【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、第３族元素、亜鉛、及び酸素を少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を用いる。第３族元素は安定剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】通電領域表面の周辺の強電界の影響がナノワイヤに及び難くして、ホットキャリアの生成やオフリーク電流を低減する。半導体装置を高性能化する。
【解決手段】基板の表面よりも深い位置に配置され互いに対向する２つの側壁を有する導電膜と、導電膜の２つの側壁の側方に形成され互いに同じ導電型の半導体領域である第１及び第２の通電領域と、導電膜を貫通して２つの半導体領域どうしを接続し第１及び第２の通電領域の導電型とは逆導電型の半導体領域であるナノワイヤと、導電膜と前記ナノワイヤとの境界部に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素
子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートが走査
線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソー
スまたはドレインの他方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第
２のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソース
またはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第１のトランジ
スタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。そして、
前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供
給される信号の出力が停止される期間を有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明１つの電界効果トランジスタは、ソース領域１４４及びドレイン領域１４６並びにチャネル領域１４２を含む酸化物導電体層と、チャネル領域１４２の導通状態を制御するゲート電極１２０と、ゲート電極１２０とチャネル領域１４２との間に形成された強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層１３０とを備え、チャネル領域１４２の層厚は、ソース領域１４４の層厚及びドレイン領域１４６の層厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を
含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成
領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領
域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、半導体層及び前記ゲート電極上に形成
された第３絶縁層と、第３絶縁層を介して、不純物領域と電気的に接続される導電層と、
を有する。不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜
厚が大きい領域で導電層が接続されている。第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳
する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜５であり、ゲート電極は、第１の金属膜６又は第２の金属膜８を含む導電膜から構成されている。 （もっと読む）

【課題】電気泳動表示装置で、書き込み回数のさらに少ないアクティブマトリクス型の電
気泳動表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の画素電極上に、複数の帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルを配置し
、前記画素電極の電位により前記帯電粒子を制御することによって明暗を表示することを
特徴とした表示装置において、前記画素電極への映像信号の再書き込み動作を、画素に表
示する映像が変化する場合に行うことにより、書き込み回数を低減する。 （もっと読む）

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の素子の出力は第２の素子の入力に電気的に接続され、第２の素子の出
力は第２のトランジスタを介して第１の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有
するラッチ回路であって、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を
用いたトランジスタをスイッチング素子として用い、またこのトランジスタのソース電極
又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有することで、ラッチ回路のデータを保持
することができる。これにより不揮発性のラッチ回路を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する表示装置を作製する
ための技術を提供する。
【解決手段】固定基板上に、剥離層となる非晶質シリコン膜を介して樹脂基板を形成する
工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記非晶質シリコン
膜にレーザー光を照射することにより、前記非晶質シリコン膜において前記固定基板から
前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を
作製する。 （もっと読む）

【課題】高移動度、高オン・オフ比の電界効果素子を提供する。
【解決手段】絶縁膜層、前記絶縁膜層上に積層されたチャネル層、及び電極としてゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３つを有する電界効果素子であって、前記チャネル層は表面粗さ０．２ｎｍ以上１．３ｎｍ以下であり、前記チャネル層はＩｎ，Ｇａ，Ｓｎ及びＺｎから選択される１以上の元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる電界効果素子。 （もっと読む）

【課題】ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御すると共に寄生抵抗が低く、且つ短チャネル効果を効果的に抑制する。
【解決手段】金属ソース・ドレイン電極(ニッケルシリサイド)６とＰ型シリコン基板１との間に、セシウム含有領域５を形成している。こうして、金属ソース・ドレイン電極６近傍のセシウムをイオン化して正孔に対するエネルギー障壁高さを大きくし、金属ソース・ドレイン電極６とＰ型シリコン基板１との間のリーク電流を著しく低減する。また、チャネルと金属ソース・ドレイン電極６との間のショットキー障壁の高さおよび幅を実効的に小さくして寄生抵抗を著しく低減する。したがって、金属シリサイドの厚み(深さ)をイオン注入による制約なしに決定でき、極めて浅いソース・ドレインを形成して良好な短チャネル効果特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。
Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜やＧａＮ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの素子をアニールする手法を開示する。
【解決手段】光学ランプからの光をレンズで集光する手段、或いはレーザ光など高温度を発生させる手段によりＳｉＣなど化合物半導体の表層部はＳｉ基板の融点を越えるような高温度として、Ｓｉ基板部はその融点よりも十分低い温度となるような冷却部を設けてＳｉ基板を保持するステージを設けたことを特徴とするアニーリング装置。 （もっと読む）

【課題】フィン型半導体領域の側面に不純物を導入して低抵抗の不純物領域を形成できるようにし、それによって、所望の特性を持つフィン型半導体装置を実現する。
【解決手段】基板１１上にフィン型半導体領域１３を形成した後、不純物含有ガスと酸素含有ガスとを用いて、フィン型半導体領域１３に対してプラズマドーピングを行うことによって、フィン型半導体領域１３の少なくとも側部に不純物導入領域２７Ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を使用せずバルク基板を用いてフィン型ＦＥＴを製造すると、従来技術では素子領域と半導体基板との間の絶縁耐圧が低くなっていた。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、素子分離膜の形成時にマスクとして用いる耐酸化用膜を、半導体基板表面に設ける溝部の底部から所定の距離まで離間した部分を除いて立設部の表面に形成することで、立設部の下部の素子分離膜がほぼ一定の膜厚にすることができた。このため、立設部と半導体基板との間の絶縁耐圧が向上し、リークもなく、信頼性が向上した。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を含み、前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて前記半導体層のドレイン領域のみに位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層１０４ａ、１０４ｂを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層１０３は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層１０５ａまたはドレイン電極層１０５ｂの材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能であり、且つ消費電力の低減が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを備える半導体装置において、ゲート電圧が負のときの電流が小さいトランジスタの酸化物半導体膜と、電界効果移動度が高くオン電流が大きいトランジスタの酸化物半導体膜において、酸素濃度が異なる。代表的には、ゲート電圧が負のときの電流が小さいトランジスタの酸化物半導体膜と比較して、電界効果移動度が高くオン電流が大きいトランジスタの酸化物半導体膜の酸素濃度が低い。 （もっと読む）