ｐｎ接合を含む半導体構造を形成するために半導体グレードシリコンを溶射するよう構成されたプラズマ溶射ガン（１０）は、カソード（１６）またはアノード（２２）またはプラズマに面する他の部品（２８）または少なくとも表面部が高純度シリコンからなりシリコン粉末を運ぶ部品（３４）などのシリコン部品を含む。シリコン粉末は、好ましくは１０ミクロンよりも小さい。半導体ドーパントは溶射したシリコンに含まれてもよい。 （もっと読む）

結晶支持構造１１０をその上に有する基板１１５とＩＩＩ−Ｖ結晶２１０を備えるデバイス１００。ＩＩＩ−Ｖ結晶は、結晶支持構造の１つの単一接触領域１４０上にある。接触領域の面積は、ＩＩＩ−Ｖ結晶の表面積３２０の約５０パーセント以下である。
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【課題】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を提供すること。
【解決手段】少なくとも一方の表面がＳｉである基板１と、前記基板１のＳｉ表面のうちの１つの表面上に配置されている、エピタキシャル成長により形成されたＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ型ＢａＳｉ_２層２と、前記ｎ型ＢａＳｉ_２層２上に配置されている周期表１３〜１５族に属する少なくとも１種の不純物原子とＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３と、前記ｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３上に配置されている上部電極６と、前記基板１の一方の表面上に配置されている下部電極５と、を備えることを特徴とするシリコンベースの高効率太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。
【解決手段】 Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、且つ精密にサイズ・位置制御がなされ、デバイスへの集積化の自由度の高められた、均質なβ-FeSi₂又はFeSi₂アモルファスドットアレイ構造体とその効率的な作製方法を提供する。
【解決手段】 β-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスをを含有するドットが基板表面に均質に設けられたFeSi₂ドットアレイ構造体。この構造体を、FeSi₂膜を有する透明板の膜面側に基板を対向させ、透明板側からパルスレーザー光を照射し、対向基板上にβ-FeSi₂結晶又はFeSi₂アモルファスを含有するドットを転写することにより作製する。 （もっと読む）

【課題】加熱チャンバーにより加熱された基板の温度を均一に保持しつつ大気圧から真空に移行させることができるロードロックチャンバーを備えた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置１におけるロードロックチャンバー２０は、その内部空間を所定温度に保持するための保熱手段２３を備える。この保熱手段２３は、基板が収容される内部空間を形成し且つ該内部空間における対流の発生を実質的に防止又は抑制するように配置された複数のヒータパネル２３ａ〜２３ｃからなる。このような構成により、上記の内部空間Ｓにおいて対流が発生しにくくなるので、ロードロックチャンバー２０内に搬入されてきた基板２の温度を均一に保持しつつ大気圧から真空に移行させることができる。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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【課題】鉄シリサイド層の製造方法並びに半導体基板及び光半導体装置において、β−ＦｅＳｉ_２の平坦で良質な連続膜を形成すること及び高キャリア移動度を得ること。
【解決手段】結晶面（００１）を表面に有するＳｉ基板１上にβ−ＦｅＳｉ_２の鉄シリサイド層４ｂを成膜する方法であって、前記Ｓｉ基板上に設けられたＳｉＧｅ層上に、直接又は歪みＳｉ層を介して前記鉄シリサイド層をエピタキシャル成長する鉄シリサイド層形成工程を有し、該鉄シリサイド層形成工程は、４００℃以上９４０℃以下の成膜温度でＦｅ原料とＳｉ原料とを同時に供給して前記鉄シリサイド層の少なくとも一部を成膜する高温成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、安価に、安全に結晶性シリコン薄膜を得て、該結晶性シリコン薄膜から容易に終端処理された結晶性シリコン薄膜を得ることができる結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲットＴと被成膜物品Ｓを設置した成膜室１内に水素ガスを導入し、高周波電力を印加して、プラズマ発光における波長６５６ｎｍでの水素原子ラジカルの発光スペクトル強度Ｈα及び波長４１４ｎｍでのシランラジカルの発光スペクトル強度ＳｉＨ^* との比（Ｈα／ＳｉＨ^* ）が０．３〜１．３であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲットＴをケミカルスパッタリングして被成膜物品Ｓ上に結晶性シリコン薄膜を形成し、次いで、終端処理室１０において、終端処理用ガスに高周波電力を印加することで発生させた終端処理用プラズマのもとで該結晶性シリコン薄膜の表面を終端処理する。 （もっと読む）

【課題】 高品位の結晶性を有し、優れた光・電気特性を示すβ−FeSi₂を高効率で得ることができ、しかも広範囲な基板への集積が可能な低温での合成が簡便に行える、工業的に有利なβ−FeSi₂の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザーアニーリングによりβ−FeSi₂種結晶を有する薄膜からβ−FeSi₂を製造する方法において、該レーザーアニーリングを、β−FeSi₂種結晶を有する薄膜表面の少なくとも一部が液相状態となる条件下で行う。好ましくは、レーザーアニーリングに用いる照射レーザーフルエンスを０．３J/cm²〜１．５J/cm²、パルスレーザー光の照射回数が１〜１００ショットとする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な工程でありながらも、比較的安価なＳｉ基板上に高品質な半導体薄膜を形成する方法と、その方法によって得られる半導体薄膜構造物を提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ基板上に半導体を結晶成長させて薄膜を形成する方法であって、対象の半導体を結晶成長させるＳｉ基板の上面を、微小角度傾斜させた状態で、結晶成長装置内にＳｉ基板をセッティングし、そのＳｉ基板の傾斜角度は、対象半導体結晶の底面に相応する結晶軸の格子定数のＳｉ基板上面に対する正射影が、Ｓｉ基板の上面に相応する結晶軸の格子定数と略一致する角度とする。 （もっと読む）

