【課題】短チャネル効果を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置およびその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁層にトレンチを形成し、トレンチの上端コーナー部と接する酸化物半導体膜に不純物を添加し、ソース領域およびドレイン領域を形成する。上記構造にすることで微細化することが可能である。また、トレンチを有することで、ソース電極層とドレイン電極層との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ワード線の負荷を増大させることなく、ワード線に生じるノイズを低減する。
【解決手段】少なくとも一のスイッチング素子を有する複数の記憶素子がマトリクス状に配置され、前記記憶素子のそれぞれにはワード線とビット線がそれぞれ接続され、前記ワード線には少数キャリアが実質的に存在しないトランジスタのゲート（またはソース及びドレイン）が接続され、前記少数キャリアが実質的に存在しないトランジスタのソース及びドレイン（またはゲート）の電位が制御されることで前記少数キャリアが実質的に存在しないトランジスタの容量値の制御を行う半導体装置とする。前記少数キャリアが実質的に存在しないトランジスタは、ワイドギャップ半導体により設けられていればよい。 （もっと読む）

【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に
接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一と
する。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層の
うち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有
する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電
極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】書き込み回数に制限がなく、消費電力が低く、記憶内容（電荷）の保持特性が改善され、かつ小型化に適した構造の半導体装置および、当該半導体装置を備える、消費電力が低く、記憶内容（電荷）の保持特性が改善された記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の有するトランジスタの半導体層として酸化物半導体を用いることで、ソースとドレイン間のリーク電流を低減できるため、半導体装置および当該半導体装置を備える記憶装置の消費電力低減、保持特性の改善を達成できる。また、トランジスタのドレイン電極、半導体層およびドレイン電極と重なる第１の電極により容量素子を形成し、容量素子と重なる位置でゲート電極を上層へ取り出す構造とした。これにより、半導体装置および当該半導体装置を備える記憶装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極を具備した電子素子を提供する。
【解決手段】０．１Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する導電性物質および低表面エネルギー物質を含み、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、前記第２面の低表面エネルギー物質の濃度が、前記第１面の低表面エネルギー物質の濃度より高く、前記第２面の仕事関数が５．０ｅＶ以上であり、かつ前記第２面の電気伝導度が１Ｓ／ｃｍ以上である大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極、を具備した電子素子である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置において、保護膜形成時のプラズマ処理におけるＣｕ配線の酸化を有効に防止し得る技術を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、電極に用いられるＣｕ合金膜５と、保護膜６と、を備えており、半導体層は酸化物半導体からなる。Ｃｕ合金膜５は、基板側から順に、第一層（Ｘ）５ａと第二層（Ｚ）５ｂを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）は、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって第二層（Ｚ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなり、第二層（Ｚ）は、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、Ｎｂ、希土類元素、Ｇｅ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ−Ｚ合金からなり、第二層（Ｚ）の少なくとも一部は、前記保護膜と直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成位置について、別途精密な制御を必要とすることなく、高精細なパターニングが行われた有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ソース電極１、ドレイン電極２、ゲート電極３、有機半導体層４及びゲート絶縁膜５を備え前記ソース電極１及び前記ドレイン電極２の表面エネルギーが、いずれも30mN／m以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす
には、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１０１を被覆するゲート絶縁層１０２と、ゲート絶縁層１０２上
においてゲート電極１０１と重畳する第１酸化物半導体層１０３と、第１酸化物半導体層
１０３上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層１０５ａと第２酸化物半導体層１０
４ａが積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９とを有する非線形素子１７０
ａを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層１０２上において物性の異なる酸化物半導
体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可
能となり、接合リークが低減し、非線形素子１７０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】窒素を含むゲート絶縁膜にプラズマ酸化処理を行うことで、薄膜トランジスタの特性の低下を抑制できる半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
ａ／ｂ≧２ ・・・（１）
ｂ＞０ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積および放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコン、あるいは酸化物半導体等の化合物半導体をチャネル形成領域に含み、そのチャネル長が最小加工線幅の１０倍以上あるいは、１μｍ以上であるトランジスタを用いる。上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する有機トランジスタを、インクジェット法により製造する。
【解決手段】有機半導体層７は、インクジェット法によって、有機半導体材料を溶媒に溶解した有機半導体溶液を塗布して形成され、塗布された有機半導体溶液の縁部７１が、ソース電極５とドレイン電極６間に配置されるように、ソース電極５とドレイン電極６間のちょうど中間位置よりずらした位置に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布することを特徴とする。また、ソース電極５が配置されている位置、又はドレイン電極６が配置されている真上に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布する。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極からのオーミックコンタクト膜の延在部分の表面を介したリーク電流、およびオーミックコンタクト膜と半導体能動膜との接合側面部での欠陥を介したリーク電流を増大させないことが可能な薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】オーソミックコンタクト層８の一方は、電極９，１０の一方に接触して覆われた接触部分８１と、接触部分８１よりも厚さ方向Ｄ２において薄く、厚さ方向Ｄ２から見て電極９，１０の一方からはみ出して電極９，１０の他方へと延在して半導体能動膜７の少なくとも一部７１を避けて覆う延在部分８２とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い精度で効率良く有機半導体をパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部２を有する基体１と、前記基体１上に形成されたソース電極３及びドレイン電極４と、前記基体１の撥液部２の一部上に形成された遮蔽層５とを有し、前記ソース電極３及び前記ドレイン電極４に金もしくは／及び白金、又は酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている有機半導体素子用基板６上に紫外線又は含酸素プラズマを前記有機半導体素子用基板６に照射して、前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部７に変性する有機半導体素子用基板６の形成工程と、有機半導体層８の形成工程と、前記ソース電極３及び前記ドレイン電極４に酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている場合は還元工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のため
の加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造時におけるソース電極およびドレイン電極の劣化を好適に防止することができ、優れたスイッチング機能を有する有機半導体素子およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成され、銀を主成分とする金属材料を含むソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、酸素に対する遮蔽性を有する電極保護層と、少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極の間のチャネル領域に形成可能なパターン形状を有し、有機半導体材料を含む有機半導体層と、上記有機半導体層上のみに形成され、真空紫外光に対する遮光性を有する遮光材料を含むＶＵＶ遮蔽層とを有することを特徴とする有機半導体素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボト
ムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン
電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設
けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法、ならびにプログラムを提供する。
【解決手段】本発明は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極が少なくとも設けられた薄膜トランジスタの製造方法である。ソース電極およびドレイン電極を形成する工程において、基板の歪み、または基板の伸縮率に基づいて、露光データを、スケーリング処理を用いて薄膜トランジスタのチャネル長を固定した状態で補正して第１の補正データを作成する。この第１の補正データに基づいて、ソース電極およびドレイン電極の形成領域にレーザ光を照射し、その形成領域を親液性にする。この形成領域に、ソース電極およびドレイン電極となる液滴を、打滴データに基づいて打滴する。 （もっと読む）