【課題】薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を提供すること。
【解決手段】少なくとも一方の表面がＳｉである基板１と、前記基板１のＳｉ表面のうちの１つの表面上に配置されている、エピタキシャル成長により形成されたＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ型ＢａＳｉ_２層２と、前記ｎ型ＢａＳｉ_２層２上に配置されている周期表１３〜１５族に属する少なくとも１種の不純物原子とＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３と、前記ｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３上に配置されている上部電極６と、前記基板１の一方の表面上に配置されている下部電極５と、を備えることを特徴とするシリコンベースの高効率太陽電池。 （もっと読む）

【課題】基板上にＩＩＩ族窒化物を均一な膜厚で堆積することができ、高いスループットを維持し、大面積の基板であっても製造可能な半導体基板の製造方法、半導体基板の製造装置及び半導体基板を提供すること。
【解決手段】窒素ガス雰囲気でＩＩＩ族金属又はＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるターゲット２２にパルス電子線を照射することにより、パルスレーザ光を照射する場合に比べてターゲットを構成する原子又は分子に高い運動エネルギーを与えることができ、ＩＩＩ族金属の原子又はＩＩＩ−Ｖ族化合物の分子のプルームを広い範囲で形成することができる。本発明では、このように広い範囲で形成されたプルームを基板に近接させるので、ＩＩＩ族窒化物の薄膜を基板３２の広い範囲に均一に堆積させることができる。 （もっと読む）

【課題】 プロセスマージンが広く、特性に優れ、且つ信頼性の高い酸化物薄膜トランジスタを作成する。
【解決手段】 アモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記活性層を形成する工程は、
導入酸素分圧が１×１０^−３Ｐａ以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第２の工程と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス等に使用できる結晶性のよいＩｎＮおよびＩｎ組成の大きなＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＺｎＯ基板上に成長することで形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層は、前記基板上に直接接して形成された第一層と、この第一層上に直接接して形成された第二層とを少なくとも有し、前記第一層が、Ｉｎ_ａＧａ_１−ａＮ（但し、ａは、０≦ａ≦０．１６を満たす数である）であり、前記第二層が、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（但し、ｘは、０．５≦ｘ≦１を満たす数である）であることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ／ＩＩ−ＶＩ半導体インターフェイスを再現的に製造する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素ソース（６８、１７０）、ＩＩ族元素ソース（７２、９２’）、Ｖ族元素ソース（７０、１７２）、及びＶＩ族元素ソースを含む分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置（５０、１５０）を準備する。ＩＩＩ−Ｖ半導体表面を有する基板（１２）をＭＢＥ装置（５０、１５０）内に位置決めする。基板（１２）を次にＩＩＩ−Ｖ半導体成長に適切な温度まで加熱し、結晶質ＩＩＩ−Ｖ半導体バッファ層（１４）を成長させる。基板の温度を交互分子線エピタキシーによってＩＩ−ＶＩ半導体成長に適切な温度まで調整し、結晶質ＩＩ−ＶＩ半導体バッファ層（１６）をＩＩＩ−Ｖバッファ層上に成長させる。ＩＩ族及びＶＩ族ソースを操作して、ＩＩＩ−Ｖバッファ層をＶＩ族元素フラックスに暴露する前にＩＩ族元素フラックスに暴露させる。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体よりも熱膨張係数の小さな基板を備える半導体素子であって、クラックが生じず、結晶性の良い半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０と、基板１０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる中間層３０と、中間層３０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる半導体層２０とを備える。半導体層２０の熱膨張係数は、基板１０の熱膨張係数より大きい。又、中間層３０の酸化亜鉛結晶構造におけるｃ軸長は、半導体層２０の酸化亜鉛結晶構造におけるｃ軸長よりも長い。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にｐｎ接合を、容易かつ安価に形成する方法を提案すること。
【解決手段】一方の面に導電薄膜２が設けられたｐ型シリコン基板１と、上記ｐ型シリコン基板２の他方の面にｐｎ接合されたｎ型酸化亜鉛薄膜３と、上記ｎ型酸化亜鉛薄膜３の他方の面に形成された第１の光透過性導電薄膜４とを備える酸化亜鉛光デバイスにおいて、上記ｐ型シリコン基板１の表面に酸化亜鉛をレーザー・アブレーション技術により積層させ、その後にアニールすることにより、上記ｐ型シリコン基板１と上記ｎ型酸化亜鉛薄膜３をｐｎ接合させたことを特徴とする酸化亜鉛光デバイス。 （もっと読む）

