【課題】意図しない不純物のドーピングが抑制されたＺｎＯ系薄膜及び半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型不純物を含むＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）からなり、原子間力顕微鏡による観測において、観測される六角形状のピットの密度が５×１０⁶個／ｃｍ²以下、又は底部に複数の微結晶の突起が形成された凹部が観測されない、の少なくともいずれかを満たす主面を備える。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制し、ｐ型不純物イオン濃度の制御性を良くしたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
ｐ型不純物を含むＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ薄膜（０≦Ｘ＜１）の結晶成長方向表面が、二乗平均粗さ（ＲＭＳ）≦１０ｎｍ、又は、粗さの最大幅（ＰＶ）≦１００ｎｍのいずれか一方を満たしているように作製する。このように形成することで、放電管内壁の元素等の意図しない不純物、例えばシリコン（Ｓｉ）等の不純物の薄膜への混入は防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】衛星放送用の送受信用増幅素子や高速データ転送用素子としての高電子移動度トランジスタや磁気センサなどの半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、この基板１上に設けられた第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）２と、この第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２の上に設けられた電子走行層としてのＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）３と、このＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層３の上に設けられた第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）４とを備えている。第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２、第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層４のいずれか一方、若しくは両方にはＳｎがドープされており、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ電子走行層３への電子供給層となっている。 （もっと読む）

【課題】陽イオンの組成比を任意に調節することができる半導体活性層製造方法、それを利用した薄膜トランジスターの製造方法及び半導体活性層を具備する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する半極性面を成長面とする六方晶系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の成長面が、ｃ面となす角度が１０°以上９０°未満の半極性面であり、前記成長面を回折面として、この成長面に垂直かつｃ軸に平行な面と平行な方向から入射するＸ線に対して得られるＸ線回折強度の角度依存性の半値全幅をａ_１で表したとき、ａ_１≦０．５°を満たすことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】光電変換層の配向を高度に制御した有機光電変換素子の製造方法、及び該有機光電変換素子を組み込んだ撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極の間に、光導電性を有する有機化合物を含有する層を配置した有機光電変換素子の製造方法において、該光導電性を有する有機化合物を含有する層の一部、または全てを基板温度６０℃〜２５０℃に制御しながら気相成長させる、また該有機化合物は分子の配向性を高めたキナクリドン系色素である。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の結晶性を維持しつつ、酸化物薄膜中に気体元素を効率良くドーピングすることができる酸化物薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】
ドーピングを行わない酸化物薄膜形成工程（第１の酸化物薄膜形成工程）における酸素供給量を基準とし、この基準酸素供給量よりも、気体元素のドーピングを行う酸化物薄膜形成工程（第２の酸化物薄膜形成工程）における酸素供給量を小さくしているので、成長温度を結晶性が良くなる温度にまで上げている場合でも、気体元素のドーピングが容易に行われる。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ粒子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くした薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】中空の放電管１の外側周囲を高周波コイル２で巻き回されており、高周波コイル２の端子は、高周波電源に接続されている。また、放電管１の上部には放出孔４が、下部にはガス導入孔５が形成されている。ガス導入孔５にはガス供給管１２が接続され、ここから薄膜構成元素となる気体が供給される。放出孔４と所定の距離を隔てて阻止体３が、放出孔４を遮るように設けられている。薄膜形成時には、中空の放電管１内部からプラズマ粒子が放出されるが、気体元素以外の粒子が阻止体３に阻止され基板へ到達できない。 （もっと読む）

