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Fターム[5F061CA04]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆の形成 (9,309) | 封止方法、装置(付属装置を含む) (2,139) | ポッティング(上記方法を除く) (495)

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【課題】製品歩留まりを向上させることが可能な半導体素子の切り出し方法を提供する。
【解決手段】半導体素子2が所定の幅を有する間隙部を介してマトリクス状に複数形成されてなる半導体ウエハWを切断して前記半導体素子を複数得る半導体素子の製造方法であって、前記間隙部に、前記所定の幅以下の厚さを有する第1の切断刃14で切り込み溝16を形成する切り込み溝形成工程と、前記切り込み溝に樹脂20を充填して硬化させる樹脂充填工程と、該樹脂充填工程で硬化した前記樹脂を、前記第1の切断刃よりも薄い第2の切断刃22で前記切り込み溝が延在する方向に沿って切断することによって、前記樹脂からなる外形保護樹脂層4を前記半導体素子の各切断面に均一な厚さで形成する外形保護樹脂層形成工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 基板2に装着した複数個の半導体チップ3を各別に個々のパッケージ5内に樹脂封止成形(片面モールド)するときに発生する樹脂成形上の問題(パッケージの欠け、樹脂の早期熱硬化、樹脂の付着)を解決する。
【解決手段】 予め、前記した各半導体チップ3にデイスペンサー8から所要の樹脂量の液状樹脂9を各別に滴下して下型7の所定位置に前記した樹脂滴下基板2を供給セットすると共に、上下両型6・7を型締めすることにより、離型フィルム11を被覆させた上型キャビティ10内に前記した樹脂滴下半導体チップ3を嵌装し、次に、前記したキャビティ10天面に設けた押圧部材12にて前記したキャビティ10内の樹脂9を前記した離型フィルム11を介して押圧することにより、前記した各半導体チップ3を前記した上型キャビティ10の形状に対応した個々のパッケージ5内に各別に封止成形する。 (もっと読む)


【課題】アンダーフィル樹脂の封入のために配線基板に必要なエリアが小さくて済み、電子部品の高密度実装が可能な、電子部品を搭載した配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの主面11aに電子部品12が搭載された配線基板11を、配線基板11の主面11aが台座10に対して直角となるように、台座上10sに配置して、電子部品12と台座10との間に隙間16を形成する。次に、隙間16から液状樹脂3aを流し込み、毛細管現象により、配線基板11と電子部品12との間に液状樹脂を封入する。次に、配線基板11と電子部品12との間に封入された液状樹脂13aを硬化させて、配線基板11に電子部品12を固定する。 (もっと読む)


【課題】ゾル・ゲル法で作製するガラスは、作製時は低温で作製でき、作製後は融点の高い通常のSiO2とほぼ同じ特性を示す。従って、硬く耐湿性、防水性、耐熱性に優れており、例えば半導体発光装置の封止材としては好適である。しかし、珪素の金属アルコキシドであるテトラエトキシシラン(Si(OC2H5)4)を出発材料としてガラスを作製すると、Siの反応部分が4箇所あるため、完成後の体積収縮があり、厚く作ると内部応力が大きくクラックなどの原因にもなった。
【解決手段】出発材料として一般式(Si(X)nR4-n[n=1〜3])で表される化合物を用い、脱水縮合反応での作製過程の反応箇所を4未満とすることで、完成後の体積収縮率を小さくする。またこのガラスを半導体発光装置の封止材として用いる。 (もっと読む)


【課題】低コストのプロセスによって適正な表面改質効果を得ることができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ポリイミドなどの樹脂の絶縁膜が形成された基板にバンプ付きの半導体チップを実装した実装体4を処理対象物として、基板と半導体チップとの間の実装隙間を充填する封止樹脂との密着性向上を目的として行われる表面改質処理において、実装体4を表面改質装置5の減圧された処理室7内に収容し、原子状水素発生装置20によって水素ガスから発生された原子状水素を実装隙間内の絶縁膜の樹脂表面に接触させる。そして原子状水素の活性作用によって樹脂表面の化学結合を切断して、樹脂表面にカルボニル基などの親水性の反応基を生成させ、濡れ性を向上させる。これにより、プラズマ処理による従来の表面改質と比較して、低コストのプロセスによって適正な表面改質効果を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】コストアップを招くことなく、アンダーフィル剤の充填状態を容易に確認でき、充分な接着強度が得られる半田接合部品実装構造を提供する。
【解決手段】半田接合部品11を回路基板1に半田付けするとともに、半田接合部品11と回路基板1との間にアンダーフィル剤21を充填・硬化させて半田接合部品11を回路基板1に固着して実装する半田接合部品実装構造において、回路基板1の半田接合部品実装領域に形成された貫通孔5と、貫通孔5に挿入されてアンダーフィル剤21に接合固定されたピン6と、を有する。 (もっと読む)