ＩｎＰ基板並びにＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−Ｖ材料の交番層を含む層状構造体が提供される。ＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−Ｖ材料の交番層は、典型的にはＩｎＰ基板に格子整合しているか又はシュードモルフィックである。典型的には、ＩＩ−ＶＩ材料は、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＭｇＺｎＳｅ、ＢｅＺｎＴｅ、又はＢｅＭｇＺｎＴｅ合金から選択され、及び最も典型的にはＣｄ_ｘＺｎ_１−ｘＳｅであり、ここでｘは０．５５〜０．５７である。典型的には、ＩＩＩ−Ｖ材料は、ＩｎＡｌＡｓ又はＡｌＩｎＧａＡｓ合金から選択され、及び最も典型的には、ＩｎＰ又はＩｎ_ｙＡｌ_１−ｙＡｓであり、ここでｙは０．５３〜０．５７である。層状構造体は、１以上の分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を形成することができる。別の態様では、本発明は、ＩｎＰ基板及びエピタキシャル半導体材料の１５層対以下を含む９５％以上の反射率を有する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を含む層状構造体を提供する。別の態様では、本発明は、層状構造体を含むレーザー又は光検知器を提供する。
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【課題】 活性化率の高いＺｎＯ結晶、またはＺｎＯ系半導体化合物結晶を含むＺｎＯ系発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）Ｚｎ極性面を備える基板のＺｎ極性面上に、ｎ型ＺｎＯバッファ層を形成する。（ｂ）ｎ型ＺｎＯバッファ層の表面上に、ｎ型ＺｎＯ層を形成する。（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。（ｄ）ｎ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ＺｎＯ層とＺｎＭｇＯ層とが交互に積層されるＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層を形成する。（ｅ）ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層表面上に、ｐ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。（ｆ）ｐ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ｐ型ＺｎＯ層を形成する。（ｇ）ｎ型ＺｎＯ層及びｐ型ＺｎＯ層上に電極を形成する。工程（ｂ）において、Ｚｎリッチ条件で層形成を行う。 （もっと読む）

【課題】 不純物を低減して、リン分子を分子線として照射することができる分子線源および分子線源使用方法を提供する
【解決手段】 充填空間１１に赤リン材料を充填し、充填空間１１と精製空間１２とを連通させた状態で、充填部２１を第１気化温度ｔ１ｇに加熱して充填空間１１に存在する赤リンを昇華して、精製空間１２に白リンを凝縮する。次に精製空間１２と貯留空間１３とを連通させた状態で、精製部２２を第１気化温度ｔ１ｇよりも低い第２気化温度ｔ２ｇに加熱して精製空間１２に存在する白リンを気化して、貯留空間１３に白リンを凝縮する。このようにして貯留空間１３に生成した白リンを分子線の照射材料として用いて、リン分子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の静電耐圧を向上させること。
【解決手段】スパッタリングによって形成したＡｌＮバッファ層の上に、ＧａＮ層を２μｍ厚程形成すると、その表面は平均約０．９ｎｍ程の凹凸が生じる。ＧａＮ層にドナーをドープした場合は、この凹凸が余り改善されない。一方、ＧａＮ層にアクセプタをドープした場合は、凹凸が１／２程度に改善されることが見出された。この改善により、静電耐圧も向上する。 （もっと読む）

