【課題】赤外領域の光を十分に吸収でき、感度が高く、かつ、暗電流を低減することができる光電変換材料、光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】入射した光に応じた電荷を生成する光電変換膜に含まれる光電変換材料が、下記式（左）で示されるスクアリリウム化合物と、下記式（右）で示されるナフタロシアニン化合物とを含む。


（Ａ，Ｂはそれぞれ独立に、結合位がｓｐ²炭素である置換基で、Ｍは金属原子を表し、Ｒ₄〜Ｒ₂₇はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。） （もっと読む）

本発明はＸ線を電荷に変換するＸ線用の光検出器に関する。光検出器の活性有機層内にナノ粒子が加えられる。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す新規な有機半導体を提供する。
【解決手段】薄膜からなる有機半導体において、薄膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる有機半導体。
一般式（Ｉ）


式中、Ａ_１はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ_１５を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ_１１、Ｒ_１２は連結して環を形成してもよい。Ｂ_１は少なくとも一つの窒素原子を含む環構造を表す。ｎ１は０〜２の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】高い感度を有するとともに、遮光の必要がない放射線検出器および放射線検査装置を提供すること。
【解決手段】無機シンチレータと、フォトダイオードとを備える放射線検出器であって、前記無機シンチレータは、４００ｎｍ以下の発光ピーク波長を有し、前記フォトダイオードは、４００ｎｍ未満の波長域において最大の量子変換効率を有するとともに、４００ｎｍ以上の波長域に感度を有さず、前記フォトダイオードは、前記無機シンチレータの発光ピーク波長において４０％以上の量子変換効率を有する、放射線検出器。 （もっと読む）

【課題】空間解像度を維持しつつ、バンド数の増大と小型化を実現した撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】撮像素子は、一対の第１透明電極と、前記一対の第１透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第１光電変換部とを有し、前記第１光電変換部に結像する画像を読み出す第１撮像部と、一対の第２透明電極と、前記一対の第２透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第２光電変換部とを有し、前記第２光電変換部に結像する画像を読み出す第２撮像部とを含み、前記第１撮像部と前記第２撮像部は積層されており、前記第１光電変換部及び前記第２光電変換部には、光感度が異なる４種類以上の光電変換膜が含まれる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板の第１の表面上に、光の入射により電荷を生じさせる有機化合物である光電変換層と、光電変換層で生じた電荷を集電するための画素電極と、を備え、基板の第１の表面に対向する第２の表面上に、入射光を光電変換層の方向に集光するための集光部材を備えている光センサ、その光センサを含む光センサアレイ、撮像素子および撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】暗電流の増加を抑制しながら、高解像度化を図ることが可能であり、かつ、特性のばらつきを低減することが可能な光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】この光電変換デバイス１００は、ガラス基板１上に、光電変換膜１１を含む光電変換部１０とスイッチング素子として機能するトランジスタ部２０とを備えた画素がアレイ状に配置された画素アレイにおいて、トランジスタ部２０が有機半導体層２５を含む有機ＴＦＴ２０から構成されており、光電変換部１０とトランジスタ部２０との間の領域には、光電変換部１０の光電変換膜１１と有機ＴＦＴ２０の有機半導体層２５とを分離する絶縁性の障壁部３５ａ（バンク３５）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光生成顔料の感度、ゴースト発生、及び寿命などの点で優れた、光導電体を提供する。
【解決手段】支持基材と、光生成層と、少なくとも１つの電荷輸送層とを備える光導電体であって、電荷輸送層のうちの少なくとも１つは少なくとも１つの電荷輸送成分を含み、光生成層及び電荷輸送層のうちの少なくとも１つはチタノセンを含む、光導電体。 （もっと読む）

【課題】共役系高分子を活性層とする電子素子であって工業的製造が容易でかつキャリア移動度等の特性の高い電子素子を提供する。
【解決手段】共役系高分子に接して少なくとも２つの電極が設置されてなる電子素子において、少なくとも２つの電極の間隙において該共役系高分子の主鎖が配向してなり、式（１）で表される該電子素子のホッピング確率係数Ｚが１を越え１０未満であることを特徴とする電子素子。
Ｚ＝ｄ_min÷Ｌ_min （１）
〔Ｌ_min：該共役系高分子の数平均分子鎖長、
ｄ_min：該２つの電極の内の１つの電極の１点と他の電極の１点とを結ぶ線分の長さの内で最小である長さ。〕 （もっと読む）

本発明は、赤外線の検出のための方法および有機感光材料およびデバイスを提供する。
（もっと読む）

【課題】高い電荷輸送性と、溶媒への溶解性に優れる多環縮環重合体を提供する。
【解決手段】式（１）及び又は式（２）の構造単位を有する多環縮環重合体。


［式中、Ｘ^１及びＸ^２は、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】各種化学修飾、および塗布成膜が可能で、光電変換性能の高い光電変換材料を提供する。また、高性能な有機薄膜光電変換素子を提供する。
【解決手段】
下記一般式１で表される分子量２５０以上８００以下の有機薄膜光電変換素子用有機光電変換材料及び該有機光電変換材料を有する光電変換素子。
【化１】


