一対のプラズマビーム源は、交流電源の両端に接続されて、基板上に材料を析出させるためのプラズマイオンビームを交互に生成する。各プラズマビーム源は、第１の幅を有する放電キャビティと、そこから外側に延びてイオンビームを放出するノズルを備える。ノズルの開口又は出口は第２の幅を有し、第２の幅は第１の幅よりも狭い。略互いに向き合う複数の磁石は、各放電キャビティに隣接して配置されて、放電キャビティ内に磁界ヌル領域を生成する。イオン化ガスは、各放電キャビティに注入される。交流電源は、各放電キャビティ内の電極に接続され、各プラズマビーム源は、交互に陽極又は陰極の役割をする。陰極としては、少なくとも１つのマグネトロン放電領域が、放電キャビティ内に維持される。動作においては、高密度の均一なプラズマビームが陰極源から放射し、イオンビームが陽極源から放射する。
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【課題】高誘電率及び高温で安定な正方晶系構造のジルコニウム酸化膜の形成方法及びその膜を備えたキャパシタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板を配置した単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に実施する単位サイクルを繰り返し行うか、又は、単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に実施する第１サイクルと、前記酸化剤の注入（ＥＸＴＲＡ_Ｏ₃）及びパージを連続的に実施する第２サイクルからなる単位サイクルを繰り返し行い、正方晶系のジルコニウム酸化膜を基板上に形成する製造方法であって、単原子蒸着工程の際、基板温度と、酸化剤の濃度及び酸化剤の露出条件とを調節する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とをプラズマＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】不飽和の配位を有する気相反応物の同種の他の分子と結合又はリアクタ壁への接着を防止する。
【解決手段】気相堆積プロセス（２つ以上の反応物が該反応チャンバに供給される）によって反応チャンバ中の基板上の膜の堆積を改良するための方法であって、以下：
揮発性中性配位リガンドを該反応チャンバに供給すること（ここで、該リガンドは、（ｉ）該反応物の１つ及び（ｉｉ）該膜堆積プロセスの間に該チャンバ中に形成される反応副生成物、の少なくとも１つに配位することが出来る）；
を含む方法を提供すること。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面に平坦化された高誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機金属ＣＶＤ法によるシリコン基板４０上への金属シリケート膜の形成方法であって、前記シリコン基板表面４０に、前記金属シリケート膜４３を構成する金属元素を含む有機金属化合物よりなる第１の気相原料と有機シリコン化合物よりなる第２の気相原料とを供給する第1の工程と、前記第１の気相原料と前記第２の気相原料とを前記シリコン基板表面４０にて分解し、金属シリケート膜４３を形成する第２の工程とを、繰り返し実行し、その際、前記金属シリケート膜４３を、繰り返し毎に、０．５ｎｍ以上、２ｎｍ以下の膜厚で形成する。第１の原料はテトラターシャリブトキシハフニウムであり、第２の原料はＴＥＯＳであることが好ましい。 （もっと読む）

半導体装置（100）の表面に多層の不動態皮膜（120）を形成する方法（500）は、化学気相蒸着反応装置（202）内に半導体装置（100）を配置し（500）、反応装置（202）内に窒素源（206）を導入し（504）、反応装置（202）内に炭素源（208）を導入し（508）、半導体装置（100）の表面に炭素窒素の層（402）を堆積し（512）、炭素源（208）の後に反応装置（202）内にシリコン源（210）を導入し（514）、炭素窒素の層（402）上にシリコン炭素窒素の層（404）を堆積する（516）ことからなる。多層の不動態皮膜（120）を組み込む半導体装置（100）もまた開示する。 （もっと読む）

【課題】 低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 まず、反応管２内にＤＣＳを供給し、半導体ウエハＷにＤＣＳを吸着させる。次に、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＤＣＳを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。続いて、反応管２内にアンモニアラジカルを供給して、形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸窒化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン酸窒化膜を形成することができる。 （もっと読む）

