【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高いオン電流を得ることができるトランジスタを用いた、半導体装置。
【解決手段】トランジスタが、絶縁表面上の一対の第１導電膜と、一対の第１導電膜上の半導体膜と、一対の第１導電膜にそれぞれ接続されている一対の第２導電膜と、半導体膜上の絶縁膜と、絶縁膜上において、半導体膜と重なる位置に設けられた第３導電膜とを有する。また、半導体膜上における第３導電膜の端部と、一対の第２導電膜が設けられた領域とは、離隔している。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板に含まれている不純物が半導体層に作用するのを防止して、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】
提供される半導体装置は、絶縁性基板１上に下地絶縁層２を介して半導体層３を形成する半導体装置に係り、下地絶縁層２に不純物として含まれるボロン又はアルミニウムの濃度が、絶縁性基板表面で１×１０^２２原子／ｃｍ^３以下で、かつ、絶縁性基板表面から１００ｎｍ以上離れた領域で１×１０^１９原子／ｃｍ^３以下の条件を満たして、絶縁性基板表面から半導体層３に向かって漸次減少する態様で分布する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するＴＦＴを複数個、少なくとも２つ設け、それぞれのＴＦＴの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でＴＦＴのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 （もっと読む）

【課題】マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】半導体装置２０の配線として備えられ、マイクロクリスタルシリコン薄膜８と該薄膜上に形成された金属薄膜９とから成る積層配線であって、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の結晶組織を構成している結晶粒には、半導体装置の製造時の熱処理で生じた金属薄膜９とのシリサイド化反応に起因して膜厚方向に成長した柱状の結晶粒が含まれ、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の膜厚方向の長さがマイクロクリスタルシリコン薄膜８の膜厚の６０％以上である柱状の結晶粒が、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の結晶粒の全数の６％以上１５％以下となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】メモリの大容量化と図りつつ、消費電力を軽減でき、且つ、消費電力を一定にす
る。
【解決手段】メモリを、複数のメモリブロックを対称に配置して構成する。また、メモリ
に供給されるアドレス信号のうち、特定の信号の組み合わせにより、データ読み出しまた
は書き込みの対象となるメモリセルを含むメモリブロックを一意に特定する。さらに、当
該メモリブロック以外のメモリブロックに供給される信号を一定値に保つ。このようにす
ることで、メモリアレイにおけるビット線の配線長を短縮し、負荷容量を軽減すると同時
に、メモリ内のあらゆるアドレスのメモリセルに対するデータ読み出しもしくは書き込み
において、消費電流を一定にできる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、金属酸化物を用いた絶縁膜と半導体薄膜とが積層形成された半導体装置であって、絶縁膜はゲート絶縁膜として用いられ、ゲート絶縁膜に接する側にゲート電極が積層形成され、絶縁膜および半導体薄膜は結晶化され、かつ、ゲート電極と重なる部分の結晶性が他の部分の結晶性よりも高いものである。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が小さく抑えられ、出力される電位の振幅が小さくなるのを防ぐことができる、単極性のトランジスタを用いた半導体装置。
【解決手段】第１電位を有する第１配線、第２電位を有する第２配線、及び第３電位を有する第３配線と、極性が同じである第１トランジスタ及び第２トランジスタと、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲートに第１電位を与えるか、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲートに第３電位を与えるかを選択し、なおかつ、第１トランジスタ及び第２トランジスタのドレイン端子に、１電位を与えるか否かを選択する複数の第３トランジスタと、を有し、第１トランジスタのソース端子は、第２配線に接続され、第２トランジスタのソース端子は、第３配線に接続されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】電気泳動表示装置で、書き込み回数のさらに少ないアクティブマトリクス型の電
気泳動表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の画素電極上に、複数の帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルを配置し
、前記画素電極の電位により前記帯電粒子を制御することによって明暗を表示することを
特徴とした表示装置において、前記画素電極への映像信号の再書き込み動作を、画素に表
示する映像が変化する場合に行うことにより、書き込み回数を低減する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を
含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成
領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領
域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、半導体層及び前記ゲート電極上に形成
された第３絶縁層と、第３絶縁層を介して、不純物領域と電気的に接続される導電層と、
を有する。不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜
厚が大きい領域で導電層が接続されている。第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳
する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。
Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜やＧａＮ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの素子をアニールする手法を開示する。
【解決手段】光学ランプからの光をレンズで集光する手段、或いはレーザ光など高温度を発生させる手段によりＳｉＣなど化合物半導体の表層部はＳｉ基板の融点を越えるような高温度として、Ｓｉ基板部はその融点よりも十分低い温度となるような冷却部を設けてＳｉ基板を保持するステージを設けたことを特徴とするアニーリング装置。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する表示装置を作製する
ための技術を提供する。
【解決手段】固定基板上に、剥離層となる非晶質シリコン膜を介して樹脂基板を形成する
工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記非晶質シリコン
膜にレーザー光を照射することにより、前記非晶質シリコン膜において前記固定基板から
前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を
作製する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置し、結晶化誘起金属を用いて結晶化された多結晶シリコン層からなり、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、前記半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に位置し、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に接続されるソース／ドレイン電極を含み、前記半導体層は前記半導体層の両端部に位置する第１ゲッタリングサイト及び前記第１ゲッタリングサイトと離隔されて前記半導体層のドレイン領域のみに位置する第２ゲッタリングサイトを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機発光ダイオード表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、結晶化部分を有する半導体基材を得る。
【解決手段】ベース基材と；該ベース基材上に配置された、アモルファス半導体材料由来の結晶性半導体層とを少なくとも含む半導体基材。結晶性半導体層の表面近傍において、ＳＩＭＳによりＧｅが検出可能である。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上することができるＥＬ表示装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線と有するＥＬ表示装置である。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたＥＬ材料とを有し、容量は、第２の領域と、第２の領域上に第１の絶縁膜を介して設けられる第３の領域とを有する。第１の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法は、ａ−Ｓｉ膜等の半導体薄膜を第１の基板上に堆積する工程Ｓ１と、第１の基板をエッチングして第１の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程Ｓ２と、半導体薄膜に第２の基板を接触させる工程Ｓ３と、半導体薄膜に第２の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程Ｓ４と、第１の基板を半導体薄膜から引き離す工程Ｓ５とを備える。 （もっと読む）