【課題】電流により発生する磁場を化合物半導体回路で集約して検出することができる小型で、高感度かつ高精度な電流センサを実現すること。
【解決手段】半導体回路（ＬＳＩ回路）と化合物半導体回路（ホール素子を有する化合物半導体素子）とが形成された基板に、さらに、化合物半導体素子の直上に、該直下の化合物半導回路に対して磁束密度を増加させるための所定の形状からなる電気配線（コ字型または馬蹄型の形状を呈した金属配線）を形成し、この電気配線に被検出電流を流すようにした。 （もっと読む）

【課題】所望のＳ／Ｎとなる電流センサを提供する。
【解決手段】被測定電線２１が挿通される磁気コア２と、磁気コア２に配置されたホール素子３と、磁気コア２に巻回された負帰還コイル４と、ホール素子３の電流入力端子３ａ，３ａに直流定電流Ｉ２を供給する電源部５と、ホール素子３の電圧出力端子３ｂ，３ｂ間に発生する出力電圧Ｖ１に基づいて負帰還コイル４に負帰還電流Ｉ３を供給する電流生成部６と、負帰還コイル４に接続されて負帰還電流Ｉ３を検出電圧Ｖ２に変換して出力する終端抵抗７とを備え、測定電流Ｉ１の非検出時における検出電圧Ｖ２に含まれる予め規定された周波数でのノイズのパワースペクトル密度を算出しつつ、電源部５に対する制御を実行して直流定電流Ｉ２の電流値を変更することにより、算出しているパワースペクトル密度を予め規定された基準密度ＤＥｒｅｆに一致させる補正処理を実行する処理部９を備えている。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの少ないホール素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板７に、平面図で正方形になるＮ型ウェル６を設ける。ホール素子１０の四隅以外には、Ｎ型ウェル６の上部にＰ型拡散層５を設け、ホール素子１０の四隅には、Ｎ型ウェル６の上部にＮ型拡散層１〜４を設ける。そして、Ｐ型拡散層５とＰ型拡散層５の下のＮ型ウェル６との間に空乏層が発生する電圧をＰ型拡散層５に印加する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングストリートにＧａＡｓが露出している場合、結果ダイシング時に素子のチッピング、電極や磁性体の剥離、溶解したＧａＡｓによる電極接合部の汚染が発生し、さらにＧａＡｓ基板裏面もエッチングされるためＧａＡｓの溶解による電極接合部の汚染の課題がある。
【解決手段】本発明は、ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、上記ホール素子上に絶縁層と、上記絶縁層上にＴｉ系金属層と、上記Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層とを有し、ダイシングストリート上を少なくとも無機絶縁材料乃至有機絶縁材料もしくはその両方でカバーさせＧａＡｓを露出させず、またさらにＧａＡｓ基板裏面にも有機絶縁膜でカバーすることにより本課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】室温付近で電圧によりキュリー温度を変化させることができ、かつ大きな磁化、即ち大きな磁界を発生させることが可能な電圧駆動型電磁石を提供する。
【解決手段】鉄、コバルト、ニッケルのうちのいずれか、もしくはこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなる強磁性金属薄膜層１２と、前記強磁性金属薄膜層１２の片側に積層された絶縁層２０と、前記絶縁層２０の、前記強磁性金属薄膜層１２とは反対側に設けられたゲート電極３０と、前記強磁性金属薄膜層１２と前記ゲート電極３０の間に電圧を印加する電圧印加部４０とを備える電圧駆動型電磁石を提供する。また、強磁性金属薄膜層１２内の磁化を特定の方向に配向させる下地層１３と、配向させた強磁性金属薄膜層１２内の磁化の方向を維持させるキャップ層１１を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気センサのホールプレートで発生する寄生抵抗によって発生するオフセット電圧を減少させる、即ち不整合を補償するホールプレートスイッチングシステムを提供する。。
【解決手段】第１ノード及び第３ノードの両端で第１ホール電圧を発生させ、第２ノード及び第４ノードの両端で第２ホール電圧を発生させるホールプレート２０と、第１ノード及び第２ノードに連結され、第１ノード及び第２ノードに流れる電流のオン／オフを制御する第１スイッチ部１０と、第３ノード及び第４ノードに連結され、第３ノード及び第４ノードに流れる電流のオン／オフを制御する第２スイッチ部３０と、第２スイッチ部３０に連結され、第１スイッチ部１０及び第２スイッチ部３０のトランスコンダクタンスを減少させる抵抗部４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】電池の磁気計測装置において、磁気雑音の強い環境においても磁気センサの出力を飽和させることなく、充放電時における電池内部の電流によって発生する磁気信号を正確に計測でき、リチウムイオン電池内部の電流分布を可視化する。