基板処理チャンバ内に配置された基板上に膜を堆積する方法。該基板は、隣接する隆起した面の間に形成されたギャップを有する。第１の前駆物質堆積ガスのフローが、該基板処理チャンバに提供される。第１の高密度プラズマが、該第１の堆積ガスのフローから形成されて、該ギャップが塞がれるまで、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第１の堆積プロセスによって、該基板上および該ギャップ内に該膜の第１部分を堆積する。該膜の第１の大部分は、該ギャップを再開口するためにエッチバックされる。第２の前駆物質堆積ガスのフローが該基板処理チャンバに供給される。第２の高密度プラズマが、該第２の前駆物質堆積ガスのフローから形成されて、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第２の堆積プロセスによって、該基板上および該再開口されたギャップ内の該膜の第２部分を堆積する。 （もっと読む）

【課題】小サイズ、低電力かつ高信頼性のトランジスタを提供するために、シリコン酸化物以外の材料でゲート絶縁体を製造する。
【解決手段】原子層堆積した絶縁層及びこうした絶縁層の製造方法が、ＳiＯ₂を用いて達成可能であるより薄い実効酸化膜厚を有する高信頼性の絶縁層を提供する。原子層堆積によってハフニウム金属層を基板上に堆積させて、原子層堆積によってこのハフニウム金属層上に酸化ハフニウム層を堆積させて、シリコン酸化物のほとんどない酸化ハフニウム絶縁層を形成する。原子層堆積した酸化ハフニウムを含む絶縁層は熱力学的に安定であり、酸化ハフニウムは処理中にシリコン基板または他の構造と最小限の反応を行う。
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プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第１の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第２の処理材料が導入される。第２の処理材料の導入の間、処理チャンバには、６００Ｗを超える電磁力が結合され、基板の表面での第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第１の処理材料と第２の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
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【課題】 緻密な膜を形成して、機械的強度を上げた窒化ホウ素膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 ガスノズル１１、１２により、成膜室２内にジボランガスとアンモニアガスを導入し、高周波アンテナ７により、成膜室内にプラズマ１０を発生させて、ジボランガスとアンモニアガスとを反応させ、更に、スパッタエッチング作用が発生可能な電力を下限とし、実質的な成膜がスパッタエッチング作用により停止されない電力を上限として、成膜室２内に配置された基板６に対して、低周波電源１５によりバイアス電力を印加して、基板６に窒化ホウ素膜の薄膜５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 有機物の基板への付着を防いだ良質な薄膜を提供する。
【解決手段】 基板１を処理室１２に導入し処理する際，２段のロードロック室１０，１１を介して導入する。１段目のロードロック室１０は大気圧のまま不活性ガス雰囲気に置換する。２段目のロードロック室１１は，ベーキングヒータ２０を有している。内壁に有機物５が付着した状態で減圧すると，内壁の有機物５が脱離し基板１を汚染するが，有機物５の付着していない２段目のロードロック室１１内で減圧することにより，基板１への有機物５の付着を防止する。 （もっと読む）

