【課題】
乗算信号の出力低下を回避しつつ、低いローカルパワーで作動可能とする。
【解決手段】
磁化固定層、磁化自由層、および前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、高周波信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果によって両信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して電圧信号（乗算信号）Ｓ３を生成する磁気抵抗効果素子２の磁化自由層に対し、磁場印加部３より発生する磁場を膜面法線方向、または膜面方向から膜面法線方向に傾けて掛けることで、Ｑ値の高い共振特性を得ることができ、大きな乗算信号を得ることができ、さらに狭帯域周波数選択性の機能を有する周波数変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
大きな乗算信号を取り出すことが可能で、さらに受信用バンドパスフィルタ機能を有した混合器を提供することを主目的とする。
【解決手段】
磁化固定層、磁化自由層、および前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、高周波信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果によって当該両信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して電圧信号（乗算信号）Ｓ４を生成する磁気抵抗効果素子２から得た乗算信号は、共振特性の強度に応じて増減し、共振周波数ｆ０と両信号Ｓ１，Ｓ２のそれぞれ周波数ｆ１、ｆ２が一致するときに最大強度を示し、共振周波数ｆ０から周波数ｆ１、ｆ２の両方またはいずれか一つが離れると減衰する。あたかもバンドパスフィルタを挿入したときと同じ効果があり、磁場印加部３による磁場を制御することで、所望のバンドパスフィルタを有する周波数変換装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶素子を構成する層を、周辺回路部内で有効に活用する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体磁気記憶装置は、セルトランジスタを含むセル部と、周辺トランジスタを含む周辺回路部とが形成された半導体基板を備える。さらに、前記装置は、前記セル部内に配置され、下部電極と、前記下部電極上に形成された電極間層と、前記電極間層上に形成された上部電極とを含む磁気記憶素子を備える。さらに、前記装置は、前記周辺回路部内に配置され、前記下部電極を形成している第１の層と、前記電極間層を形成している第２の層と、前記上部電極を形成している第３の層とを含む構造体を備える。さらに、前記装置は、前記第１の層に電気的に接続された第１及び第２のプラグを備える。さらに、前記第１の層は、前記第１のプラグと前記第２のプラグを電気的に接続する配線として機能する。 （もっと読む）

【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、熱流のみを用いて、スピントルク（ＳＴ）効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるＳＴＯは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の１つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク（ＳＴＴ）が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い磁界検出方法を提供する。
【解決手段】
トンネル磁気抵抗効果素子１０を用いて外部磁界を検出する磁界検出方法が提供される。磁界検出方法は、トンネル磁気抵抗効果素子１０の自由層１５の磁化方向を変化させるバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを同時に、もしくはバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを個別にトンネル磁気抵抗効果素子１０に印加したときの電気特性を測定するステップと、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘに応じて測定されたトンネル磁気抵抗効果素子１０の電気特性に基づいて外部磁界を算出するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】小さいバンドギャップを持つ障壁膜を岩塩構造の（００１）方向に高配向させて、低抵抗かつ高効率なスピン注入素子を提供する。
【解決手段】下地膜３００、非磁性シード膜３１０、強磁性膜３０５、障壁膜３０７、強磁性膜３０８、保護膜３０９を積層してトンネル磁気抵抗効果素子１を形成する。非磁性シード膜３１０として、格子定数が強磁性膜３０５の格子定数の√２倍よりも小さい面心立方格子の物質を用いる。 （もっと読む）