【解決手段】充放電前に、個々の磁気センサで測定される磁気と逆相の磁気を、個々の磁気センサの周囲に配置したキャンセルコイルに発生させ、その後、充放電時の磁気データから充放電前に記録した磁気データ（補正用磁気データ）を差し引くことによって磁気雑音を低減し、充放電時におけるリチウムイオン電池から生じる磁気信号を正確に計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号の平均化値のずれを抑制した信号平均化回路を提供する。
【解決手段】キャパシタＣａ１の正端子に接続され、キャパシタＣａ１への信号の入力を制御するスイッチング素子Ｓ９と、キャパシタＣａ２の正端子に接続され、キャパシタＣａ２への信号の入力を制御するスイッチング素子Ｓ１０と、キャパシタＣａ１とキャパシタＣａ２の正端子同士とを接続する平均化スイッチ素子Ｓ１３と、を備え、パワーオフ期間後にキャパシタＣａ１に信号を入力することにより充電を行うプリチャージ期間と、プリチャージ期間後に、キャパシタＣａ２に信号を入力することにより充電を行う第１サンプリング期間と、第１サンプリング期間後にキャパシタＣａ１に信号を入力することにより再充電を行う第２サンプリング期間と、前記第２サンプリング期間後にキャパシタＣａ１，Ｃａ２の正端子同士を接続した状態とする平均化期間と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】汚染物質に影響されずに正確な計測が可能な自動車用車高センサを提供する。
【解決手段】自動車用車高センサモジュールを、上側に開口部が形成されるセンサハウジング１１０と、センサハウジングに回転可能に設けられるシャフトと、シャフトの上側に配置されるマグネットと、マグネットと向かい合う磁気素子が実装され、センサハウジング１１０の内部に形成された複数個の支持突起の上端に設置される印刷回路基板１２０と、開口部を覆うセンサカバー１３０と、センサハウジング１１０とセンサカバー１３０との間に介在して、センサハウジングの内部に水分及び汚染物質の流入を遮断するシーリング部材１４０と、センサカバー１３０と印刷回路基板１２０との間に介在して、印刷回路基板１２０を支持突起側に加圧する複数個の弾性部材１５０と、複数個の弾性部材１５０の両端を支持する支持ユニット１７０と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、従来技術をさらに改良した装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るホールセンサの代表的な構成は、第１の接続接点および第２の接続接点および第３の接続接点を備える第１のホール素子と、第４の接続接点および第５の接続接点および第６の接続接点を備える第２のホール素子と、第７の接続接点および第８の接続接点および第９の接続接点を備える第３のホール素子と、第１０の接続接点および第１１の接続接点および第１２の接続接点を備える第４のホール素子とを有しており、第１のホール素子および第２のホール素子および第３のホール素子および第４のホール素子は直列につながれている。 （もっと読む）

【課題】増幅率が予め定められた増幅率であるかを判定することができる検出装置および電流センサを提供する。
【解決手段】実施の形態に係る検出装置１は、主に、検出対象の変化を検出して検出信号を出力するホールセンサ２と、ホールセンサ２から出力された検出信号を増幅して第１の増幅信号を出力する増幅部３と、増幅部３に入力して第２の増幅信号として出力される基準電圧を増幅部３に供給する基準電圧供給部４と、入力する制御信号に基づいてホールセンサ２と増幅部３との接続、または増幅部３と基準電圧供給部４との接続を切り替える切替部５と、増幅部３に予め定められた増幅率と、第２の増幅信号から得られる増幅率と、を比較した結果を比較信号として出力する比較部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】一対の部材間において非接触で信号を送受信でき、しかも小型化可能な電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の電子機器（１）は、ヒンジ部（１３）を介して相対的に回動可能に連結された本体部（１１）及び表示部（１２）を備えた電子機器（１）であって、本体部（１１）に設けられ表示部（１２）に向けた信号を出力する信号回路（１６）と、ヒンジ部（１３）に設けられ信号回路（１６）に電気的に接続される少なくとも１つの導電路（２０）と、導電路（２０）に対向して表示部（１２）に配設され信号回路（１６）から出力され導電路（２０）に印加された信号からの誘導磁界により出力信号を出力する少なくとも一つのＧＭＲ素子（１８）と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造上の手間・コスト削減を図りつつ、感度向上を図る。
【解決手段】アイランド部１２と一次導体１３とセンサリード端子１４とを同一の平板から打ち出してリードフレームを形成し且つ、一次導体１３をアイランド部１２と電気的に切り離すとともに、前記アイランド部１２の、平面視方形のＩＣチップ１１と同等形状を有するアイランド本体２１を取り囲む略コの字状を有するコの字部３１を備えて形成する。アイランド本体２１にＩＣチップ１１を載置し、ＩＣチップ１１とセンサリード端子１４とをボンディングワイヤ１５により接続する。このときＩＣチップ１１の角部１１ａ、１１ｂの仮想的な面取り曲線上に、コの字部３１のコーナー部３１ａ、３１ｂと対向するように磁場変換素子４１を１以上配置する。そして、各磁場変換素子４１の検出信号の総和を演算し、これを電流センサ１０の検出信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ホール電圧に含まれたオフセットを取り除くオフセットキャンセル機能を有するホールセンサ及びこれのオフセットキャンセル方法に関する。
