【課題】発光素子と受光素子とのペアを備えて微細化が可能である。
【解決手段】対をなす発光素子１１と受光素子１２とは共に微細な棒状の素子であり、微細な棒状発光素子１１から放出された光を微細な棒状受光素子１２で受光することによって、微細な棒状受光素子１２の電気特性が変化する。こうして、微細な棒状発光素子１１と微細な棒状受光素子１２との対を非常に微細にして、電子デバイス１０を非常に微細化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】 誤検知を招きにくい光学装置を提供すること、もしくは、小型化を図るのに適する光学装置を提供すること。
【解決手段】 基材１と、基材１に配置された受光素子３と、受光素子３を覆う透光樹脂４と、透光樹脂４を覆い且つ第１開口部６１が形成された遮光樹脂６と、を備え、透光樹脂４は、第１開口部６１から露出する光入射面４１を有し、遮光樹脂６は、凹凸面たる面６０３を有し、面６０３は、方向ｚ１を向き、且つ、第１開口部６１よりも方向ｘ１側に位置する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を制御されたナノチューブを含み、物理または化学量を検出するためのセンサの提供することにある。
【解決手段】典型的なナノチューブ・センサ１９は、信号処理回路２１と接続して使用され、この信号処理回路２１は、電力を供給し、そしてセンサからの信号を処理して、検出された量に比例した出力を生成する。ナノチューブは、シリコン酸化物などからなるベース・フィルム２３上に配置され、ナノチューブの各端に電極２５を含む。信号処理回路２１は、限定されるものではないがひずみ、圧力、湿度および光などの検出された量を示す出力信号２７を供給する。 （もっと読む）

【課題】支持部材との接触面に凹部を設け、該支持部材上に載置しても、異物、傷が付かない構造を有するデバイスを提供する。また、凹部を形成する位置を光学的機能部の位置に対して高い精度で調整して製造することが可能な、デバイスの製造方法を提供する。また、第一基板に備えられた光学的機能部に対して、凹部の加工の影響が及ぶのを回避して製造することが可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１０１の一方の主面１０１Ｓと第二基板１０５の一方の主面１０５Ｓとが、接着層１０４を介して接合され、第一基板１０１の一方の主面１０１Ｓに内在する光学的機能部１０２と、第二基板１０５の他方の主面１０５Ｔ側に配され、光学的機能部１０２を含み重なる領域に位置する凹部１０７とを有する、ことを特徴とするデバイス。 （もっと読む）

【課題】紫外〜青色波長範囲の光照射による劣化が抑制された光装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる光装置は、支持体と、前記支持体に設けられた光素子と、キャップと、第１の接着層と、を有する。前記キャップは、前記光素子を離間して覆い、前記支持体に取り付けられ、前記光素子の光路の一部を構成する窓部を有する。前記第１の接着層は、マルトトリオースがα−１，６結合により連なった多糖を含む。また、前記支持体は、前記光素子および前記キャップの少なくともいずれかと前記第１の接着層を介して接着されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度情報及びカラー情報を十分に取得することができ、高感度と良好な色再現性を両立できる積層型撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】入力光を受光し、光学像の輝度成分を取得する第１の撮像素子１０と、
該第１の撮像素子の背面側に配置され、該第１の撮像素子を透過した透過光を受光し、前記光学像の色成分を取得する第２の撮像素子７０とを有し、
前記第２の撮像素子のサブピクセル７１の面積は、前記第１の撮像素子のピクセル１１の面積の２倍、３倍又は４倍であることを特徴とする （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを利用した放射線の検出において検出感度を良好にする。
【解決手段】放射線がダイヤモンド層１０に入射すると、ダイヤモンドと放射線の相互作用により二次電子等が発生する。また、放射線が重金属層２０に入射すると、重金属層２０内には、重金属と放射線の相互作用により二次電子等が発生する。そして、重金属内２０で発生した二次電子等が、バイアスを加えられたダイヤモンド層１０に入り、検出用の電子等となる。また、重金属内２０で発生した二次電子等がダイヤモンド層１０内でさらに二次電子等を発生させ、発生した二次電子等も検出用の電子等として利用される。こうして、ダイヤモンドと放射線の相互作用により発生する二次電子等に加えて、重金属から得られる電子等の影響により発生する二次電子等が放射線の検出に利用され、放射線の検出感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】 放射線量に関するリアルタイムの情報を得ることができる放射線モニタリングの方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスが、半導体基板と、半導体基板上に配置された埋め込み絶縁体層であって、半導体デバイスによる放射線曝露に応じて、ある電荷量を複数の電荷トラップ内に保持するように構成された埋め込み絶縁体層と、埋め込み絶縁体層上に配置された半導体層と、半導体層上に配置された第２の絶縁体層と、第２の絶縁体層上に配置されたゲート導体層と、半導体層に電気的に接続された１つ又は複数の側面コンタクトとを含む。放射線モニタリングのための方法が、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む放射線モニタにバックゲート電圧を印加すること、放射線モニタを放射線に曝露することと、放射線モニタの閾値電圧の変化を求めることと、閾値電圧の変化に基づいて放射線曝露量を求めることとを含む。 （もっと読む）

