【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、１つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、１つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の材料膜（六方晶の結晶構造を有する膜）を形成し、第１の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜（結晶性酸化物半導体膜）を形成し、第１の材料膜と第２の材料膜の積層を形成する。第１の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜（例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム）、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜（α−Ａｌ_２Ｏ_３、α−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、或いはα−Ｆｅ_２Ｏ_３）を用いる。 （もっと読む）

【課題】高性能、高信頼性のトランジスタを有する半導体装置を作製する技術を提供する。
【解決手段】配線層を導電層から形成する際に酸化物半導体層を保護するための保護導電膜を酸化物半導体層と導電層との間に形成して、２段階のエッチングを行う。第１のエッチング工程には、保護導電膜は導電層よりエッチングされにくく、導電層と保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用し、第２のエッチング工程には、保護導電膜は酸化物半導体層よりエッチングされやすく、保護導電膜と酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うエッチング方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】メモリデータを外部回路を用いずに、コピーを行う半導体記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数のメモリセルの第一端子が共通接続されたビット線と、ビット線に接続され、読み出し時にビット線を特定の電位にプリチャージするプリチャージ回路と、メモリセルから読み出したデータ、もしくはメモリセルへの書き込みデータを一時的に保持する容量素子を有するデータ保持回路と、データ保持回路で保持しているデータの反転データをビット線に出力する反転データ出力回路とを有し、反転データ出力回路は、データ保持回路で保持しているデータの反転データの出力を制御する手段を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製工程を簡略化し、フォトマスクの枚数を従来よりも少なくするだけでなく、新たな工程を増やすことなく発光表示装置を作製することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを構成する半導体層に真性または実質的に真性な高抵抗の酸化物半導体を使用することによって、個々のトランジスタに対して半導体層を島状に加工する工程を省くことができる。半導体層または半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。 （もっと読む）