【解決手段】事前に設定された複数の検出方向に応じて磁界を電圧として検出するホール（Ｈａｌｌ）デバイスにより、上記複数の検出方向別に検出された第１及び第２の検出電圧間のレベル差を幅として有するパルスに変換する変換部と、上記第１及び第２の検出電圧を比較し、その比較結果に応じて上記パルスの＋符号又は−符号を決定する符号決定部と、上記変換部からのパルスの幅を事前に設定された基準時間の単位でカウントするカウンター、及び上記符号決定部により決定された符号に応じて、上記カウンターによりカウントされた数のマイナス演算を行い、上記第１及び第２の検出電圧に含まれたオフセット電圧を取り除く演算部を含む。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を有する磁気センサにおいて、簡易な回路構成である信号処理回路で、ホール素子の出力電圧に含まれるオフセット電圧及びフリッカノイズを除去することのできる磁気センサを提供する。
【解決手段】ホールプレートＨは、ホールプレートＨを流れる電流のキャリアの種類を、ゲート電極Ｇの電位Ｖｇにより、電子または正孔のいずれか一方にすることが可能な両極性材料から形成される。さらに、入出力端子ＴＡ，ＴＡ’，ＴＢ，ＴＢ’が、ホールプレートＨの面内で対向する電流入力端子対と電圧出力端子対とになり、その際に電流入出力端子対と電圧出力端子対とが互いに直交するような位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】外部の感度測定用磁界発生源を用いることなく磁気センサの各軸方向の感度を測定する機能を有する磁気センサ及びその感度測定方法を提供すること。
【解決手段】感度測定装置では、感磁部（３１）による検出された磁束密度は、切換部（３２）によって各軸の磁界強度情報が抽出され、増幅部（３３）を介して、感度演算部（３４）に入力される。感度演算部（３４）は、感磁部（３１）からの各軸に関する磁界強度情報に基づいて感度を演算する。感度演算部は、感磁部（３１）からの磁束密度を各軸の磁気成分に分解する軸成分分解部（３４ａ）と、軸成分分解部（３４ａ）からの磁界強度の各軸成分を基準値と比較して感度を判定する感度判定部（３４ｂ）と、感度判定部（３４ｂ）からの感度情報に基づいて感度補正を行う感度補正部（３４ｃ）とを備えている。センサ診断部（３９）は、感度情報に基づいて磁気センサの感度良否を自己診断し、自己感度補正(調整)をする。 （もっと読む）

【課題】ウェル層と基板の間の空乏層幅を抑制し、かつＣＭＯＳトランジスタとの混載が可能なホール素子を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｐ型基板１０１に設けられたＮウェル層１０３と、Ｎウェル層１０３の上面においてＸ方向に沿った電流を流す電流入力端子１１０、１１１と、前Ｎウェル層１０３の上面においてＸ方向と直交するＹ方向に沿った磁界を発生する電圧出力端子１１２、１１３と、を備える半導体装置において、Ｎウェル層１０３の底面とＰ型基板１０１との間に、導電型がＮ型であって、かつＮウェル層１０３よりも不純物濃度の高い空乏層幅抑制用Ｎ⁺層１２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】モールド成型によりパッケージ化されてなる半導体装置において、パッケージからのストレスに起因する半導体デバイスの特性変化のさらなる抑制を図る。
【解決手段】Ｓｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂ全体をＳｉＯ₂膜２０５とＳｉＮ膜２０６とで覆い、２つのＳｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂ間のＳｉ基板２０１表面に、化合物半導体デバイスからなるホール素子２０８の感磁部を形成する。ホール素子２０８とＳｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂとを金属配線２１０で接続した後、ＳｉＮ膜２１１、ＳｉＯ₂膜２１２を形成して平坦化し、その上にＡｌ配線２１３を形成する。基板上面からみて、Ａｌ配線２１３の、ホール素子２０８と重なる領域にエッチング溶液注入穴２１４を形成しここからエッチング溶液を注入してＡｌ配線２１３の下部のＳｉＯ₂膜２１２を除去し中空部２１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体チップ（１）内に集積化される垂直ホールセンサおよびそれの製造のための方法に関する。
【解決手段】 垂直ホールセンサは、第２の導電型の導電性領域（３）内に埋め込まれる、第１の導電型の導電性ウェル（２）を有する。電気的接点（４）が、導電性ウェル（２）の平坦面（５）上で直線（６）に沿って配置される。導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。 （もっと読む）