【課題】高感度が可能で、且つ、気密性を確保しつつ、製造時の赤外線用の光学フィルタ膜の剥れを抑制できる赤外線検出器を提供する。
【解決手段】赤外線検出素子１が実装されたパッケージ本体４と、パッケージ本体４に気密的に接合されたパッケージ蓋５と、赤外線を透過する第１の無機材料により形成されパッケージ蓋５の開口部５ａを塞ぐように配置されたキャップ材６と、赤外線を透過する第２の無機材料により形成されてキャップ材６よりも赤外線検出素子１から離れた位置でパッケージ蓋５の外側に配置されたレンズ７とを備える。レンズ７に、赤外線用の光学フィルタ膜が積層されており、キャップ材６が、パッケージ蓋５に気密的に接合され、レンズ７が、導電性ペーストによりパッケージ蓋５に接合されることでパッケージ蓋５と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置製造時における樹脂クラックの発生が抑制され、耐熱変色性および耐光性に優れた光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する光半導体装置用エポキシ樹脂組成物からなる。
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂。
（Ｂ）酸無水物系硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）ポリラクトンポリオール。
（Ｅ）ポリオルガノシロキサン。 （もっと読む）

本発明の目的は、シングルフォトンカウンティングピクセル検出回路を提供することにある。このシングルフォトンカウンティングピクセル検出回路は、ａ）感光性材料層と、ｂ）前記感光性材料層に配置されたＮ×Ｍ個の光検出ダイオードのアレイであって、前記光検出ダイオードの各々は、ダイオード出力インタフェースを有するアレイと、ｃ）Ｎ×Ｍ個の読出ユニットセルのアレイであって、１つの読出ユニットセルは１つの光検出ダイオード用であるアレイと、を具え、ｄ）前記読出ユニットセルは、ｄ１）前記ダイオード出力インタフェースに接続された入力インタフェースと、高利得電荷・電圧増幅手段と、前記高利得電圧増幅手段の出力に接続されたピクセルカウンタと、を具え、ｄ２）前記ピクセルカウンタは、第１の数のニブルカウンタに分割され、各ニブルカウンタは、個別の数のビットを有し、各ビット用にベーシックカウンタセルが設けられ、前記ベーシックカウンタセルは、カウンティングエレメントと、スイッチと、一時記憶素子と、出力段と、を具え、前記ベーシックカウンタセルはカスケード接続されており、ｅ）前記検出回路はサイドシフトレジスタをさらに具え、前記サイドシフトレジスタは、前記ニブルカウンタをロー方向に所定数の選択されたニブルローで読み出し、前記選択されたニブルカウンタローの一時記憶素子に記憶されたデータは、並列バス上で電流として送信され、並列バスレシーバによってデジタルレベルに変換される、ことを特徴とする。
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【課題】画素化された撮像装置を提供する。
【解決手段】数個の画素を含む撮像装置であって、各々の画素は少なくとも、
−第１の電極（１２２）及び第２電極（１０２）の間に配置され、及び光子及び／または高エネルギー粒子放射の電気信号への変換を達成することができるダイアモンド層（１０４）の一部と、
−前記電気信号を増幅及び／または読出すための電子回路（１１０）であって、少なくとも前記第１の電極に電気接続され、及び前記ダイアモンド層及び該ダイアモンド層と前記電子回路との間に位置された誘電層（１０６）を含むＳＯＤ型基板の表面層を形成し、おおよそ１μｍに等しいかそれより薄い厚さを有している半導体材料層（１０８）の一部で作られた電子回路と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】