ｐｎ接合を含む半導体構造を形成するために半導体グレードシリコンを溶射するよう構成されたプラズマ溶射ガン（１０）は、カソード（１６）またはアノード（２２）またはプラズマに面する他の部品（２８）または少なくとも表面部が高純度シリコンからなりシリコン粉末を運ぶ部品（３４）などのシリコン部品を含む。シリコン粉末は、好ましくは１０ミクロンよりも小さい。半導体ドーパントは溶射したシリコンに含まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】不純物の取り込みや平坦性の悪化を抑制できる酸化物基板の清浄化方法、及び該方法によって清浄化された基板を用いた酸化物薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】真空雰囲気中に置いた酸化物基板を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板の表面を清浄化処理することを特徴とする酸化物基板の清浄化方法。この酸化物基板の清浄化方法によって酸化物基板の表面を清浄化する工程と、清浄化した酸化物基板の表面に酸化物半導体結晶を成長させて酸化物半導体薄膜を得る工程とを有することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】キャリアのさらなる短寿命化が図られたテラヘルツ電磁波対応ウェハ、テラヘルツ発生検出デバイス及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るテラヘルツ電磁波対応ウェハ１１においては、表面１１ａ近傍には多数のＡｓクラスター２６が析出している。このＡｓクラスター２６は、キャリアの捕獲中心として働くことが知られており、特に、表面１１ａ近傍におけるＡｓクラスター２６がキャリア捕捉に大きく寄与することが知られている。また、エピタキシャル層１６が酸素を含有しており、この酸素により深い準位が形成されている。従って、このテラヘルツ電磁波対応ウェハ１１においては、エピタキシャル層１６の表面１１ａ近傍におけるＡｓクラスター２６が有意に増量されると共に、エピタキシャル層１６中に酸素が含有されているため、キャリアのさらなる短寿命化を実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度を向上可能な、半導体膜を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２種以上の同極のドーパントを添加しながら分子線エピタキシ装置１３を用いて半導体膜１５を基板１１上に成長する。分子線エピタキシ装置１３において、Ｇａセル、Ｍｇセル、ＢｅセルおよびＲＦ−Ｎラジカルガンのシャッタを開き、半導体膜１５としてＧａＮ膜を基板１１上に成長する。ＧａＮ膜は、ｐ型ドーパントＭｇおよびＢｅを含む。Ｂｅドーパントは半導体の構成元素のうちのＧａと置換され、Ｇａ元素の原子半径Ｒ２１は、Ｂｅドーパント１７ａの原子半径Ｒ１７よりも大きいと共に、Ｍｇドーパント１９ａの原子半径Ｒ１９よりも小さいので、ＧａＮホスト半導体において局所歪みの影響を低減可能である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ドーパントがＢｅである場合において、再現良く、高いホール密度を有するｐ型半導体層を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１の製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１からなるｐ型半導体層１１を成長させる成長工程とを備えている。成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。第１供給工程と第２供給工程とを実質的に同時に行なっている。 （もっと読む）

【課題】各層の成膜に適した装置を複数使用する場合、特定の洗浄を行うことにより、大気開放による酸化膜、付着有機物およびコンタミの除去を行い、結晶性を向上させ、更には半導体素子特性を向上させることである。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる複数の積層膜を形成する積層工程を含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記積層工程には、一の積層膜の上に他の積層膜を形成する際に、前記一の積層膜を形成後の基板を成膜装置の外に取り出してから、前記他の積層膜を形成するために、前記成膜装置または他の成膜装置に導入する入替工程が含まれ、前記入替工程には、前記成膜装置から取り出した基板の前記一の積層膜上を洗浄する洗浄工程が備えられていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

約８００℃未満の温度でエピタキシャルＡｌＧａＮ層を調製するための方法が提供される。包括的には、基板が、エピタキシャルＡｌ_xＧａ_1-xＮ層を形成するのに適した温度と圧力で、Ａｌ源の存在下で、Ｈ₂ＧａＮ₃、Ｄ₂ＧａＮ_sまたはそれらの混合物と接触させる。さらに、基板の上方に形成された、複数の反復合金層を含むスタックを備え、複数の反復合金層は２つ以上の合金層の種類を有し、少なくとも１つの合金層の種類はＺｒ_zＨｆ_yＡｌ_1-z-yＢ₂合金層からなり、ｚとｙの合計は１以下であり、スタックの厚さは約５０ｎｍより大きい、半導体構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】 高品質で実用レベルのＧａＩｎＮＡｓ面発光型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（２０）上に、レーザ光を発生する少なくとも１層の活性層（２３）を含んだ活性領域と、レーザ光を得るために活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡（２１，２５）を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子において、前記活性層（２３）はＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを主成分として含み、前記反射鏡のうち少なくとも下部反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、前記活性層（２３）をＭＯＣＶＤ成長室で成長させ、前記反射鏡（２１，２５）のうち少なくとも下部反射鏡（２１）を、別のＭＯＣＶＤ成長室またはＭＢＥ成長室で成長させる。 （もっと読む）

【課題】ドナー不純物の添加量によって導電性を制御することができ、しかも、スパッタ法によって効率よくＩＩＩ族窒化物半導体を形成できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】２０〜８０％の窒素原子含有ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で、スパッタ法によって、ドナー不純物の添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層を形成するスパッタ工程を備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。 （もっと読む）

【課題】均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得る積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層７を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造Ａにおいて、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で単結晶組織として製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）