【課題】
アンダーフィル硬化時の薄膜樹脂基板の反りを防ぐことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
薄膜樹脂基板と、当該薄膜樹脂基板上に導電性接続部を介して実装されている半導体チップと、当該半導体チップとは第一の接着部を介して、当該薄膜樹脂基板とは第二の接着部を介して接着されている支持板を具備し、前記導電性接続部はアンダーフィル樹脂で封止されている半導体装置であって、前記支持板がアンダーフィル樹脂充填用貫通孔を有することを特徴とする半導体装置およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィルにより樹脂封止された半導体チップを、樹脂残渣少なく且つ基板表面を傷つけることなく配線基板から取り外すことができるようにする。
【解決手段】 加熱して封止樹脂９の密着強度を低下させた状態で剥離用プレート１２を、配線基板１０と半導体チップ1との隙間に挿入して〔（ｂ）図〕、封止樹脂９を配線基板10から剥離し、半導体チップ1を取り除く〔（ｃ）図〕。剥離用プレートを半導体デバイスと配線基板との隙間に挿入する際の封止樹脂９の密着強度は３．４３Ｎ／ｍｍ^２以下となるようにすることが望ましい。また、封止樹脂にはシロキサン骨格を有する多層構造の粒子が添加されていることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】光検出器およびＬＥＤを備えた光カプラの品質を向上させる製造方法およびそのような光カプラを提供する。
【解決手段】光カプラをダブルモールドにより製造する。光検出器を含む第１のサブアセンブリを形成したら、これを一次成型材料でモールドし、第１のサブアセンブリ成型品とする。この第１のサブアセンブリ成型品に光源を取り付けた第２のサブアセンブリを二次成型材料でモールドし、アセンブリ最終製品を形成する。一次成型材料は透明材料、二次成型材料は不透明材料が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 溝や枠、あるいは表面処理領域のようなアンダーフィル材流出の物理的な抑制手段を用いる必要なしに、実装密度の更なる向上を可能にする、アンダーフィル材を用いて電子部品を搭載した基板と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明による基板は、基板本体３と基板本体３に電気的に接続して実装された電子部品５を含み、基板本体３と電子部品５の基板本体と電気的に接続する面との間にアンダーフィル材１９が充填されている基板１であって、当該電子部品５と基板本体３との接続領域から外側に流出してできたアンダーフィル材の層１９ａを貫通して、別の部品との電気的接続用の孔２１が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

電子モジュール導体をシールするための方法および装置が設けられる。電子モジュールは、一般に、電子部品を有する電子回路基板（「ＰＣＢ」）と、一体ハウジング／コネクタアセンブリと、ワイヤまたは端子ピンなどの導体と、実装機能とからなる。電子モジュール導体をシールするための方法であって、ＰＣＢの第１および第２の側面上に位置される導体の周囲のシール特性を改善する方法が提供される。
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【課題】回路基板上にフリップチップ接続した半導体素子を樹脂封止するにあたって、封止樹脂と半導体素子との界面からの剥離を抑制する。
【解決手段】半導体素子１の裏面１ｂにレーザ光を照射し、表面改質層としてアモルファス構造の層を形成する。このような半導体素子１を回路基板５上にフリップチップ接続する。あるいは、半導体素子を回路基板５にフリップチップ接続した後に、半導体素子の裏面にレーザ光を照射して表面改質層を形成する。表面改質層を有する半導体素子１の裏面１ｂと封止樹脂７とを接触させつつ、封止樹脂７で半導体素子１を封止する。 （もっと読む）

【課題】製造時における熱ストレスの印加等によって基板の反りや物性の異なる部品間に歪みが生じるのを抑制でき、各部品の接合部への応力を分散し低減することができるとともに、半導体素子の高発熱化に対応できること。
【解決手段】ＬＳＩ素子１１と、当該素子１１が実装されたパッケージ基板１２と、当該素子１１に接合されるとともに、当該素子１１の周囲にパッケージ空間２３を形成しつつ上記基板１２にスティフナ１５を介して接合され上記素子１１を封止する放熱部材１７とを備えた半導体装置１０であって、放熱部材１７の側面部には、上記空間２３に連通し当該空間２３に熱硬化性樹脂１９を充填するための樹脂充填口２０を備え、放熱部材１７の接合後に当該樹脂１９が当該空間２３に隙間なく充填され硬化してなる。 （もっと読む）

