【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ５は、第１半導体基板２１と、第１半導体基板２１に比較してｎ型の不純物濃度が高い第２半導体基板２３と、を備え、裏面入射型である。第１半導体基板２１と第２半導体基板２３とは、表面２１ｂ及び表面２３ｂが貼着面とされて、貼着されている。第１半導体基板２１は、表面２１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されている。第２半導体基板２３の表面２３ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域には、不規則な凹凸１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
放射線を測定するための容量センサデバイスを提供する。
【解決手段】
デバイスは２つのセンサ領域および上部プレート構造を含む。センサ領域は、放射線がその材料に当たると電子−正孔対を生成する材料から成る。２つのセンサ領域の間に分離領域が配置される。センサ領域と上部プレートとの間のキャパシタンスはセンサ領域に当たる放射線に応じて決まる。遮断構造が、放射線の選択された入射角において他方のセンサ領域内の電子−正孔対生成に対してとは異なるように一方のセンサ領域の電子−正孔対生成に影響を与えるように、或る範囲内のパラメータ値を有する放射線をセンサ領域から選択的にかつ異なって遮断する。 （もっと読む）

【課題】各受光素子へ光が一様に照射されるか否かに拘らず、各分光特性の検出結果に偏りや感度のばらつきを生じることなく、照度の測定を行う。
【解決手段】受光素子ＰＤ１・ＰＤ２を備え、各受光素子ＰＤ１・ＰＤ２は、互いに異なる分光特性Ａ・Ｂから１つの分光特性が設定されるように構成され、各受光素子ＰＤ１・ＰＤ２は、照度の測定時に、互いに異なる分光特性となるように、分光特性Ａ・Ｂが順次切り替えて設定される。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）

【課題】反りを抑制でき、しかもフレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】受光部を含む光学センサと、光学センサの受光部側を保護するためのシール材と、少なくとも受光部とシール材のこの受光部との対向面である第１面間に形成された中間層と、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、を有し、制御膜は、シール材の受光部との対向面である第１面に形成された第１の制御膜と、シール材の第１面と反対側の第２面に形成された第２の制御膜と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には変換部３と回路部４とが配される。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。回路部４の上部に遮蔽部７が配される。遮蔽部７が、回路部４に向かって入射する軟Ｘ線を遮蔽する。好適には、遮蔽部７を構成する材料の軟Ｘ線に対する遮蔽係数は、アルミニウム及び銅の軟Ｘ線に対する遮蔽係数よりも高い。または、遮蔽部７を構成する材料は原子番号が７０以上の元素によって構成される。 （もっと読む）

【課題】光検出の装置および方法を提供する。
【解決手段】特に顕微鏡、分光計またはカメラ用の光検出装置は、複数の単一光子アバランシェダイオード（ＳＰＡＤ）のアレイで構成される少なくとも１つのシリコン光電子増倍管（ＳｉＰＭ）を含み、このアレイは面積が入射光より大きく、特定の最低強度の光が当たるＳＰＡＤだけがアクティブ化され、および／または分析される。この装置を利用する方法。 （もっと読む）

【課題】放射線に起因する特性劣化を抑制して信頼性を向上させることが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、フォトダイオードとトランジスタとを含む画素回路を有する。トランジスタは、基板上の選択的な領域に配設されたゲート電極と、ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられると共にゲート電極に対向するゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第１層間絶縁膜と、半導体層に電気的に接続されて設けられたソース電極およびドレイン電極と、一部がゲート電極の端部に対向して設けられたシールド電極層とを備える。第２ゲート絶縁膜、第１ゲート絶縁膜および第１層間絶縁膜のうちの少なくとも１つはシリコン酸化膜を含む。シールド電極層により、放射線の入射によって生じる正電荷の影響による閾値電圧のシフトが抑制される。 （もっと読む）