【課題】正孔電子対と、ソース電極（ドレイン電極）付近に発生する強電界とがともに抑制されることにより、リーク電流が抑制される薄膜トランジスタ、及びそれを備える表示装置又は液晶表示装置の提供。
【解決手段】光源から光が照射されるゲート電極膜と、前記ゲート電極膜の、前記光源側との反対側に、絶縁膜を介して形成される半導体膜と、前記半導体膜に電気的に接続して形成される第１及び第２の電極膜と、前記ゲート電極膜と同一層に形成されるとともに、前記ゲート電極膜と電気的に遮断される第１の遮光膜と、を備える薄膜トランジスタであって、前記第１の遮光膜は、前記半導体膜の一部と前記光の照射方向から見て重なり合うとともに、前記第１の電極膜の少なくとも一部と、前記光の照射方向から見て重なり合う、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接続配線に起因する耐圧低下を防止できる半導体装置の耐圧特性をさらに向上させることができる半導体装置の提供。
【解決手段】半導体層の第１素子領域に配置されており、第１主電極と第２主電極を有する第１種類の第１半導体素子と、半導体層の第２素子領域に配置されており、第３主電極と第４主電極を有する第２種類の第２半導体素子とを備え、第１素子領域と第２素子領域は、電流が流れる方向に対して直交する方向に隣接し、かつ、第１素子領域と第２素子領域を含む素子領域全体で一巡する形に形成され、半導体層を平面視したときに、第１素子領域の曲率は、第２素子領域の曲率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導
体装置である。第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導
電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁
層上に形成されない。このため、第３の導電層の凹凸を低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層１００と、絶縁体層１３０と、絶縁体層中に設けられた半導体層２１０と、半導体層２１０に設けられた能動素子２０と、半導体層１００の前記一主面２０１に設けられた他の導電型の半導体領域１１２と、半導体領域１１２内に設けられた他の導電型であって半導体領域１１２よりも高不純物濃度の半導体領域１１４と、絶縁体層１３０に設けられたスルーホール１４４内に半導体領域１４４に接続して設けられた導電体１５４と、絶縁体層１３０上または中に設けられた導電体２１４であって、導電体１５４の周囲に設けられ、外側端部が半導体領域１１４よりも外側にある導電体２１４と、導電体１５４と導電体２１４とを接続して設けられた導電体１９２と、半導体層１００に接続して設けられた導電体１５２，１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて生じるリーク電流を抑えつつ、表示装置の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】基板３０１と、基板３０１に形成されている複数の薄膜トランジスタＴＦＴと、を有する表示装置であって、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極３０３と、ゲート電極３０３の上側に配置される微結晶半導体層３０５と、微結晶半導体層３０５上に配置される非晶質半導体層３０６と、を有し、非晶質半導体層３０６の水素濃度が、１２ａｔｏｍ％以下である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】作動ＭＥＭＳ装置及び該作動ＭＥＭＳ装置を制御するためのドライバ回路を提供する。
【解決手段】ドライバ回路は、基板上に形成される複数の高電圧薄膜トランジスタ（ＨＶＴＦＴ）を含み、各ＨＶＴＦＴは、制御ゲート電極、ソース電極、及び、該ソース電極が制御ゲート電極から第１の距離だけ離れるように配置されたドレイン電極を含む。このドレイン電極は、ドレイン電極のいずれか一部及び制御ゲート電極の間の最短距離が第１の距離より十分に大きいように、ドレイン電極及びソース電極間の第１の破壊電圧が制御ゲート電極及びソース電極間の第２の破壊電圧より大きいように、制御ゲート電極から離間される。複数の作動ＭＥＭＳ装置は、上記基板上に形成され、複数のＨＶＴＦＴのうちの関連したＨＶＴＦＴのドレイン電極にそれぞれ接続される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法を用いてＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＷＯなどからなるアモルファス酸化物半導体を形成する場合でも、アモルファス性や膜の平坦性を向上させることができるアモルファス酸化物半導体の成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタ法を用いて基板上にアモルファス酸化物半導体を形成するにあたり、基板を冷却しながら成膜を行う。また、成膜時の基板冷却温度は、−１２０℃〜−２０℃の範囲であることが好ましい。さらに、成膜するアモルファス酸化物半導体としてはＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＷＯ、ＩｎＷＺｎＯまたはＩｎＷＳｎＯが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の優れた酸化物半導体を用いた半導体装置の設計方法を提供することを課題の一とする。又は、信頼性の優れた酸化物半導体を用いた発光装置の設計方法を提供することを課題の一とする。又は、酸化物半導体を用いた半導体装置の評価方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板に酸化珪素膜と有機膜を積層して設け、当該有機膜に重水を含ませた後、有機膜に接して導電膜を成膜する。次いで、酸化珪素膜中の重水素の存在量を測定することにより、重水素イオン又は重水素分子を発生し難い不活性な導電材料を選定して半導体装置を設計すればよい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製工程を簡略化し、フォトマスクの枚数を従来よりも少なくするだけでなく、新たな工程を増やすことなく発光表示装置を作製することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを構成する半導体層に真性または実質的に真性な高抵抗の酸化物半導体を使用することによって、個々のトランジスタに対して半導体層を島状に加工する工程を省くことができる。半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。 （もっと読む）

【課題】生産性が良く、低コストに、開口面積の大きい薄膜トランジスタアレイ、及びそれを用いた画像表示装置を作製することができる薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】半導体層と、半導体層に離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁層を介して半導体層に離間して配置されたゲート電極とを有する表示スイッチング用の薄膜トランジスタを備えた画素が絶縁基板上に複数形成された薄膜トランジスタアレイにおいて、複数の画素１００は互いに隣接して格子状に配置され、この複数の画素１００のうち互いに隣接する４つの画素１００を一単位とし当該一単位の中心部分あに各画素１００の薄膜トランジスタ１００１が集中して配置される構成にした。 （もっと読む）

【課題】複数の基準電位を要する半導体装置、及び半導体装置の駆動において、より消費電力を軽減する。
【解決手段】電源線に直列に接続された複数の抵抗素子により、電源線に供給された電位を抵抗分割し、電源線と電気的に接続するスイッチトランジスタを介して所望の分割された電位を出力する電位分割回路を有する半導体装置であり、スイッチトランジスタのドレイン端子は出力側の回路に設けられたトランジスタのゲート端子（又は容量素子の一方の端子）と電気的に接続しノードを構成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図ること。
【解決手段】ＥＬパネル１の駆動トランジスタ６において、ソース電極６ｉとゲート電極６ａおよびドレイン電極６ｈとゲート電極６ａの間にバックゲート効果を発現させないように、ソース電極６ｉとドレイン電極６ｈをゲート電極６ａから離間させることに十分な膜厚（例えば、２０００Å以上４０００Å以下の膜厚）を有する保護絶縁膜６ｄを形成することによって、駆動トランジスタ６のチャネルが乱されることを低減して、オン電流を安定させるようにした。 （もっと読む）