【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＨＥＭＴ積層物と、を備え、ＨＥＭＴ積層物は、２ＤＥＧを含む化合物半導体層と、化合物半導体層より分極率の大きい上部化合物半導体層と、上部化合物半導体層上に備えられたソース電極、ドレイン電極及びゲートと、を備え、基板は、シリコン基板より誘電率及び熱伝導度の高い窒化物基板であるＨＥＭＴ。該基板は、シリコン基板より誘電率及び熱伝導度の高い絶縁層、この絶縁層に蒸着された金属層及びこの金属層に付着されたプレートを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態（例えば３以上の状態）の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第２信号線及び複数のワード線を駆動する、第２信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第１信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴをそれぞれ有する複数の画素からなる画素アレイにおいて、画素の電気的特性に影響を及ぼすことなく、容易に高密度化することが可能な画素アレイを提供する。
【解決手段】複数の画素を有する画素アレイにおいて、隣接する所定数の画素にそれぞれ設けられたＴＦＴは互いに近接配置され、該ＴＦＴの半導体膜は近接する複数のＴＦＴに渡って連続して形成される。画素アレイは、同一の列に配列された複数の画素にそれぞれ設けられたＴＦＴに接続され、該ＴＦＴに信号を供給、または該ＴＦＴから信号を読み出す列信号線と、複数の画素の隣接する行間に設けられ、ＴＦＴをオフ状態にしうる電圧信号が印加された行共通線と、を有する。半導体膜が連続して形成された複数のＴＦＴのうち、行方向に近接配置される各ＴＦＴは、２本の列信号線を挟んで近接配置されており、列方向に近接配置される各ＴＦＴは、行共通線を挟んで近接配置されている。 （もっと読む）

【課題】光照射時の素子特性を安定化する。
【解決手段】酸化物半導体を主体とする半導体膜を成膜する第一工程と、第一工程後に、半導体膜の面上に第一の絶縁膜を成膜する第二工程と、第二工程後に、酸化性雰囲気中で熱処理する第三工程と、第三工程後に、第一の絶縁膜の面上に第二の絶縁膜を成膜する第四工程と、を有し、第二工程と前記第三工程の際に、第一の絶縁膜の厚みをＺ（ｎｍ）とし、第三工程での熱処理温度をＴ（℃）とし、前記第一の絶縁膜及び前記半導体膜中への酸素の拡散距離をＬ（ｎｍ）としたとき、０＜Ｚ＜Ｌ＝８×１０^−６×Ｔ^３−０．００９２×Ｔ^２＋３．６×Ｔ−４６８±０．１の関係式を満たすように第一の絶縁膜の厚みと熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの活性層の構成材料として用いる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式


〔式中、Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｅ−を表す。〕で表される構造単位と、式（１）で表される構造単位とは異なる式


〔式中、Ａｒ^１は、２価の芳香族基、−ＣＲ^３＝ＣＲ^３−で表される基又は−Ｃ≡Ｃ−で表される基を表す。〕で表される構造単位とを含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置
を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびド
レイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、
ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、酸化物半導体層の厚さは１ｎｍ以上１０ｎｍ以
下であり、ゲート絶縁層は、ゲート絶縁層に用いられる材料の比誘電率をε_ｒ、ゲート絶
縁層の厚さをｄとして、ε_ｒ／ｄが、０．０８（ｎｍ^−１）以上７．９（ｎｍ^−１）以下
の関係を満たし、ソース電極とドレイン電極との間隔は１０ｎｍ以上１μｍ以下である半
導体装置である。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波を発生又は検出するテラヘルツ波素子において、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射する。
【解決手段】テラヘルツ波素子は、基板１０１の上に形成された第１の半導体層１０２と、第１の半導体層１０２の上に形成された第２の半導体層１０４と、第２の半導体層１０４の上に形成されたゲート電極１０６と、第２の半導体層１０４の上にゲート電極１０６を挟んで対向するように形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８と、第２の半導体層１０４の上におけるゲート電極１０６とソース電極１０７との間及びゲート電極１０６とドレイン電極１０８との間に形成され、複数の金属膜１０９が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜１０９Ａ，１０９Ｂと、ゲート電極１０６及び複数の金属膜１０９の上方に配置された第１のミラー１１１と、基板１０１の下に形成された第２のミラー１１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】優れた電気特性、大気安定性を有した薄膜トランジスタ及びそれを用いた電子デバイスをウェットプロセスにて作製するための、π電子共役系化合物前駆体、及びトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（Ｉ）で示される工程により得られる有機膜を用いたトップゲート型薄膜トランジスタ。




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【課題】特定構造のπ電子共役化合物前駆体を含む薄膜中の該前駆体のπ電子共役化合物への変換が、基板の耐熱温度に制限されることなく、且つ大気下で進行する、有機膜の製造方法。
【解決手段】π電子共役化合物前駆体Ａ−（Ｂ）ｍを含む薄膜中の該前駆体Ａ−（Ｂ）ｍが、活性エネルギー線の照射により、π電子共役系化合物Ａ−（Ｃ）ｍと脱離性化合物Ｘ−Ｙに変換される。Ａ−（Ｂ）ｍ→Ａ−（Ｃ）ｍ＋Ｘ−Ｙ




