【課題】スプリットゲート構造の不揮発性メモリセルを有する半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板１のメモリセル領域に形成された選択ゲート電極ＣＧの上部に酸化シリコン膜２４および窒化シリコン膜２５を形成した後、メモリマットのゲート長方向の最も外側（ダミーセル領域）に位置する選択ゲート電極ＣＧの上部の酸化シリコン膜２４および窒化シリコン膜２５を除去することにより、メモリマットの端部を覆う下層レジスト膜１２の段差をなだらかにし、下層レジスト膜１２の上に形成されるレジスト中間層１３の厚さの均一性を向上させ、局所的な薄膜化または消失を防止する。 （もっと読む）

【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカ
ードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供
することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装
置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるＴＦＴのソ
ース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導
電層とする。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高いオン電流を得ることができるトランジスタを用いた、半導体装置。
【解決手段】トランジスタが、絶縁表面上の一対の第１導電膜と、一対の第１導電膜上の半導体膜と、一対の第１導電膜にそれぞれ接続されている一対の第２導電膜と、半導体膜上の絶縁膜と、絶縁膜上において、半導体膜と重なる位置に設けられた第３導電膜とを有する。また、半導体膜上における第３導電膜の端部と、一対の第２導電膜が設けられた領域とは、離隔している。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース／ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース／ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの端部と、ゲート電極層４０１の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層４０３のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層４０１を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層４９１中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層４８１ａ，４８１ｂと、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層４０２のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層４０３を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 （もっと読む）

【課題】配線電極間の双方向の電流値、書き込み及び消去の電圧値、および記憶保持時間が制御容易なメモリ装置を提供する。
【解決手段】微結晶である第１の導電性微粒子を含む微結晶層２２と、微結晶層２２を挟むトンネル絶縁膜２１、２３とを有する第１の二重トンネル接合構造と、微結晶である第２の導電性微粒子を含む微結晶層２６と、微結晶層２６を挟むトンネル絶縁膜２５、２７とを有する第２の二重トンネル接合構造と、第１の二重トンネル接合構造と第２の二重トンネル接合構造との間に配置され、情報電荷を蓄積する電荷蓄積層と、第１の二重トンネル接合構造、電荷蓄積層、及び第２の二重トンネル接合構造を挟む第１、第２の導電層とを備える。第１の導電性微粒子の平均粒径は、第２の導電性微粒子の平均粒径と異なっている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】誤書き込み、及び誤動作を防止し、高信頼化、及び高密度化が可能な抵抗変化素子の提供。
【解決手段】第一の電極（２０１）と、抵抗変化膜（２０２）と、第二の電極（２０３）と、中間絶縁膜（２０４）と、制御電極（２０５）と、をこの順に積層した積層構造を備え、前記抵抗変化層（２０２）と前記中間絶縁膜（２０４）が直接接していない。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の変化によって高い信頼性で情報を記憶する積層型の不揮発性記録装置を実現する。
【解決手段】基板の主面に沿うように延在する第１配線と、前記第１配線の上方に設けられる積層体と、前記積層体の上方に形成される第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との交点に設けられ、電流を前記基板の主面に対して垂直方向に流す選択素子と、前記積層体の側面に沿って設けられる第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜に沿って設けられるチャネル層と、前記チャネル層に沿って設けられる接着層と、前記接着層に沿って設けられる抵抗変化材料層とを有し、前記第１配線および前記第２配線は、前記選択素子および前記チャネル層を介して電気的に接続されており、前記チャネル層と前記抵抗変化材料層との間の前記接着層を介した接触抵抗は低く、前記チャネル層の延在方向について前記接着層の抵抗が高く形成された不揮発性記録装置。 （もっと読む）