【課題】第1半導体チップと第2半導体チップの間に樹脂を充填した後、はみだした樹脂を効率的に除去することで第2実装を問題なく行えるようにする。
【解決手段】1つないし複数の第2半導体チップ12からなる第2半導体ウェハ20の表面上に、それぞれの第2半導体チップ12に対応して第1半導体チップ11をフリップチップによりそれぞれ接合して第1接合部C1を形成する。第2半導体ウェハ20表面上に樹脂13aを供給して当該樹脂13aを第1半導体チップ11と第2半導体チップ12の間に充填する。第1半導体チップ11と第2半導体チップ12の間以外の樹脂を除去する。第2半導体ウェハ20を予め定められた切断ライン25に沿って切断する。 (もっと読む)


【課題】樹脂バリを抑制して良好な電気接続性及び接合強度を有する半導体装置とその製造方法を提供する。シリコーン樹脂と配線リードとの密着性を向上させ、良好な発光特性のLED装置とその製造方法を提供する。比較的短波長領域の発光を行う場合でも、十分な反射率を備え、優れた発光効率のLED装置とその製造方法を提供する。良好な製造効率を維持しつつ、Snメッキ工程時の配線パターン層の損傷を回避して、優れたSnメッキ層を形成し、良好な機械的強度、接合性を呈するフィルムキャリアテープとその製造方法を提供する。
【解決手段】QFP10のアウターリード301a境界領域における表面に、機能性有機分子11の自己組織化によって形成された有機被膜110を形成する。機能性有機分子11は金属結合性の第一官能基、主鎖部、熱硬化性樹脂の硬化作用を呈する第二官能基で構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱硬化性樹脂による接着と導電性金属接着剤による接着の両立が図れて製造工程を単純化することができる角速度センサの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】シート基板に第1、第2の振動素子およびICをそれぞれ熱硬化性樹脂を介在させて配置するとともに、前記シート基板上の所定の電極とチップ部品との電気的接続を行わせるために導電性金属接着剤を介在させてチップ部品を前記シート基板に配置する部品配置工程と、所定温度の環境下で前記熱硬化性樹脂を熱硬化させる熱硬化工程と、前記熱硬化工程の後、この熱硬化工程と連続して熱硬化工程より高い温度で前記導電性金属接着剤を溶融させるリフロー工程とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと該半導体チップが実装される基板との間に充填されるアンダーフィル材料であって、ボイドの検出が容易となるアンダーフィル材料を提供する。
【解決手段】半導体チップと該半導体チップが実装される基板との間に充填されるアンダーフィル材料であって、硬化性樹脂材料と、前記硬化性樹脂材料に添加された、X線遮蔽率が高い金属粒子と、を有し、前記金属粒子の表面が非導電性材料で被覆されていることを特徴とするアンダーフィル材料。 (もっと読む)


【課題】光学装置においては、装置の小型化および薄型化だけでなく、光の感度向上が要求されている。
【解決手段】撮像装置1は、基板11と、基板11の上面の中央に実装された撮像素子21と、撮像素子21の上に接着して設けられた透光性部材27と、基板11の上面の周縁に設けられ、撮像素子21と電気的に接続されている複数の第1端子部13,13,…と、基板の上面に設けられ光学素子21を封止する封止部29とを備えている。封止部29は、透光性部材27の上面27aよりも下方に位置している。透光性部材27の上面27aは封止部29から露出している一方、透光性部材27の側面は封止部29に封止されている。 (もっと読む)