（Ａはπ電子共役系置換基、Ｂは溶媒可溶性置換基、ｍは自然数である。） （もっと読む）

【課題】触媒金属膜の任意の領域にグラフェンを選択的に合成しうるグラフェンの合成方法を提供する。
【解決手段】基板の所定の領域上に、触媒金属膜を形成する。次いで、触媒金属膜の側面に、触媒金属膜よりも触媒能の低い被覆膜を形成する。次いで、触媒金属膜の上面上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に合成し、グラフェンチャネルを形成する。次いで、基板上に、グラフェンチャネルに接合されたソース電極及びドレイン電極を形成する。次いで、触媒金属膜及び被覆膜を除去する。次いで、グラフェンチャネル上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物薄膜の膜質を向上する。
【解決手段】有機成分とＩｎとを含有する第１酸化物前駆体膜４に対して有機成分の熱分解温度未満で有機成分の結合状態を選択的に変化させ、フーリエ変換型赤外分光で測定したときに得られる赤外線吸収スペクトルにおいて、赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１５２０ｃｍ^−１以下の範囲を赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１４５０ｃｍ^−１以下の範囲と赤外線の波数１４５０ｃｍ^−１超１５２０ｃｍ^−１以下の範囲とに分割したときに、赤外線の波数１３８０ｃｍ^−１以上１４５０ｃｍ^-１以下の範囲に位置するピークが、赤外線の波数１３５０ｃｍ^−１以上１７５０ｃｍ^−１以下の範囲における赤外線吸収スペクトルの中で最大値を示す第２酸化物前駆体膜６を得る前処理工程と、第２酸化物前駆体膜中に残存する有機成分を除去して、第２酸化物前駆体膜６を非晶質酸化物薄膜８へ変化させる後処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なｃ軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の体積抵抗率を有する金属酸化物薄膜を、簡便かつ大面積に作製でき、更に所望の形状の金属酸化物を形成する精度が高い金属酸化物薄膜形成用塗布液などの提供。
【解決手段】無機インジウム化合物と、無機マグネシウム化合物及び無機亜鉛化合物の少なくともいずれかと、グリコールエーテル類とを含有する金属酸化物薄膜形成用塗布液である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する複数の有機トランジスタを備えた有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、各々が液晶性有機半導体材料を含む有機半導体領域４を有する複数の有機トランジスタ２０と、を備えている。このうち有機半導体領域４は、少なくとも基板１１を含む支持部材１７によって支持されている。そして、有機半導体素子１０の製造方法は、支持部材１７を準備する工程と、支持部材１７上に液晶性有機半導体材料を含む連続的な有機半導体層３０を設ける工程と、有機半導体層３０をパターニングして複数の有機半導体領域４を形成するパターニング工程と、を備えている。ここで、パターニング工程は、凹部４２および凸部４１を有する凹凸版４０を準備する工程と、凹凸版４０の凸部４１を支持部材１７上の有機半導体層３０に当接させることにより有機半導体層３０をパターニングする当接工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、メモリセルを選択して第２信号線及びワード線を駆動する駆動回路と、書き込み電位のいずれかを選択して第１信号線に出力する駆動回路と、ビット線の電位と参照電位とを比較する読み出し回路と、書き込み電位及び参照電位を生成して駆動回路および読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第１のトランジスタと、第１、第２の信号線に接続された第２のトランジスタと、ワード線、ビット線及びソース線に接続された第３のトランジスタを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方が接続された、多値型の半導体装置。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュレートを低減した際に、静止画を表示する際の画像の劣化を抑制す
る。
【解決手段】駆動回路によって制御される表示部と、駆動回路を制御するためのタイミン
グコントローラと、を有し、タイミングコントローラには、静止画を表示するための画像
信号が供給されており、タイミングコントローラにより、画像信号の階調数が小さいほど
、表示部で画像信号に応じた画像を表示する際のリフレッシュレートを小さくする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】異なるエネルギーギャップを有する、少なくとも第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を積層させた酸化物半導体積層であって、化学量論的組成比よりも過剰に酸素を含む領域を有する酸化物半導体積層を用いてトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は０．１５以下、好ましくは０．１２以下、さらに好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し（１１１）面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する複数の有機トランジスタを備えた有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、各々が有機半導体材料を含む有機半導体領域４を有する複数の有機トランジスタ２０と、を備えている。このうち有機半導体領域４は、少なくとも基板１１を含む支持部材１７によって支持されている。そして、有機半導体素子１０の製造方法は、支持部材１７を準備する工程と、支持部材１７上に有機半導体材料を含む連続的な有機半導体層３０を設ける工程と、有機半導体層３０をパターニングして複数の有機半導体領域４を形成するパターニング工程と、を備えている。ここで、パターニング工程は、凹部４２および凸部４１を有する凹凸版４０を準備する工程と、凹凸版４０の凸部４１を支持部材１７上の有機半導体層３０に当接させることにより有機半導体層３０をパターニングする当接工程と、を有している。 （もっと読む）