【課題】シリコンドット形成対象基板上に、従来より、低温で、粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成することができるシリコンドット形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット（例えばターゲット３０）を内部に設けた真空チャンバ１内に基板Ｓを配置し、チャンバ１内にスパッタリング用ガス（代表的には水素ガス）を導入し、該ガスに高周波電力を印加することでチャンバ１内にプラズマを発生させ、該ターゲットにケミカルスパッタリング制御用バイアス電圧を印加するとともに該プラズマでターゲットをケミカルスパッタリングして基板Ｓ上にシリコンドットＳｉＤを形成する。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛（ZnO）を主成分とする酸化物を半導体薄膜層(活性層)として有する薄膜トランジスタにおいて、製造工程を大幅に低温化するとともに、半導体薄膜層と、該半導体薄膜層上に形成した界面制御型ゲート絶縁膜との界面の清浄化を達成することによって、プラスティック基板上に形成した液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス素子（OLED）への応用を可能とした高性能薄膜トランジスタの製法の提供。
【解決手段】 酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が真空中にて連続した工程で行われ、前記ゲート絶縁膜が、誘導結合方式プラズマ化学気相成長（ICP−CVD）法又は電子サイクロトロン共鳴化学気相成長（ECR−CVD）法により形成され、全製造工程が200℃以下の温度条件下にて行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。 （もっと読む）

【課題】 多元系の酸化物薄膜を作製する場合に、面内方向に組成分布が生じ難い酸化物半導体薄膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 組成又は構成元素が互いに異なる複数の酸化物層による積層構造からなる半導体薄膜において、前記酸化物層の一部又は全部がアモルファスである。前記酸化物層の厚さが０．０５〜１０ｎｍである。前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。前記組成の異なる複数種以上の酸化物層の積層構造は、１積層単位が繰り返し成膜された複数の積層単位としてもよい。 （もっと読む）

【課題】低温でＣｕ_２Ｏ薄膜を高結晶化させる方法及び結晶性が高く、ホール移動度の高いＣｕ_２Ｏ薄膜が、高分子フィルムよりなる基板上に積層されてなる積層体を提供する。
【解決手段】基板上にＣｕ_２Ｏ薄膜が積層されてなる積層体１０が、ガラスチャンバ１内に配置されている。この基板は高分子フィルムよりなっている。Ａｒガス雰囲気において、電極２，３間に高周波電力を印加し、積層体１０のプラズマ処理を行う。これにより、Ｃｕ_２Ｏ薄膜が高結晶化し、Ｃｕ_２Ｏ薄膜のホール移動度が向上する。 （もっと読む）

【課題】 基板のクリーニング効果、および、結晶成長の高品質化を実現する。
【解決手段】 本発明の分子線エピタキシャル成長装置は、水素ラジカル発生装置１０および分子線セル２３が、それぞれ独立して設けられている。そして、水素ラジカル発生装置１０から水素ラジカルが、分子線セル２３から成膜材料の分子線または原子線が、それぞれ別々に、基板処理室２０に供給されるようになっている。さらに、水素ラジカルは光励起により発生させる。これにより、水素ラジカルを放出ガスの発生なしに効率的に発生させることができ、基板２１のクリーニング効果、および、成膜材料中の不純物を除去する効果を顕著に高めることができる。 （もっと読む）

基板；基板表面に堆積されアルミニウム／反応性窒化物（Ａｌ／Ｎ）流束の比１未満を有する第１の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層；及び第１のＡｌＮ層表面に堆積され１より大きいＡｌ／反応性Ｎ流束の比を有する第２のＡｌＮ層を含む半導体構造。基板はシリコンの化合物であり、ここで、第１のＡｌＮ層は、シリコンを実質的に含まない。
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【課題】 成膜試料がプラズマによるダメージを受けることなく、任意の基板に性状のよいクラスレート化合物からなる膜を簡便に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。 （もっと読む）