【課題】電流―電圧特性の向上およびオン電流を増大することが可能で、高速動作に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の主面に形成され、第1の方向に延在する複数の活性領域と、活性領域を区画する素子分離領域と、半導体基板１２の主面に形成されたものであって、平面視して複数の活性領域に交差する方向に延在する複数のゲート溝と、ゲート溝のそれぞれに埋め込まれた複数のゲート電極２２と、を備えた半導体装置であって、ゲート溝のそれぞれの底面には、第１の方向に延在すると共に、上面７１ａが半導体基板１２の主面よりも低い位置に配置する一対の突起部７１が形成されており、ゲート電極２２は、ゲート絶縁膜２１を介して突起部７１の上面７１ａと内側面７１ｂと外側面７１ｃとを覆ってなる、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】注入した導電性不純物により形成される結晶欠陥の密度を低減し、歩留まり率が向上するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板を加熱することにより、半導体基板の基板温度を２００から５００℃の間の所望の温度に維持すると同時に、半導体基板に導電性不純物をイオン注入法もしくはプラズマドーピング法を用いてドーピングし、ドーピングした導電性不純物を活性化させるための活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成されたプレーナ型トランジスタと３次元トランジスタを含む半導体装置の形成プロセスを簡略化できるようにする。
【解決手段】半導体基板に形成されたプレーナ型トランジスタと３次元トランジスタを含む半導体装置であり、前記プレーナ型トランジスタ、前記３次元トランジスタはともに高誘電率材料によるゲート絶縁膜を有し、前記プレーナ型トランジスタは、前記ゲート絶縁膜上に、下側が第１のメタル材料（Ａ）、上側が第２のメタル材料（Ｂ）からなるゲート電極を有し、前記３次元トランジスタは埋め込みゲート電極を有し、該埋め込みゲート電極の下側のほうに前記第１のメタル材料（Ａ）と同一の材料が、該埋め込みゲート電極の上側のほうに前記第２のメタル材料（Ｂ）と同一の材料がそれぞれ使用されている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体記憶装置の動作電力を低減する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、ＴｉＮ層からなる上部電極ＴＥ及びバリアメタルＢＭ１，ＢＭ２と、金属酸化物ＨｆＯｘ層を有する可変抵抗素子ＶＲと、ポリシリコン層及びポリシリコン層と金属酸化物ＨｆＯｘ層との界面に形成されたＳｉＧｅ層を有する下部電極ＢＥと、バリアメタルＢＭ１と、ＮＩＰ層からなるバイポーラ型の電流整流素子Ｄｉとを直列接続したメモリセルＭＣを備える。 （もっと読む）

【課題】メモリセルアレイの加工マージンを向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上に、第１方向に延びる第１配線となる膜、第１非オーミック素子となる膜及び金属材料からなる第１可変抵抗素子となる膜を順次積層し、第１可変抵抗素子となる膜及び第１非オーミック素子となる膜をこれらの積層方向及び第１方向と交差する第２方向で複数に分割し、第２方向で複数に分割された第１可変抵抗素子となる膜及び第１非オーミック素子となる膜の間に第１層間絶縁膜を形成し、第１可変抵抗素子となる膜及び第１層間絶縁膜の上面を平坦化し、第１可変抵抗素子となる膜の金属材料を酸化し、第１可変抵抗素子となる膜及び第１層間絶縁膜上に、第１上部電極となる膜及び第２方向に延びる第２配線となる膜を順次積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】残渣による配線間のショートの発生を防ぐ。
【解決手段】本発明の半導体装置は、高誘電率材料を含む第１のゲート絶縁膜４と第１のゲート絶縁膜４上に形成された第１のメタルゲート電極５とを備える第１のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域と、高誘電率材料を含む第２のゲート絶縁膜４と第２のゲート絶縁膜上に形成された第２のメタルゲート電極１２とを備え、第１のトランジスタとは閾値電圧の異なる第２のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域に並ぶ第２の領域と、電位の異なる第１および第２の配線と、を有し、第１の領域と第２の領域との境界が、第１および第２の配線の少なくとも一方としか重ならない。 （もっと読む）

【課題】素子特性を劣化させることなく、半導体材料または絶縁膜の結晶特性を改善することができる低温アニールを用いた半導体装置の製造方法、並びに、このような低温アニールに適した半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、半導体基板の上方に設けられた金属からなる下部電極と、下部電極の上方に設けられた金属からなる上部電極と、下部電極と上部電極との間に設けられた結晶層とを備える。下部電極および上部電極の各膜厚は、結晶層の結晶化に用いられるマイクロ波の周波数に対応する表皮効果における表皮層よりも薄い。 （もっと読む）