【課題】短時間で、樹脂塗布前に基板吸着水分を除去する方法を提供する。
【解決手段】（４）の工程でプラズマ印加を行い、基板に形成された金属電極の表面をクリーニングする。（５）の工程でプラズマクリーニング後、大気開放を開始するまでの時間を設定することで基板をプラズマ印加しない状態で真空雰囲気に放置して基板吸着水分を除去する（水分除去工程）。このとき、チャンバー内の温度が５０℃から８０℃に上がっていため、アンダーフィル樹脂塗布前に従来必要とされたの専用の水分除去工程を省いても、短時間で基板吸着水分を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に複数の電子部品が実装され、電子部品の実装領域が封止樹脂で覆われている電子部品実装体の製造方法において、電子部品の近傍の封止樹脂内に小さな気泡が入り込むことを防止する。
【解決手段】封止樹脂を形成する前に、複数の電子部品１２，１４，１５の近傍に複数のノズル３３ａ，３３ｂを用いてアンダーフィル樹脂１６ａを同時に塗布した後（Ｂ）、硬化させて電子部品１２，１４，１５の周囲にテーパ形状構造物１６を形成する（Ｃ）。 （もっと読む）

【課題】
テープに接合された半導体素子に塗布された封止樹脂を加熱硬化するにあたり、半導体素子が静電気により破損することを防止すること。
【解決手段】
半導体素子が接合されたテープに塗布された封止樹脂を加熱硬化させる樹脂硬化装置であって、テープはテープ案内に案内され、テープ入口から入りテープ出口から出る間に、炉内に設けられた加熱装置により、封止樹脂は加熱硬化される。テープは、炉内を移動することにより、炉内ガスや、テープ案内等と接触して摩擦帯電する。炉外に設置した除電装置で発生させたイオン気体を配管で炉内に導き、テープに帯電した電荷をイオン気体で除電する。また、テープの両端部には、設置配線を設けて、帯電した電荷の電位の急激な変化をなくする。 （もっと読む）

【課題】
テープに接合された半導体素子に塗布された封止樹脂を加熱硬化するにあたり、樹脂硬化装置内に受電装置を設けないで、半導体素子が静電気により破損することを防止すること。
【解決手段】
半導体素子が接合された後に、封止樹脂が塗布されたテープをテープ案内で案内しながら加熱して封止樹脂を硬化させる樹脂硬化装置と、樹脂塗布装置で封止樹脂が塗布されて樹脂硬化装置で硬化された半導体素子実装部品である。テープ案内は、テープ案内の継ぎ目の近傍に第2のテープ支持部を配設することにより、テープ案内の継ぎ目においても、テープがテープ案内より離間することを防止できる構造となる。また、半導体素子実装部品は、半導体素子がテープに接合された後に樹脂封止されたもので、そのテープの少なくとも１面は、テープ送り方向に連続した接地電極が延在している。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも１種類以上の材料特性をもつアンダーフィルを使用し、機器の性能を向上させるアンダーフィルの利用方法を提供する。
【解決手段】
異なる基板間にアンダーフィル材料を注入して、前記アンダーフィル材料の比誘電率または比透磁率を調整して、前記基板の有する接続端子と金属導体パターンに発生するノイズの周波数帯域の利得を減衰することを特徴とするアンダーフィルの塗布方法である。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で部品点数が少なく、設置面積を小さくできて電子機器の小型化が図れる電子部品の封止構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブル回路基板１０上に取り付けた発光素子（電子部品）２０−１，２，３を封止樹脂３０−１，２，３によって封止する封止構造である。封止樹脂３０−１，２，３はその外周側面３１が成形面である。外周側面３１は、フレキシブル回路基板１０の表面に対してほぼ垂直な面である。発光素子２０−１，２，３は複数個並列に設置され、さらに各発光素子２０−１，２，３を封止する封止樹脂３０−１，２，３間には封止樹脂３０−１，２，３間を仕切る遮蔽板挿入溝３５が形成されている （もっと読む）

