【課題】 高品位の結晶性を有し、優れた光・電気特性を示すβ−FeSi₂を高効率で得ることができ、しかも広範囲な基板への集積が可能な低温での合成が簡便に行える、工業的に有利なβ−FeSi₂の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザーアニーリングによりβ−FeSi₂種結晶を有する薄膜からβ−FeSi₂を製造する方法において、該レーザーアニーリングを、β−FeSi₂種結晶を有する薄膜表面の少なくとも一部が液相状態となる条件下で行う。好ましくは、レーザーアニーリングに用いる照射レーザーフルエンスを０．３J/cm²〜１．５J/cm²、パルスレーザー光の照射回数が１〜１００ショットとする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良いＩＩＩ族窒化物を格子整合基板上に成長させる。
【解決手段】ＧａＮ膜を有する窒化物半導体素子１０は、表面が平坦化されたＺｎＯ基板１１の表面上に、ＧａＮ層１２が形成される。ＧａＮ層１２は、３００℃以下の温度でＧａＮをエピタキシャル成長させる第１の成膜工程と、上記第１の成膜工程により成膜されたＧａＮ上に、５５０℃以上の温度でＧａＮをエピタキシャル成長させる第２の成膜工程とにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】反射板を使用することによってノズルの熱を効果的に高め、ノズルでの蒸着物質の凝縮を防止することができる蒸発源を提供する。
【解決手段】蒸着物質が位置し、一部分が開口された蒸着物質貯蔵部と、前記蒸着物質貯蔵部の開口された部分に連結され、前記蒸着物質を噴射するための開口部を有するノズル部と、前記ノズル部の少なくとも一部の角部を取り囲む反射板と、前記蒸着物質貯蔵部を取り囲むハウジングと、前記ハウジングと前記蒸着物質貯蔵部との間に介在される加熱部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高品質のＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法およびｐｎ接合型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 真空層５２内を減圧し、酸素ラジカルを注入しながらセル５５ａを加熱し、Ｇａの分子線９０、およびセル５５ｂを加熱し、Ｍｇの分子線９０をＧａ_２Ｏ_３系化合物からなる基板２５上に照射して、基板２５上にｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３からなるｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】容易な有機半導体の精製方法について提供することを課題とする。また、良好な動作特性を示す半導体装置について提供する。
【解決手段】この有機半導体の精製方法の一は、有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴としている。半導体装置は、第１の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理をして得られた第２の有機半導体を活性層として用いていることを特徴としている。 （もっと読む）

最も近い既知の方法では、コヒーレント光源の光が目下の層表面に送出され、成長に依存して変化する微細な粗さに基づく拡散性の後方散乱が検出器によって時間に依存して検出される。これによって特徴的な点を介して、プロセスとの時間的な関連が形成される。しかしこの公知の方法は場所分解能を有しておらず、場所固定の基板でのみ使用可能である。従って、特に太陽電池用のカルコパイライト薄膜技術において使用される継続作動における同時蒸着用の本発明による方法では光ビーム（ＬＬＳ）が周期的かつ継続的に移動基板（Ｓ）にわたってガイドされ、ここで光ビーム（ＬＬＳ）の走査速度は移動基板（Ｓ）の前進速度よりも格段に高い。後方散乱光の検出は、目下の層表面上の入射場所に依存して行われる。測定された特徴的な点（１，２，２ａ，３，４）を既知の析出プロセスに割当てることによって場所的な散乱光プロフィールが作成される。この散乱光プロフィールによって、予期される層のクオリティに関する予測がデポジションプロセスの各時点および場所でなされる。偏差は現場で、相応のプロセスパラメータを変えることによって調整される。
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【課題】プラズマを用いる半導体製造装置における反応チャンバ内のプラズマ密度の分布を制御し、半導体基板面内の膜形成あるいは加工を均一に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】電気的に相互に独立したＲＦ放電により複数の部分プラズマ１０を発生させることで全体プラズマ１１の密度を制御するための複数の分割ＲＦ電極７を備えたＲＦ電極部５を有する。その各々の分割ＲＦ電極７に、別々に電力を供給する電力供給手段を有することにより、分割ＲＦ電極７に供給された電力に応じた密度を有する複数の部分プラズマ１０が発生する。この複数の部分プラズマ１０が集合して全体プラズマ１１が形成される。部分プラズマ１０の密度を制御することにより、全体プラズマ１１の密度を制御する。この全体プラズマ１１を用いてその基板の面内を均一に処理する。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＡｌＮ結晶、ＡｌＧａＮ固溶体の生産において生産性やキャリア濃度が十分でないという問題があった。本発明はこのような問題点を解決し、半導体素子として利用するのに必要な、低抵抗のｎ型ＡｌＧａＮ固溶体を得る。
【解決手段】 ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部、またはＡｌＧａＮ固溶体のＡｌまたは／およびＧａ原子をIIａ族元素で、隣接するＮ原子のうち２原子をＯ原子で同時に置換することにより、不純物準位が浅い、低抵抗のｎ型ＡｌＮ結晶若しくはｎ型ＡｌＧａＮ固溶体を作製する。ＡｌＮ結晶、ＡｌＧａＮ固溶体の製造方法としては、ＣＶＤ法，ＭＢＥ法等の方法によることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板にダメージを与えることなく酸化亜鉛等の膜を形成することができる膜形成方法等を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高速な応答特性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，ＢにＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置され、ゲート電極が形成された基板上に堆積し、該ゲート電極に対応するようにＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層を堆積・被覆し、該拡散障壁層に接して導電部分を配設することによって構成される配線構造であって、層間絶縁膜層（有機絶縁膜層）３０と拡散障壁層との界面付近に高速粒子照射により両側の部材を構成する原子又は分子が互いにミキシングされた状態のミキシング領域（ミキシング層３１）を形成した。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、電気的高周波的な特性が考慮されていなかった。
【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有するプラズマチャンバＣＮと、この電極４，８に接続された高周波電源１と、プラズマチャンバＣＮと高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備し、整合回路２Ａをその出力端ＰＲから切り離し、給電板３で測定したプラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ₀ の３倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ_e より大きな値の範囲に設定されてなる。 （もっと読む）