【課題】より容易な方法で集積度を向上させた情報格納装置を提供する。
【解決手段】本発明の情報格納装置は、基板と、基板上のゲートライン構造体を含むトランジスターと、少なくとも一部が基板内に埋め込まれてトランジスターの活性領域を定義する導電性分離パターン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎｓ）と、を有し、導電性分離パターンは、互いに電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】記録層に作用する参照層からの漏洩磁界を低減しつつ、トンネルバリア層の絶縁不良を低減する。
【解決手段】実施形態による磁気ランダムアクセスメモリは、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が可変である記録層１８と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が不変である参照層１６と、記録層及び参照層間に設けられた第１の非磁性層１５と、をそれぞれ具備する複数の磁気抵抗素子１０を備え、記録層は、複数の磁気抵抗素子毎に物理的に分離され、参照層及び第１の非磁性層は、複数の磁気抵抗素子を跨いで連続的に延在する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の縮小を図る。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、メモリセル部の素子領域１０ａ上に形成された第１の拡散層１７ａと、第１の拡散層に接続された第１のコンタクトＣＢ１と、第１のコンタクト上に形成された第１の下部電極層２１ａと、第１の下部電極層上に形成された第１の抵抗変化層２２ａ及び第１の上部電極層２３ａと、周辺回路部において互いに異なる素子領域に形成された第２乃至第４の拡散層１７ｄ、１７ｅと、第２乃至第４の拡散層に接続された第２乃至第４のコンタクトＣＳ１、ＣＳ２と、第１の下部電極層、第１の抵抗変化層、第１の上部電極層と同じ高さに形成された第２の下部電極層２１ｂ、第２の抵抗変化層２２ｂ、第２の上部電極層２３ｂとを具備する。第２の下部電極層は、第２及び第３のコンタクトを接続する第１のローカル配線Ｌ１として機能する。 （もっと読む）

【課題】選択されない磁気抵抗素子の磁化状態が誤って書き換えられる現象の発生が確実に抑制される半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】当該制御方法は、半導体基板と、半導体基板の主表面上に位置する、固定層ＭＰＬと、トンネル絶縁層と、磁化容易軸を有する自由層ＭＦＬとを含む磁気抵抗素子と、磁気抵抗素子に隣接する第１の配線とを備える半導体装置における磁化状態を書き換える制御方法である。上記制御方法は以下の工程を備えている。まず上記自由層ＭＦＬの磁化状態を変更する前の初期磁化状態が判定される。上記判定する工程において、自由層ＭＦＬの磁化状態を変更する必要があると判定された場合に、第１の配線にパルス電流が流される。上記パルス電流により、自由層ＭＦＬの磁化容易軸と交差する方向に発生するパルス磁場を磁気抵抗素子に印加することにより自由層ＭＦＬの磁化状態が変更される。 （もっと読む）

【課題】書込電流と熱安定性をバランスさせた記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる磁化を有する磁化固定層と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層とを有する。そして記憶層、絶縁層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに、記憶層のサイズが磁化の向きの変化が一斉に生じる大きさよりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＰ−ＣＰＰ素子のＭＲ変化率を向上させる。
【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層の層中、前記磁化自由層の層中、前記磁化固着層及び前記スペーサ層の界面、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ａｌを含む機能層を設ける。 （もっと読む）