【課題】特別な材質や特異な形状の電極、ホルダーを使用しなくとも、シリコンロッドのクラック発生を十分に低減させることができる多結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】逆Ｕ字型のシリコン芯線の各端部を一対の電極上にそれぞれ通電可能に取り付けた多結晶シリコンの製造装置において、該シリコン芯線の端部が、これを保持する導電性のホルダーを介して電極と電気的に接続され、かつ、少なくとも一方のホルダーが、電極面上を少なくとも逆Ｕ字型のシリコン芯線の両端を結ぶ直線方向の左右方向何れの方向にも摺動可能であるたことを特徴とする多結晶シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率の向上を実現し得るカルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ソーダライムガラス基板１上に形成されたＭｏ電極層２上に、Ｃｕ、Ｉｎ及びＧａを含むプリカーサ層４をスパッタリング法により形成するプリカーサ形成工程と、プリカーサ形成が行われた基板１に対して、５００℃より高く、かつ、基板融点より低い温度範囲のＨ₂Ｓｅガス雰囲気中で熱処理を行って光吸収層４を形成するセレン化工程と、光吸収層４上に、ＩｎＡｌＳを含むｎ型のバッファ層５を形成するバッファ層形成工程と、バッファ層５上に透明電極層６を形成する透明電極層形成工程と、を行ってカルコパイライト型薄膜太陽電池を得る。 （もっと読む）

【課題】金属をドープしたＴｉＯ_２膜を高速にて成膜する方法を提供する。
【解決手段】ＴｉＯ_ｘ（但し、ｘは０．５以上１．９９以下）よりなる第１のターゲット２１ａと、金属をドープしたＴｉＯ_ｘ（但し、ｘは０．５以上１．９９以下）よりなる第２のターゲット２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａのスパッタ時におけるＴｉの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａによって検知される。また、ターゲット２１ｂのスパッタ時におけるＴｉ及びドープ金属の放電の発光波長と発光強度が、コリメータ３０ｂ、フィルタ及び光倍増幅管を介して電気信号となり、ＰＥＭ３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に導入する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】ＮをドープしたＺｎＯ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部におけるターゲット２１ａ，２１ｂの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、アルゴン等の不活性ガス中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。Ｚｎよりなる第１、第２のターゲット２１ａ，２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量及び窒素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】低い温度でシリコン薄膜を形成しつつ、不純物の濃度を低く抑えることのできるシリコン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン薄膜の製造方法は、基板１をチャンバ１０内に配置するステップと、イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板１上にシリコン薄膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする。前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバ１０の基本気圧を１０^−１２Ｔｏｒｒ以上１０^−７Ｔｏｒｒ以下に調節するのがよい。 （もっと読む）

【課題】酸化数が精密に制御された金属ドープＣｕ_２Ｏ膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたＣｕ_２Ｏ膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅の発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。ターゲット２１ａ，２１ｂの一方は銅であり、他方はドープ金属である。 （もっと読む）

本発明は光起電薄膜太陽電池（３１０）を提供し、この電池（３１０）は垂直に向けたパレット（３２０）ベースの基材（３１０）を一続きの反応チャンバー（３３０、３４０）へ提供することによって製造され、その反応性チャンバー（３３０、３４０）では複数の層が順次このパレット（３２０）上で形成され得る。 （もっと読む）

最も近い既知の方法では、コヒーレント光源の光が目下の層表面に送出され、成長に依存して変化する微細な粗さに基づく拡散性の後方散乱が検出器によって時間に依存して検出される。これによって特徴的な点を介して、プロセスとの時間的な関連が形成される。しかしこの公知の方法は場所分解能を有しておらず、場所固定の基板でのみ使用可能である。従って、特に太陽電池用のカルコパイライト薄膜技術において使用される継続作動における同時蒸着用の本発明による方法では光ビーム（ＬＬＳ）が周期的かつ継続的に移動基板（Ｓ）にわたってガイドされ、ここで光ビーム（ＬＬＳ）の走査速度は移動基板（Ｓ）の前進速度よりも格段に高い。後方散乱光の検出は、目下の層表面上の入射場所に依存して行われる。測定された特徴的な点（１，２，２ａ，３，４）を既知の析出プロセスに割当てることによって場所的な散乱光プロフィールが作成される。この散乱光プロフィールによって、予期される層のクオリティに関する予測がデポジションプロセスの各時点および場所でなされる。偏差は現場で、相応のプロセスパラメータを変えることによって調整される。
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