導波路に結合された表面プラズモンポラリトン光検出器を提供する。
【解決手段】
金属−半導体−金属（ＭＳＭ）デバイスは、導波路内の光モードからの光を、当該ＭＳＭデバイスの電極表面の表面プラズモンポラリトン（ＳＰＰ）モードに結合する。ＳＰＰモードにおいては、半導体内での光の吸収は、非常に小さい領域で発生することができる。これは、活性な検出器領域の縮小を可能にし、電気的なキャリアに関して低容量（キャパシタンス）で非常に短い移送距離を可能にし、非常に低電圧なデバイス及び／又は非常に高い周波数を可能にし得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、集光性に優れた光電変換装置、光電変換素子収納用パッケージ及び光電変換モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置であって、基板と、基板上に設けられる光電変換素子と、基板上の光電変換素子を取り囲むように設けられ枠体と、枠体の全周にわたって接合されるとともに、光電変換素子の上方に空間を介して設けられる集光部材と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術の光検出器アレイにおける制限を克服し、改善された性能有する光検出器アレイを提供する。
【解決手段】光検出器アレイは、高抵抗低ドーピング濃度第１半導体基材と、低抵抗高ドーピング濃度第２半導体基材とによって形成される複数の光検出器を含む。前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。この光検出器アレイの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を用いた放射線検出素子は小型軽量などの利点があるが、放射線を透過しやすいので放射線検出効率が低いという問題があった。
【解決手段】本願の放射線検出素子及び放射線検出装置は、放射線検出素子の放射線入射面にタングステンなどの金属からなる膜を形成し、放射線の入射エネルギーを減衰させることにした。入射エネルギーを減衰させることで放射線入射によるキャリア生成効率が向上し、金属膜の膜厚を最適化して、放射線検出効率向上が可能になった。 （もっと読む）

【課題】電子雑音を低減するために、各々のフォトダイオード素子の応答時間を損なわずに、より低キャパシタンスのフォトダイオード素子及びより低キャパシタンスのフォトダイオード・アレイを開発する。
【解決手段】フォトダイオード素子（２０）が、第一の拡散形式を有する第一の層と、第二の層とを含んでいる。第二の層は電荷収集域（２９）を画定している。電荷収集域（２９）は、第二の拡散形式の作用領域（３２）と、非作用領域（３３）とを含んでいる。作用領域（３２）は非作用領域（３３）を包囲している。フォトダイオード素子（２０）はまた、第一の層と第二の層との間に真性半導体層を含んでいる。 （もっと読む）

半導体受光素子が特定される。本半導体受光素子は、シリコンで形成され、光入射エリア（１ａ）を有する半導体ボディ（１）であって、前記光入射エリア（１ａ）を通過して前記半導体ボディ（１）内に入射する電磁波（１０）が吸収される厚さ（ｄ）が最大１０μｍである吸収ゾーン（２）を更に有する半導体ボディ（１）と、誘電材料から形成され、前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）を被覆するフィルター層（３）と、少なくとも前記光入射エリア（１ａ）において前記半導体ボディ（１）を被覆する、光吸収材（５）を含有するポッティングボディ（４）と、を有する。 （もっと読む）