【課題】微細化に伴って増大する固定層からの漏れ磁場を低減でき、記憶層における磁化の平行と反平行の２つの状態を安定に存在できるようにした磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１は、固定層２、記憶層３、及び非磁性層４を備える。固定層２は、非磁性層４に接する第１強磁性材料３１、第２強磁性材料３２、第１強磁性材料３１と第２強磁性材料３２との間に設けられた第１非磁性材料３３を有する。第１強磁性材料３１は、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうちの少なくとも１つの元素と、Ｃｏとを含む。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の微細化に伴って増大する漏洩磁界をキャンセルする。
【解決手段】実施形態に係わる磁気抵抗素子は、垂直及び可変の磁化を持つ記憶層２と、垂直及び不変の磁化を持つ参照層４と、垂直、不変及び参照層３の磁化に対して逆向きの磁化を持つシフト調整層６と、記憶層２及び参照層４間の第１の非磁性層３と、参照層４及びシフト調整層６間の第２の非磁性層５とを備える。参照層４の反転磁界は、記憶層２の反転磁界と同じ又はそれよりも小さく、参照層４の磁気緩和定数は、記憶層２の磁気緩和定数よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】低電流で記憶層の磁化を反転させることができるスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】膜面に垂直方向の磁化容易軸を有し、磁化方向が可変の記憶層３と、膜面に垂直方向の磁化容易軸を有し、磁化方向が不変の固定層２と、記憶層３と固定層２との間に設けられた非磁性層４と、記憶層３の、非磁性層４が配置された面と反対の面側に配置された配線層１０を有する。記憶層３は、磁性材料３１、３３と非磁性材料３２、３４とが交互に積層された構造を有する。非磁性材料３２、３４がＴａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆの少なくとも１つの元素を含む。磁性材料３１、３３はＣｏとＦｅを含む。磁性材料のうちの１つは非磁性層４と接し、非磁性材料のうちの１つは配線層と接している。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定であると共に、磁気抵抗比の低下が抑制できるスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】固定層２は、非磁性層４に接するように設けられた第１磁性材料膜２ａと、第１磁性材料膜２ａに接するように設けられた非磁性材料膜２ｂと、非磁性材料膜２ｂに接するように設けられた第２磁性材料膜２ｃと、第２磁性材料膜２ｃに接するように設けられた第３磁性材料膜２ｄとが積層された構造を備える。第２磁性材料膜２ｃは第１磁性材料膜２ａよりも高いＣｏ濃度を有する。固定層２と記憶層３との間に非磁性層４を介して電流を流すことにより、記憶層３の磁化の向きを可変する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気減衰自由層を備えたスピントルク発振器（ＳＴＯ）を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器（ＳＴＯ）は、発振自由強磁性層の磁気減衰を増加させる。ギルバート磁気減衰パラメータ（α）は、少なくとも０．０５、好ましくは０．０５より大きい。自由層は、任意のタイプの従来の強磁性材料であってもよいが、ドーパントとして１つまたは複数の減衰元素を含む。減衰元素は、Ｐｔ、Ｐｄおよび１５のランタニド元素からなる群から選択される。自由層減衰は、自由層に隣接する減衰層によって増加させてもよい。減衰層の一タイプは、Ｍｎ合金のような反強磁性材料であってもよい。反強磁性減衰層に対する変更例として、二重層減衰層を、反強磁性減衰層と、自由層および反強磁性層間の非磁性金属導電分離層とで形成してもよい。別のタイプの減衰層は、Ｐｔ、Ｐｄおよびランタニドから選択された元素の１つまたは複数で形成された層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】安定して動作可能な磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の磁気抵抗効果は、下部電極と、第１の磁性層と、第１の金属層と、第１の界面磁性層と、非磁性層と、第２の界面磁性層と、第２の金属層と、第２の磁性層と、上部電極層と、を持つ。前記第１の磁性層は、前記下部電極上に設けられて第１の金属原子を含む。前記第１の金属層は、前記第１の磁性層上に設けられて前記第１の金属原子を含む。前記第１の界面磁性層は、前記第１の金属層上に設けられる。前記非磁性層は、前記第１の界面磁性層上に設けられる。前記第２の界面磁性層は、前記非磁性層上に設けられる。前記第２の金属層は、前記第２の界面磁性層上に設けられ、第２の金属原子を含む。前記第２の磁性層は、前記第２の金属層上に設けられ、前記第２の金属原子を含む。前記上部電極層は、前記第２の磁性層上に設けられる。前記第１の界面磁性層は、前記非磁性層側と反対側の界面にアモルファス金属層を含む。 （もっと読む）

【課題】安定して動作可能な磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の磁気抵抗効果素子は、下部電極と、第１の磁性層と、第１の界面磁性層と、第２の界面磁性層と、第２の磁性層と、上部電極とを持つ。前記第１の磁性層は前記下部電極上に設けられる。前記第１の界面磁性層は、前記第１の磁性層上に設けられる。前記非磁性層は、前記第１の界面磁性層上に設けられる。前記第２の磁性層は前記第２の界面磁性層上に設けられる。前記上部電極は、前記第２の磁性層上に設けられる。前記第１および第２の磁性層は、それぞれ磁化記憶層および磁化参照層の一方および他方である。前記上部電極は、貴金属と遷移元素もしくは希土類元素の合金層もしくは混合物層、または導電性酸化物層を含む。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子間の磁気的な干渉作用を遮断し、安定した動作を可能にし、且つ、容易に製造することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板上にマトリックス状に配列した複数の磁気抵抗効果素子を有し、各磁気抵抗効果素子は、半導体基板上に形成された第１の磁性層と、第１の磁性層上に形成された非磁性層と、非磁性層上に形成された第２の磁性層とからなる積層構造を有し、隣り合う各磁気抵抗効果素子の間には、金属、又は、磁性体材料が分散された絶縁膜が埋め込まれている。 （もっと読む）