【課題】３層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板２０１上に３層以上のｎ層の導電層２０２〜２０４が積層して形成され、ｎ層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、（ｎ−１）個の導電層２０２，２０３を接続する（ｎ−１）個の接続領域２１１，２１２を有し、（ｎ−１）個の導電層のうち基板２０１に対する積層方向（基板２０１の主面に対する法線方向）において第１層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンＣＰＴＮの縁の一部に臨むように形成され、（ｎ−１）個の導電層は、第ｎ層の導電層により電気的に接続されている。第ｎ層の導電層は、コンタクトパターンＣＰＴＮであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】１３族元素および酸素を含む第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜とゲート電極の間の、酸化物半導体膜と一部が接する第２の絶縁膜と、を有する半導体装置である。また、１３族元素および酸素を含む第１の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構成とする。 （もっと読む）

【課題】特性の劣化を抑えつつ省スペース化を図ることが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板上の第１の方向に沿って延在し、互いに離隔配置された主配線部および分岐配線部を有する１または複数の第１の配線と、基板上の第１の方向とは異なる第２の方向に沿って延在する幹配線部と、主配線部と分岐配線部との間隙領域内で第１の方向に沿って延在する複数の枝配線部とを有する１または複数の第２の配線と、複数の枝配線部が個別にゲート電極として機能すると共に、主配線部内および分岐配線部内に形成されたソース領域と、複数の枝配線部間に形成されたドレイン領域とを有し、各々が第２の方向に沿って複数個に分割形成されてなる１または複数のトランジスタと、第２の方向に沿って延在し、トランジスタのドレイン領域と電気的に接続された１または複数の第３の配線とを備えている。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスを実現する半導体装置の作製方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】結晶構造を有する半導体層の一部にｐ型を付与する不純物元素及び水素を同時に添加することによって、一部の上層部分を非晶質化するとともに、一部の下層部分に結晶質を残存させ、加熱処理を行うことによって、一部の中の水素を拡散させる。 （もっと読む）

【課題】電力の供給がない状況でも記憶内容の保持が可能かつ、書き込み回数にも制限がない新たな構造の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と接続し、第１のトランジスタのゲートが第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方、およびキャパシタを構成する一対の容量電極の一方と接続し、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方および第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方がビット線と接続し、第３のトランジスタのゲートがワード線と接続し、第２のトランジスタのゲートおよびソースまたはドレインの他方がソース線と接続し、キャパシタを構成する一対の容量電極の他方が共通配線と接続し、共通配線はＧＮＤに接続し、共通配線は上面から見て網状に設けられ、第３のトランジスタはその網の目に設けられる半導体記憶装置。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成及び動作によって表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】表示装置が入力デバイスを備え、該入力デバイスから出力される画像操作信号に応じて、駆動回路に対する画像信号の入力を制御する。具体的には、入力デバイスが操作されない際の画像信号の入力頻度を、入力デバイスが操作される際の画像信号の入力頻度よりも低くする。これにより、当該表示装置が使用される際の表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することが可能となり、且つ使用されない際の消費電力を低減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度、良好なフィルム形成特性、および複合システムにおける高性能のための適切な形態を示す半導体組成物を提供する。
【解決手段】ボトムゲート型のボトムコンタクト型ＴＦＴ１０は、ゲート電極１８およびゲート誘電体層１４と接触した基板１６を含む。ゲート電極１８は、ここでは基板１６の頂上に記載されているが、ゲート電極は基板内のくぼみとして位置することもできる。ゲート誘電体層１４は、ゲート電極１８とソース電極２０、ドレイン電極２２、および半導体層１２とを分離することが重要である。半導体組成物から形成される半導体層１２は、ソース電極２０とドレイン電極２２との間に延びる。この半導体組成物は、ポリマー結合剤および小分子半導体を含む。半導体層中の小分子半導体は、１００ナノメートル未満の結晶サイズを有する。組成物から形成されたデバイスは、高い移動度および優れた安定性を示す。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。また、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間及びロット間において、ばらつきが大きい場合があった。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】ロードロック室と、ロードロック室とゲートバルブを介して接続された搬送室と、搬送室とゲートバルブを介して接続された基板加熱室と、搬送室とゲートバルブを介して接続されたリークレートが１×１０^−１０Ｐａ・ｍ^３／秒以下である成膜室と、を有する成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャル層の支えの喪失を防止した、局所ＳＯＩ構造の形成方法の提供。
【解決手段】ＳｉＧｅ混晶層３１ＳＧ１〜３１ＳＧ４とシリコンエピタキシャル層３１ＥＳ１，３１ＥＳ２，３１ＥＳ３および３１ＥＳ４が積層された構造において、
それぞれ、Ｎウェル３１ＮＷ及びＰウェル３１ＰＷがＳｉＧｅ混晶層３１ＳＧ１〜３１ＳＧ４側に突き出る構造を形成し、ＳｉＧｅ混晶層３１ＳＧ１〜３１ＳＧ４をエッチングにより除去する際に、支えとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図ることができるとともに、動作速度の向上を図ることができるフォトセンサを実現する。
【解決手段】複数の光電変換素子群２０１は行方向（Ｘ方向）に配置され、１つの光電変換素子群２０１は、行方向に対して略直交する列方向（Ｙ方向）に並べられた３つのフォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ３を含む。さらに、各フォトダイオードから信号を読み出すための転送トランジスタ（Ｔｒ１〜Ｔｒ３）が設けられる。同一行に属する転送トランジスタのゲート電極（２２４１，２２４２，２２４３）は一体的に形成される。さらに、ソース電極２２３とゲート電極との重なり部分の面積は、ドレイン電極２２２とゲート電極との重なり部分の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のため
の加熱処理）を行う。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの下地膜または保護膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた特性、即ち、十分な導電性が得られ、比較的低温の実用的な条件で製造することができ、組成比の調整によって導電性を制御することが可能な特性を有する新規なｐ型酸化物などの提供。
【解決手段】組成式ｘＡＯ・ｙＣｕ_２Ｏ（ｘとｙはモル比率を表し、０≦ｘ＜１００、かつｘ＋ｙ＝１００である。）で表されるアモルファス酸化物からなり、前記Ａが、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａから選択される少なくともいずれかを含むｐ型酸化物である。 （もっと読む）