多数変数制御器を含む適応性実時間プロセスシステムが提供される。この方法は、単分子層プロセスシステムの動的モデルを生成し、この動的モデルに仮想センサを組み込む。この方法は、インテリジェント設定点、動的モデル、かつ／または仮想センサを含むプロセス・レシピを使用する。
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半導体デバイスの製造において使用される反射防止膜（ＡＲＣ）の層（２０１）。ＡＲＣ層は底部を有し、同底部は、底部上に配置されたＡＲＣ層の部分と比較して低いケイ素含有率を有する。ＡＲＣ層は金属層（１０７）上に形成される。ＡＲＣ層の比較的低いケイ素含有率は、金属層／ＡＲＣ層の界面における望ましくないシリサイドの形成を抑制する。ＡＲＣ層の頂部は、ＡＲＣ層の中間部と比較して低いケイ素含有率を有し、頂部の比較的低いケイ素含有率は、ＡＲＣ層上のフォトレジスト層の汚染を抑制し得る。ケイ素含有率は、蒸着工程中、ケイ素含有ガスの流量に対して窒素含有ガスの流量を減少、又は増大させることによって増大または減少させ得る。
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【課題】成膜後の加熱処理において腐食性ガスがほとんど発生することがないフルオロカーボン膜を形成可能であり、また半導体材料に対して高選択的かつ高エッチング速度で良好なパターン形状を形成可能なプラズマ反応用ガスを提供すること、及びこのプラズマ反応用ガスを用いる、フルオロカーボン膜の成膜方法、ドライエッチング方法、並びにドライエッチング工程、ＣＶＤ工程及びアッシング工程のいずれか少なくとも１つの工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】不飽和フッ素化炭素化合物からなり、塩素原子含有化合物量が１００重量ｐｐｍ以下であるプラズマ反応用ガス、このプラズマ反応用ガスを用いるＣＶＤ法によるフルオロカーボン膜の成膜方法及びドライエッチング方法、並びにこのプラズマ反応用ガスを用いる、ドライエッチング工程、ＣＶＤ工程及びアッシング工程のいずれか少なくとも１つの工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】保管時に爆発する危険性がなく、安定剤の存在なしで分解せず、かつルテニウム膜のようなルテニウムを含む膜の成膜に極めて有用な成膜用前駆体を提供する。
【解決手段】一般式Ｃ_xＨ_yＦ_zＯ（ただし、ｘ、ｙ、ｚは２ｘ＋２＝ｙ＋ｚ、ｘ＝２〜１５、ｚ＞ｙの関係を有する）にて表されるフッ素含有エーテルに四酸化ルテニウムを溶解した成膜用前駆体。 （もっと読む）

窒化シリコン層を形成する方法が記載されている。この発明によれば、窒化シリコン層を形成するために、低い堆積温度（例えば、５５０℃未満）でシリコン／窒素含有原料ガスまたはシリコン含有原料ガスおよび窒素含有原料ガスを熱分解することによって、窒化シリコン層が堆積される。熱的に堆積された窒化シリコン層は次いで、処理済み窒化シリコン層を形成するために水素基で処理される。
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【課題】高速動作可能で耐水性に優れ、信頼性に優れた半導体装置を得る。
【解決手段】配線となる第１の銅の導電層５を有する第１の絶縁層２０と、配線となる第３の銅の導電層１３を有する第３の絶縁層２２とが、第１の銅の導電層５と第３の銅の導電層１３を連通する第２の銅の導電層１０を有する第２の絶縁層２１を介して半導体基板１表面上に積層され、上記第１の絶縁層２０、第２の絶縁層２１および第３の絶縁層２２の少なくともいずれかが、無機または有機材料の分子中に、ボラジン骨格系構造を有する低誘電率材料を用いた絶縁材料からなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜原材料の利用効率を高めることで、高品質の薄膜を高い生産性で成膜する真空成膜装置を実現することを目的とする。
【解決手段】真空成膜チャンバ内に配置したリング状のハース３に収容した薄膜原材料４にエネルギービームを照射し、薄膜原材料４を加熱蒸発させることで基板上に薄膜を成膜する真空成膜装置において、前記ハース３における薄膜原材料４の形状として、エネルギービームが照射される箇所８を通り前記ハース３と同心の円上において薄膜原材料４の量が最大となる形状としたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性の高いシリコン酸化膜を形成できる。
【解決手段】 第１の反応室１では、オゾンと、アルキルシロキサン化合物５から放出したアルキルシロキサン化合物ガスとが効率的に混合され、第２の反応室２には、シリコン酸化膜を成膜したい基板６が載置され、基板６は第２のヒータ１１により加熱され、第１の反応室１と第２の反応室２は互いに断熱板３によって独立し、連結部となる孔４により連通している。
第１の反応室の混合ガスは、連結部４を通過して第２の反応室２に導入され、上記混合ガスは基板表面に吸着するとともに熱反応分解によって表面にＳｉＯ_２が形成される。 （もっと読む）