【課題】透過光量が大きく、赤、緑、及び青の着色画素を含むカラーフィルタを固体撮像素子に用いたときに、ノイズが低く、色再現性が良好な固体撮像素子を実現するカラーフィルタを提供する。
【解決手段】赤色画素、緑色画素、および青色画素を含むカラーフィルタにおいて、前記赤色画素における４００ｎｍの透過率が１５％以下、６５０ｎｍの透過率が９０％以上であり、前記緑色画素の４５０ｎｍの透過率が５％以下、５００〜６００ｎｍの波長範囲のいずれかの透過率が９０％以上であり、且つ、前記青色画素の４５０ｎｍの透過率が８５％以上、５００ｎｍの透過率が１０％以上５０％以下、７００ｎｍの透過率が１０％以下であるカラーフィルタ。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた素子で負性フォトコンダクタンスが実現できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１の上に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上に形成されたシリコンからなるソース１０３およびドレイン１０４とを備える。また、ソース１０３およびドレイン１０４の間にこれらと接続して配置されたシリコンからなる細線部１０５を備える。また、細線部１０５にゲート絶縁層１１１を介して設けられたゲート電極１０６を備える。また、ゲート電極１０６に電圧を印加するゲート電圧印加部１０８を備える。ゲート電圧印加部１０８は、細線部１０５が形成された領域を含む受光領域１０７に光を照射することによってソース１０５およびドレイン１０４の間のコンダクタンスが低下する電圧を、ゲート電極１０６に印加する。 （もっと読む）

【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、フォトダイオードとトランジスタ１１１Ｂとを含む光電変換層を有する。トランジスタ１１１Ｂは、基板１１上に、第１ゲート電極１２０Ａ、第１ゲート絶縁膜１２９、半導体層１２６、第２ゲート絶縁膜１３０および第２ゲート電極１２０Ｂをこの順に有し、第１ゲート絶縁膜１２９および第２ゲート絶縁膜１３０におけるＳｉＯ₂膜の総和が６５ｎｍ以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるＳｉＯ₂膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなＳｉＯ₂膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】入射光を選択的に反射する液晶表示装置に大面積の光電変換素子を搭載した、表示色特性が良好で、製造性に優れた液晶表示装置の実現。
【解決手段】入射光を選択的に反射する液晶12B,12G,12Rを対向基板間に封止した液晶表示素子10と、液晶表示素子の背面側に設けられた光電変換素子40と、液晶表示素子10と光電変換素子40との間に設けられ、光電変換素子40の表面反射色に対応した分光吸収特性を有する光学フィルタ31と、を備える液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】画素内に電流−電圧変換回路を設けることなく、低線量域でのＳ/Ｎ比を向上させつつダイナミックレンジの低下を抑制した放射線検出器を提供する。
【解決手段】各画素７に、各々感度特性が異なり、放射線が照射されることにより電荷が発生し、照射された放射線量に応じて電荷が蓄積されるセンサ部１０３Ａ、１０３Ｂが設けられており、走査配線１０１を介して各画素７に設けられたスイッチ素子４Ａ、４Ｂに制御信号が流れ、当該スイッチ素子４Ａ、４Ｂのスイッチング状態に応じて各画素７のセンサ部１０３Ａ、１０３Ｂに各々蓄積された電荷に応じた電気信号が信号配線３に流れる。 （もっと読む）

【課題】ショットキーバリアダイオードとアンテナとのインピーダンスミスマッチを低減することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波検出素子は、基板１１に設けられたショットキーバリアダイオード１１１、１１２とアンテナとを含む。アンテナが、分割された第一導電要素１０１と第二導電要素１０２、分割された第三導電要素１０３と第四導電要素１０４、第一及び第三導電要素を電気的に接続する第一接続部１０５、及び第二及び第四導電要素を電気的に接続する第二接続部１０４を含む。第一導電要素と第二導電要素、及び第三導電要素と第四導電要素が、夫々、電磁波の入射方向に沿って隔たった基板１１上の複数の面に形成される。ショットキーバリアダイオードが、第一導電要素と第二導電要素との間に電気的に接続されて設けられる。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】より容易にレーザ照射によって配線を非導通状態にする。
【解決手段】複数の画素、複数の画素の各々に備えられたスイッチ素子４の各々をスイッチングする制御信号が流れる複数の走査配線１０１、及び複数の画素の各スイッチ素子４に、レーザが照射されることにより非導通状態となる配線２００，２０２を介して接続され、かつ複数の画素の各スイッチ素子のスイッチング状態に応じて、複数の画素の各々に発生された電荷に応じた電気信号が流れる複数の信号配線３を上面に備えた基板１と、センサ部１０３の下側に設けられた層間絶縁膜１２と、センサ部１０３の下側に設けられ、かつ配線のレーザ照射部位上の対応する箇所が開口された層間絶縁膜２３と、を備える。 （もっと読む）