層蒸着によって製造された大気透過バリアとを含んでなる物品を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明は、ａ）上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、
ｂ）原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ２ｎｍ〜１００ｎｍを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リーク電流が小さく、かつ容量の大きい容量絶縁膜を有するキャパシタを備えた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】容量絶縁膜形成工程は、下部電極が形成された半導体基板を成膜装置内に設置する工程と、半導体基板の温度を第１の温度に保持する第１の温度調整工程と、下部電極を覆うように、第１の温度に保持された半導体基板上に第１の絶縁膜を成膜する第１の成膜工程と、半導体基板を第２の温度に保持する第２の温度調整工程と、第１の絶縁膜の表面を覆うように、第２の温度に保持された半導体基板上に第２の絶縁膜を成膜する第２の成膜工程と、第１の温度調整工程、第１の成膜工程、第２の温度調整工程、第２の温度調整工程、及び第２の成膜工程を繰り返し行うことで、前記容量絶縁膜を形成する繰り返し工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】膜厚測定に用いる標準試料中のＬａを含む膜の保管時の安定性を向上させる。
【解決手段】膜厚測定用標準試料１００は、シリコン基板１０１上に設けられたＬａ含有膜１０３およびＬａ含有膜１０３の上部に設けられてＬａ含有膜１０３を覆うとともに金属窒化物を含む保護膜１０５を含む。これにより、Ｌａを含む膜１０３の保管時の変質による膜厚変動を効果的に抑制する。このような膜厚測定用標準試料１００を用いて、Ｌａを含む膜の膜厚の測定値を補正するステップを含む、膜厚測定方法。 （もっと読む）

【課題】
表面及び内部の強誘電体の自発分極を劣化させず、且つ、外部電場で反転しやすいようにするため、酸素等の構成元素の欠落と表面の結晶性の劣化を排除しつつ、自発分極から発生する電場を増大させる。
【解決手段】
酸化物強誘電体の表面に、酸素以外の気体元素を十分に低減した雰囲気で、酸素原子、酸素イオン、オゾンなどの活性酸素を低運動エネルギーで照射する。また、酸化物強誘電体薄膜のように、表面が露出していない場合は、該薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地層の表面に、同様の活性酸素を照射する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】導電体領域から絶縁体領域までの範囲内で所望の電気抵抗値有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体／ゲート絶縁膜の界面特性、及び、ゲート絶縁膜の膜質が共に良好である半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ１１は、ＧａＮ系の半導体から成る活性層３と、活性層３上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。ゲート絶縁膜は、活性層３上に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｙ_２Ｏ_３から成る群から選択された１つ以上の化合物を含む第１の絶縁膜６と、第１の絶縁膜６上に形成され、ＳｉＯ_２から成る第２の絶縁膜７とを有する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板表面に、結晶性のよい窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を生産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 （もっと読む）