【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２１内に基板１６を搬入する工程と、前記処理室２１内に少なくともホウ素含有ガス３１ａを供給し、前記基板１６上にホウ素膜を形成するホウ素膜形成工程と、処理室内に少なくとも窒素含有ガス３１ｃを供給し、ホウ素膜形成工程で形成したホウ素膜を窒化する窒化処理工程とを有し、ホウ素膜形成工程と窒化処理工程とから構成される一連の処理工程を、２回以上繰り返すことにより、所定膜厚の窒化ホウ素膜を形成する。 （もっと読む）

反応器内部の露出面上の望ましくない成長または核生成を防止するために、混合ＳＡＭの形成に関する方法および構造が記載される。混合ＳＡＭ（３２２）は、核生成が望ましくない表面（３０８）上に、第１の長さ（３３４）の分子を有する第１のＳＡＭ前駆体、および第１の長さより短い第２の長さ（３３８）の分子を有する第２のＳＡＭ前駆体を導入することによって形成されることができる。提供できる合成ＳＡＭ（３２２）に覆われる露出面の例は、反応器表面ならびに絶縁体および誘電体層などの集積回路構造（８００）の選択表面を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法としてＡＬＤ法を用いる際に、良好な膜質、均一性を維持しつつ、成膜速度を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法を次のように構成する。すなわち、基板を収容した基板処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、前記原料ガス供給工程後に、基板処理室内の原料ガスを排気する原料ガス排気工程と、前記原料ガス排気工程後に、基板処理室内に、水素含有ガスとプラズマ励起された酸素含有ガスを供給する酸化ガス供給工程と、前記酸化ガス供給工程後に、基板処理室内の酸化ガスを排気する酸化ガス排気工程とを備え、前記原料ガス供給工程、前記原料ガス排気工程、前記酸化ガス供給工程、前記酸化ガス排気工程を少なくとも１回行うことにより、基板表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、炭化シリコン薄膜の機械強度を高め、膜の消失や剥離を防止する。
【解決手段】 ポーラスな誘電率低誘電率絶縁膜上に−ＣＨ_２−結合が環状になってＳｉと結合し且つ二重結合を含む官能基を有する原料を用いて炭化シリコン薄膜を形成する工程と、前記炭化シリコン薄膜を所定パターンにエッチングしてハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記低誘電率絶縁膜をエッチングして配線形成用溝或いはビアホールの少なくとも一方を形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】有機シリカ膜を成膜したのちのプラズマ反応室の内壁のクリーニング時間を短縮する。
【解決手段】まずプラズマ反応室内壁をプリコート膜で被覆する（プリコート工程）。次いで基板上に、シリコン炭素組成比（Ｃ／Ｓｉ）が１以上である有機シリカ膜を成長させる（基板処理工程）。次いで、基板を取り出した後、プラズマ反応室内壁に付着した有機シリカ膜とプリコート膜とをプラズマを用いて除去する（クリーニング工程）。プリコート膜としては、基板上に成膜された有機シリカ膜よりも少なくとも炭素含有率が低い有機シリカ膜である高酸素含有プリコート膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】疎水性基板上に良好な酸化膜を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】室温以上且つ水の沸点未満の第１の基板温度Ｔ１で、水の過飽和状態にした疎水性の基板１１の基板表面１１０上に下地酸化膜１２を原子層堆積法を用いて形成するステップと、第２の基板温度Ｔ２で、下地酸化膜１２上に上部酸化膜１３を原子層堆積法を用いて形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を高速駆動させること、又は半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】絶縁性を有する基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であり、前記ゲート絶縁膜を、高密度プラズマを用いた成膜処理により形成する。それにより、ゲート絶縁膜の未結合手を低減し、ゲート絶縁膜と酸化物半導体との界面を良質化する。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法を説明する。この方法は、無炭素ケイ素含有前駆体を活性窒素および／または水素前駆体と混合するステップと、ケイ素窒素水素含有層を基板上に堆積するステップを含みうる。次に、ケイ素窒素水素含有層をケイ素酸素含有層に変換することが、オゾン含有雰囲気中で低温アニール（「硬化」）によって開始される。このオゾン含有雰囲気中でのケイ素窒素含有膜の酸化ケイ素への変換は不完全でもよく、酸素含有環境中でより高温のアニールによって増大させることができる。
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【課題】低誘電率膜に対するＵＶキュア処理による低誘電率膜の下で且つ配線の上に形成されるライナ膜とその下層の膜との間の界面剥離を、ＵＶブロッキング膜を用いずに防ぐことにより、高歩留まりの配線構造を有する信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】基板の上に、第１の絶縁膜１１を形成し、形成した第１の絶縁膜１１の上部に第１の金属配線１２を形成し、第１の絶縁膜１１の上に、第１の金属配線１２を覆うように第２の絶縁膜１３を形成し、第２の絶縁膜１３に対して膜質の改質処理を行う。その後に、第２の絶縁膜１３の上に第３の絶縁膜１４を形成し、形成した第３の絶縁膜１４に対してキュア処理を行う。 （もっと読む）