（式中、Ａは電子求引性原子団、Ｒ^１〜Ｒ^３は各々、水素原子または置換基、Ｌは２価のπ共役置換基、Ｄは電子供与性芳香族置換基、ＸはＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ^ａのいずれかを表す。Ｒ^ａは水素原子または置換基を表す。） （もっと読む）

【課題】電荷輸送性に優れる両極性の有機半導体として利用可能な分岐型化合物の提供。
【解決手段】コア部と、該コア部に結合した少なくとも１つの側鎖部と、末端と、から構成される分岐型化合物であって、上記側鎖部の少なくとも１つは、下記一般式（１）で表される繰返し単位が１又は２以上繰り返しており（但し、コア部と結合する前記繰返し単位においては、Ｔがコア部に結合しており、２以上繰り返す前記繰返し単位においては、ＬがＴに結合している。）、Ｌは、共役形成単位が複数連結して構成され、上記共役形成単位として少なくとも一つのチエニレン単位を含み、Ｌの末端（Ｔと結合していない側のＬの末端）に存在する基は、少なくとも２つがアクセプター性の基である、分岐型化合物。


（式中、Ｌは置換基を有していてもよい２価の有機基を示し、Ｔは置換基を有していてもよい３価の有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しながら、画素サイズの縮小化を図ることが可能であり、かつ、製造工程が複雑化するのを抑制することが可能な光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】この光電変換デバイス１００は、光電変換膜１１を含む光電変換部１０とトランジスタ部（有機ＴＦＴ）２０とを備えた画素がガラス基板１上に複数配置された画素アレイにおいて、トランジスタ部（有機ＴＦＴ）２０と光電変換部１０とが、ガラス基板１上に並置されて形成されており、光電変換膜１１は、溶媒に溶解可能な有機半導体材料からなる有機半導体膜を含むとともに、隣り合う画素の光電変換部１０に渡って連続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性の向上を図ることができる有機半導体膜の電界処理方法、及び有機半導体デバイスの製造方法、並びに薄膜センサーを提供する。
【解決手段】 第１電極１０上に有機半導体膜２０を形成し、この有機半導体膜２０に第２電極３０を形成した後、第１電極１０及び第２電極３０に電圧を印加して有機半導体膜２０に電界を与えることにより、有機半導体膜２０の周縁部に向かって有機半導体膜２０中のイオン化した混入物を移動させるようにし、有機半導体膜２０の電気的特性の向上を図るようにした。 （もっと読む）

【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が絶縁性材料と導電性材料を含む。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のメロシアニン色素を提供し、更に、一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層を含む光電変換部を備える光電変換素子において、前記光電変換膜が、上記メロシアニン色素を含有することで構成される光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるメロシアニン色素、該色素を含む色素薄膜、一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層を含む光電変換部を備える光電変換素子の前記光電変換層に該色素を含有する光電変換素子。
一般式（１）
【化１】


（式中、Ａ_１は２価の原子団を表し、ｎは１〜３の整数を表し、Ａ_２〜Ａ_３はそれぞれ独立に芳香族炭化水素環、または炭素数３〜１８のヘテロ環を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２は水素原子または炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数３〜１８のヘテロ環を表す。） （もっと読む）

【課題】光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置ならびに光センサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に、光の入射により電荷を生じさせる有機化合物である光電変換層と、光電変換層で生じた電荷を集電するための画素電極と、入射光を光電変換層の方向に集光するための集光部材と、を備え、集光部材が光電変換層に隣り合う位置に設置されている光センサ、その光センサを含む光センサアレイ、撮像素子および撮像装置ならびにその光センサの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】リセットノイズを正確に除去することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板１上方に積層された一対の電極１４，１６とこれに挟まれる光電変換層１５とを含む光電変換素子Ｐと、光電変換層１５で発生した電荷に応じた信号を出力するＭＯＳトランジスタにより構成される信号出力回路とを有する固体撮像素子であって、基板１内に設けられ、光電変換層１５で発生した電荷が直接蓄積される第一の電荷蓄積部４と、基板１内に設けられ、前記信号出力回路を構成する出力トランジスタのゲートに接続された第二の電荷蓄積部５と、第一の電荷蓄積部４に蓄積された電荷を第二の電荷蓄積部５に転送する電荷転送ゲート８とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、高いＳ／Ｎの画像を得ることができる光電変換膜積層型撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された読出回路部１と、読出回路部１の上に積層された複数の光電変換層１２ｒ，１２ｇ，１２ｂとを備え複数の光電変換層がそれぞれ、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂと、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂの上に形成された対向電極と、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂを対向電極１９と挟む位置に形成された画素電極１６ｒ，１６ｇ，１６ｂとを備え、複数の光電変換層１２ｒ，１２ｇ，１２ｂの積層方向に貫通するように充填された長尺形状の複数のプラグ部材Ｐを有し、複数のプラグ部材Ｐがそれぞれ、異なる画素電極１６ｒ，１６ｇ，１６ｂに電気的に接続する。 （もっと読む）