【課題】 機能部の機能を損なうことなく機能素子の樹脂封止を実現し得る機能素子実装モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 機能部1aを有する機能素子1が実装された基板2に対して、機能素子1の機能部1aに対応して開口部3aが設けられた樹脂封止プレート3を所定の間隔をもって対向配置し、基板2と樹脂封止プレート3の間隙に毛細管現象を利用して封止樹脂5を浸透充填する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを積層してなる半導体装置において、側面からの光の入射を有効に遮ることのできる構造の半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、貫通電極を有する複数の半導体チップを積層してなる半導体装置において、前記半導体チップの各々が、半導体基板と;前記半導体基板の上に形成された配線層と;前記配線層を封止するとともに当該半導体チップの側面を覆う不透明の樹脂層と;前記貫通電極から当該半導体チップの厚み方向に延びて前記樹脂層の表面に露出する導電体突起とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の充填孔からアンダーフィル材を充填する利便性を有し、且つ、機械的強度及び放熱性を向上させるパッケージ基板を提供する。
【解決手段】半導体チップ10と、表面に設けられた配線パターン22に半導体チップ10が実装され、半導体チップ10を実装した裏面に補強板24が配置され、半導体チップ10を実装した一部に充填孔26を有するプリント配線板20と、半導体チップ10とプリント配線板20の間に充填されたアンダーフィル材30と、充填孔26に充填された補強充填材34とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージのボール面側に露出したモールド樹脂とアンダーフィル樹脂との接着性を改善して、両者の界面での剥離を防止することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ワックス又は脂肪酸が含まれたモールド樹脂がボール面側に露出した半導体パッケージのボール面をArプラズマによりスパッタするスパッタ工程と、スパッタ工程の後に、半導体パッケージを配線基板上にフリップチップ接合する工程と、半導体パッケージと配線基板の間にアンダーフィル樹脂を充填する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを回路基板に接着するための接着剤とモールド樹脂との間の界面にできるマイクロクラックに起因する剥離を抑える。
【解決手段】接着剤13を塗布する接着剤塗布工程と、接着剤13を回路基板11に塗布する接着剤塗布工程と、半導体チップ12を回路基板11に載置するマウント工程と、
接着剤13を加熱硬化させるキュア工程と、半導体チップ12を樹脂封止する樹脂封止工程とを含む、半導体チップ12が接着剤13により回路基板11に搭載されてなる半導体装置1の製造方法において、キュア工程以後かつ樹脂封止工程よりも前に、半導体装置1を前記樹脂封止工程における温度より高い温度に加熱する加熱工程を含むようにし、例えばキュア工程を上記加熱工程とする。また樹脂封止工程における温度が175℃以下である場合において、上記加熱工程における温度を180℃以上とする。 (もっと読む)


【課題】電子部品へ塗布される封止樹脂の中に気泡が発生するのを防止可能な構成を備えるとともに、基板の適切な搬送距離を設定可能な構成を備える樹脂塗布システムを提供すること。
【解決手段】樹脂塗布システム1は、基板2に実装された電子部品に封止樹脂を塗布する樹脂塗布装置4と、封止樹脂を硬化させる樹脂硬化装置5と、樹脂塗布装置4に基板2を供給する基板供給装置6と、封止樹脂が塗布される前の基板2を乾燥させるとともに、モジュールとして樹脂塗布システム1から分離可能な基板乾燥装置8とを備えている。この樹脂塗布システム1では、基板供給装置6と基板乾燥装置8と樹脂塗布装置4とはこの順番で隣接配置が可能に構成されるとともに、基板供給装置6と樹脂塗布装置4との隣接配置も可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】 従来のプリント回路基板の製造工程を大幅に変更することなくコーティングされた樹脂の表面積を効率よく大きくすることで放熱性能を高める。
【解決手段】
少なくとも1つの電極12を表面に有するプリント配線板1の電極近傍に第1のニードル41aによりアンダーフィル樹脂2を塗布し、電極12の上部の少なくとも一部の上にはんだバンプ33を介し回路部品3を実装する。実装された回路部品3の表面に第1のニードル41aによりアンダーフィル樹脂2を塗布する。塗布されたアンダーフィル樹脂2の表面に第2のニードル41bによりエアー22を放射させ複数の孔部2aを形成する。
そしてプリント配線板1をリフロー加熱することで、はんだバンプ33の接合と、アンダーフィル樹脂2の樹脂封止とを一括して行う。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と基板との接合部分(半導体素子と基板との隙間)に充填する際のアンダーフィル剤の流動性を損なうことがなく、かつ、エックス線を用いたアンダーフィル剤の充填状況の検査の信頼性を向上することが可能な半導体装置の検査方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール1におけるBGAパッケージ3と基板2との隙間にボール状はんだ4・4・・・を配置してBGAパッケージ3を基板2に接合するとともに、前記隙間に少なくとも有機酸または有機ハロゲンのいずれかを含む添加剤を添加したアンダーフィル剤11を充填する。 (もっと読む)


【課題】 製品の冷熱サイクル試験などにおける信頼性が向上するとともに工数を増加させることなくアンダーフィルの充填を確実に行える電子部品装置を提供する。
【解決手段】 複数のバンプ8を有するエリアアレイ7と、エリアアレイ7を載置する絶縁基板1と、絶縁基板1の外層おいて各バンプ8に対応して行及び列方向に配置され、各バンプ8に接続された複数の導体ランド4と、各導体ランド4を取り囲み、隙間を設けた絶縁層6と、絶縁基板1の内層側に設けられた導体パターンと、絶縁基板1の外層に設けられた接続端子と、導体ランド4と導体パターンとを、かつ、導体パターンと接続端子とをそれぞれ絶縁基板1のビアホール5を介して電気的に接続した接続手段と、絶縁層6の隙間に注入して設けられた充填材10とを備えるようにした。 (もっと読む)


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