【課題】 光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素を含む皮膜を、カルコゲン蒸気を含む第１の雰囲気において加熱した後、カルコゲン化水素を含む第２の雰囲気において加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む半導体層にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に形成でき良好な結晶性を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。前記機能層は、前記第１層の上に形成され、窒化物半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】大気圧で基板上に気化された化学材料を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】大気圧で基板を被覆する方法が、加熱された不活性ガス流の中で、ほぼ大気圧で、制御された質量の半導体材料を気化させ、半導体材料の凝縮温度より高い温度を有する流体混合物を生成するステップと、ほぼ大気圧で、半導体材料の凝縮温度より低い温度を有する基板の上に流体混合物を向けるステップと、半導体材料の層を基板の表面の上に堆積させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】励起時の発光能を有するβ−鉄シリサイド薄膜、該薄膜の製造方法及び薄膜の製造装置の提供。
【解決手段】レーザを鉄シリサイドからなるターゲット１２に照射して、ターゲット１２から発生する飛散粒子をシリコン基板１０に付着させるレーザアブレーション法を用いるに際し、ターゲット１２及び基板１０を略平行となるように配置し、これらの回転軸（Ｃ_１０及びＣ_１２（Ｃ_１２’））が重ならないように回転させ、ターゲット１２へのレーザ照射部位を変化させると共に、薄膜形成時における薄膜形成部位の位置を変化させつつ、基板１０上にβ−鉄シリサイド薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際、同時にアルミニウム（Ａｌ）をドープする。 （もっと読む）

【課題】 組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅを不活性ガス中で加熱、溶解してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金溶湯を作製する工程と、四元系合金溶湯を鋳造してインゴットを作製する工程と、インゴットを粉砕して四元系合金粉末を作製する工程と、四元系合金粉末を不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有し、四元系合金溶湯を作製する工程で、ＩｎとＧａとが全て溶解する温度であってＳｅの融点未満の温度に加熱して少なくとも固相のＳｅと、液相のＩｎとＧａとからなる溶湯とが共存する第１の溶解工程Ｓ１と、該第１の溶解工程後に四元系合金の融点以上の温度に加熱して四元系合金溶湯を作製する第２の溶解工程Ｓ２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好な膜質の光応答性化合物半導体薄膜を安価にかつ簡便に製造する。
【解決手段】ガス中に化合物半導体の原料粒子を分散させたエアロゾルを基板に向けて噴射、衝突させて、基板上に化合物半導体薄膜を形成するエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により化合物半導体薄膜を製造する方法。ＡＤ法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有するＣＩＳ系薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明のＣＩＳ系薄膜太陽電池は、高歪点ガラス基板（１）、アルカリ制御層（２）、裏面電極層（３）、ｐ型ＣＩＳ系光吸収層（４）、ｎ型透明導電膜（６）の順に積層されたＣＩＳ系薄膜太陽電池において、前記アルカリ制御層（２）を、膜厚が２．００〜１０．００ｎｍ、屈折率が１．４５０〜１．５００の範囲のシリカ膜で形成する。 （もっと読む）

基板ウェブ上に半導体材料吸収層の薄膜層を形成するための改善された方法および装置を提供する。本発明の教示に従って、半導体層をマルチゾーンプロセスで形成することができ、これにより、さまざまな層が移動する基板ウェブ上に順次蒸着される。
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【課題】受光領域に到達するまでに光の減衰をなるべく防止するとともに、界面でのメジャーキャリアを電子とし、受光領域の検出感度や応答速度が低下しないようなフォトダイオードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１に、ｎ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｎ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないシリコン基板１上に積層されたＧａＮ層２との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。ＧａＮは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。したがって、高感度、高安定性を実現できる。また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。これにより、高速応答性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上の主面側に形成され受光した光を電力に変換する発電層と、前記主面側に形成され該発電層に光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と、前記発電層に光が入射する側に形成された透光性電極とを具備する太陽電池であって、前記透光性電極が結晶性ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキシド）を含む透光性電極であることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】キャリアのさらなる短寿命化が図られたテラヘルツ電磁波対応ウェハ、テラヘルツ発生検出デバイス及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るテラヘルツ電磁波対応ウェハ１１においては、表面１１ａ近傍には多数のＡｓクラスター２６が析出している。このＡｓクラスター２６は、キャリアの捕獲中心として働くことが知られており、特に、表面１１ａ近傍におけるＡｓクラスター２６がキャリア捕捉に大きく寄与することが知られている。また、エピタキシャル層１６が酸素を含有しており、この酸素により深い準位が形成されている。従って、このテラヘルツ電磁波対応ウェハ１１においては、エピタキシャル層１６の表面１１ａ近傍におけるＡｓクラスター２６が有意に増量されると共に、エピタキシャル層１６中に酸素が含有されているため、キャリアのさらなる短寿命化を実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯幅の制御が可能な六方晶構造を有するIII族酸化物半導体を見出し、これを含む半導体素子、光電変換素子、紫外線検出素子、酸化物発光素子、発光素子を提供することにある。
【解決手段】 Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。バルクでの熱力学的固溶限界域を超えた組成での固溶体薄膜、熱力学的に不安定な六方晶構造を有する混晶薄膜を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】低温でＣｕ_２Ｏ薄膜を高結晶化させる方法及び結晶性が高く、ホール移動度の高いＣｕ_２Ｏ薄膜が、高分子フィルムよりなる基板上に積層されてなる積層体を提供する。
【解決手段】基板上にＣｕ_２Ｏ薄膜が積層されてなる積層体１０が、ガラスチャンバ１内に配置されている。この基板は高分子フィルムよりなっている。Ａｒガス雰囲気において、電極２，３間に高周波電力を印加し、積層体１０のプラズマ処理を行う。これにより、Ｃｕ_２Ｏ薄膜が高結晶化し、Ｃｕ_２Ｏ薄膜のホール移動度が向上する。 （もっと読む）