【課題】管理コストを低減し、さらに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることの可能な半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】所定の材料からなり、活性層４１となる半導体と、所定の材料と同じ組成の材料からなり、ソース電極５１、ドレイン電極５３及び画素電極５５の少なくとも一つとなる導電体とを備えた薄膜トランジスタ２の製造方法であって、非晶質の所定の材料からなる被処理体及び導電体（ソース電極５１、ソース配線５２、ドレイン電極５３、ドレイン配線５４及び画素電極５５）を一括成膜し、さらに一括形成する工程と、形成された被処理体を結晶化させて活性層４１とする工程とを有する方法としてある。 （もっと読む）

【課題】 可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を実現する方法を提供することを課題とする。また、異なる層に形成された配線間の寄生容量を低減する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 第１の基板上に形成された薄膜デバイスと第２の基板とを接着して固定した後、第１の基板を取り除いて薄膜デバイスに配線等を形成する。その後、第２の基板も取り除き、可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を形成する。また、第１の基板を取り除いた後、配線を活性層のゲート電極が形成されていない側に形成することにより、寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体特性を有する酸化物半導体膜の形成方法を提供する。さらに、該酸化物半導体膜を適用し、良好な電気特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に接して設けられた水素透過膜を形成し、水素透過膜上に接して設けられた水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させる酸化物半導体膜の形成方法である。また、該形成方法を用いて作製する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と接して形成される絶縁膜へのインジウムの拡散を抑え、また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する絶縁膜との界面特性を良好にし、安定した電気的特性を有し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウムを含む酸化物半導体膜において、表面のインジウム濃度を低減させることによって、酸化物半導体膜の上に接して形成される絶縁膜へのインジウムの拡散を防ぐ。また、さらに酸化物半導体膜表面のインジウム濃度を低減させることによって、表面にインジウムを実質的に含まない層を形成することができ、この層を絶縁膜の一部とすることにより、酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜と接する絶縁膜との界面特性を良好にする。 （もっと読む）

【課題】低いエネルギー付与でπ電子共役化合物を得る製造方法、及びこの技術を利用し、難溶性π電子共役系化合物の連続した薄膜の効率的な製造方法を提供する。更に該薄膜の有機電子デバイスへ応用する。
【解決手段】π電子共役系化合物前駆体（Ｉ）を含む溶媒の塗工液を基材に塗布して形成された塗工膜より、式（II）で示される脱離性置換基を脱離させ（Ｉａ）で示されるπ電子共役系化合物を含有する膜状体を生成することを特徴とする膜状体の製造方法。


［式（Ｉ）、（Ｉａ）、（II）中、ＸおよびＹは水素原子もしくは脱離性置換基を表す。Ｑ_２乃至Ｑ_５はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子または、１価の有機基であり、Ｑ_１とＱ_６は水素原子、ハロゲン原子または、前記脱離性置換基以外の一価の有機基である。Ｑ_１乃至Ｑ_６は隣り合った基同士でそれぞれ結合して環を形成していてもよい。］ （もっと読む）