【課題】 本発明は、歩留まりの低下を抑制しながら半導体装置を薄厚化することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 回路パターンが主面に形成されたチップ形成用ウエーハと、チップを搭載するための配線パターンが実装面に形成された基板形成用ウエーハとを、主面と実装面とが対向するように配置し実装するステップと、チップ形成用ウエーハの非主面側を所定量除去することにより、チップ形成用ウエーハの厚さを薄くするステップと、チップ形成用ウエーハ及び基板形成用ウエーハをチップ及び基板に個片化するステップとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄片化したチップの機械的強度を向上させたメモリモジュールを提供する。
【解決手段】 情報を格納するためのメモリコアチップ１０ａ〜１０ｄと、データの入出力を制御するインターフェースチップ３０と、外部との間でデータを送受信するインターポーザチップ４０と、インターポーザチップの最近傍に設けられた外部接続用端子４６とを有するメモリモジュールにおいて、インターフェースチップ３０の最近傍に放熱板２０が設けられ、インターポーザチップ４０は、メモリコアチップと同質の半導体材料を基板とし、一方の面に外部接続用端子を保持するためのランド４１、外部用接続端子に接続された配線４４、および配線を絶縁するための絶縁膜が一体形成されている構成である。 （もっと読む）

【課題】 動作保証が求められる高限の温度においてアンダーフィル樹脂の弾性率を確保することができ、かつアンダーフィル樹脂を硬化させた後に低温へ変化させた場合の半導体チップにかかる内部応力を小さくすることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 回路基板上にバンプを介して半導体チップをフリップチップ接続する工程と、回路基板と半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を設ける工程と、熱処理によりアンダーフィル樹脂を硬化させる工程とを有し、アンダーフィル樹脂として、動作保証が求められる高限の温度Ｔに対してガラス転位温度が、Ｔ−２５℃以上、Ｔ−５℃以下のものを用い、アンダーフィル樹脂を硬化させる工程において、Ｔ−１０℃以上、Ｔ＋１０℃以下の温度で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】チップ実装に失敗しても、加熱によりチップを取り外し、再利用することが可能であるようなアンダーフィル材を提供する。
【解決手段】基板と、当該基板上に配置されたチップ、及びこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備え、当該アンダーフィルの損失弾性率が、１２５℃で１００ＭＰａ以上、１７５℃で８０ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 常に所望量に近い吐出量が得られるようにした液材吐出装置を提供する。
【解決手段】 液材吐出装置は、シリンダ１１１内に供給された液材１１６をプランジャ１１４の移動により吐出するポンプと、該プランジャを駆動するアクチュエータ１１５と、該ポンプからの吐出路を開閉するバルブ１１７と、該バルブが開いた状態でプランジャが所定量移動するようにアクチュエータの駆動を制御する吐出制御を行う制御手段１５０とを有する。制御手段は、該バルブを閉じた状態でポンプからバルブまでの液材の圧力を所定圧に調節するようアクチュエータを駆動する加圧制御を行い、該圧力が該所定圧に達した状態から上記吐出制御を行う。
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【課題】 レジンに要求される複数の機能を同時に満足する封止技術を提供することにある。
【解決手段】 配線基板１ａ上には、接着剤３を介して半導体チップ２を搭載されている。そして、半導体チップ２のボンディングパッドと配線基板１ａのボンディングパッド４とはボンディングワイヤ６を用いて接続されている。半導体チップ２およびボンディングワイヤ６を覆うようにレジン７が形成され、このレジン７上および配線基板１ａ上に、レジン７とは異なる種類のレジン８を形成する。レジン７は、ボンディングワイヤ６の変形を防止する機能、半導体チップ２とボンディングワイヤ６との接続部における腐食を防止する機能を有する一方、レジン８は配線基板１ａの反りを防止する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に電子部品、とくにチップを実装するに際し、両者の間隙にアンダーフィル剤としての樹脂を充填するに際し、樹脂を十分に行き渡らせることができ、ボイド等の発生を抑えて樹脂の充填率を高めるとともに充填した樹脂に十分に高い剥離強度を持たせ、とくにパッケージの小型化にも十分に対応できる実装方法を提供する。
【解決手段】基板に電子部品を実装するに際し、基板と電子部品との間の間隙にアンダーフィル剤としての樹脂を充填するに際し、電子部品に、その厚み方向に貫通するスルーホールを形成し、スルーホールを通して樹脂を充填することを特徴とする実装方法。 （もっと読む）