【課題】電極とキャパシタ用絶縁膜（金属酸化膜）との間に発生する気泡状の剥がれの発生を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基体上にソースガスを供給Ｓ１して、ＡＬＤ法により金属窒化膜を３ｎｍ以下の膜厚で堆積Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４し、金属窒化膜を酸化Ｓ５，Ｓ６して金属酸化膜を形成する工程を複数回繰り返して、基体上に、金属酸化膜からなる積層膜を形成する。これにより電極とキャパシタ用絶縁膜（金属酸化膜）との間に発生する気泡状の剥がれを防止することができる。 （もっと読む）

基板上にホウ素含有ライナ層を堆積させる方法は、２重層を形成することを伴い、２重層は、２重層から下にある基板内へホウ素が拡散するのを抑制するために障壁材料を含む開始層を含む。
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【課題】実効誘電率を低減させて、高速かつ消費電力の低い半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。第二のバリア絶縁膜４は、炭素二重結合、アモルファスカーボン構造及び窒素を含む有機シリカ膜である。 （もっと読む）

本発明は、混合金属酸化物、ＳｒＭ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３に関し、ｘは０<ｘ<１でありＭはＨｆ又はＺｒであり、例えばストロンチウム−ハフニウム−チタニウム酸化物、ストロンチウムジルコニウム−チタニウム酸化物である。また本発明は、前記混合金属酸化物を含む機能装置に関する。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に基板２００を搬入する工程と、処理室２０１内に処理ガス２３２ａ，ｂを供給して基板２００上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室２０１内から搬出する工程と、処理室２０１内にボロンを含むハロゲン系ガス２３２ｃを供給して処理室２０１内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室２０１内をクリーニングする工程と、処理室２０１内に酸素系ガス２３２ｄを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 （もっと読む）

プラズマ反応処理を用いたフルオロカーボン層の形成方法は、マイクロ波出力及びRFバイアスを印加する工程を有する。前記マイクロ波出力及びRFバイアスは、20mTorr〜60mTorrの範囲の圧力下で印加される。
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半導体デバイスの製造方法は、絶縁性層をアニーリングする工程と、金属元素を含んだ障壁層を前記絶縁性層上に形成する工程とを含んでいる。前記絶縁性層は、フッ化炭素（ＣＦｘ）膜を含んでいる。前記障壁層は、前記アニーリング工程後に、高温スパッタリングプロセスによって形成される。
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【課題】多孔質絶縁膜における空孔の径を小さくすることができ、かつ多孔質絶縁膜の強度を高くすることができる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサンを骨格とし側鎖に少なくとも一つの揮発性炭化水素基が結合した環状シロキサン化合物と、シリコン含有化合物とを、プラズマ中に導入し、基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜にエネルギーを加えることにより、絶縁膜を多孔質絶縁膜にする工程とを備える。シリコン含有化合物は、環状シロキサン化合物の骨格、揮発性炭化水素基、及び環状シロキサン化合物と揮発性炭化水素基の結合より低エネルギーで分解する。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の形成に自由度をもたせる。低温で窒素成分を低減または含まない酸化膜を形成する。バッチ方式の成長装置にて低温で厚い酸化膜膜を形成する。
【解決手段】アルキル基或いはアルコキシ基を含むシリコン系のガス又はシロキサンガス又はシラザンガスと、前記ガスを酸化させる酸化剤とを、減圧状態で５００℃以下の温度下で反応させる。前記ガスに対して、シランガス、ジシランガス、リン系ガス、又は、ボロン系ガスを添加剤として反応させる。 （もっと読む）

ビスアミノシラシクロブタンと、窒素供給ガス、酸素供給ガスおよびこれらの混合物から選択した原料ガスとの反応ガス混合物の熱重合によるシリコン含有薄膜の生成方法。堆積膜は窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、二酸化ケイ素または炭素ドープ二酸化ケイ素であってもよい。これら膜は、半導体デバイスにおける誘電体、不動態化膜、バリア膜、スペーサ、ライナおよび／またはストレッサとして有用である。
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