【課題】電源電圧の供給の停止及び再開を行う構成において、揮発性の記憶装置と不揮発性の記憶装置との間のデータの退避及び復帰の必要のない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性の半導体記憶装置とする際、揮発性の記憶装置と不揮発性の記憶装置を分離することなく構成する。具体的に半導体記憶装置には、酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタ及び容量素子に接続されたデータ保持部にデータを保持する構成とする。そしてデータ保持部に保持される電位は、電荷をリークすることなくデータの出力が可能なデータ電位保持回路及び電荷をリークすることなくデータ保持部に保持した電位を容量素子を介した容量結合により制御可能なデータ電位制御回路で制御される。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現できる記憶装置、或いは、リフレッシュ動作の頻度が低減できる記憶装置を提供する。
【解決手段】セルアレイ１０１の内部において、メモリセル１００に接続された配線に、駆動回路１０２から電位の供給が行われる。さらに、駆動回路１０２上にセルアレイ１０１が設けられており、セルアレイ１０１が有する複数の各メモリセル１００は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルからの読み出しのために基準電位より低い電位を出力する機能を有する電位切り替え回路を備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第ｐ行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第（ｐ＋１）行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる信号処理装置を提供する。
【解決手段】信号処理装置が有する記憶回路に、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタを適用することで、電力の供給を停止している間もデータの保持（記憶）を可能とする。記憶回路に記憶されているデータは、信号処理装置への電力の供給を停止している間も、破壊すること無く読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いた書き込み用トランジスタ１６２、トランジスタ１６２と異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ１６０及び容量素子１６４を含む不揮発性のメモリセルにおいて、メモリセルへの書き込みは、書き込み用トランジスタ１６２をオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタ１６２のソース電極（またはドレイン電極）と、容量素子１６４の電極の一方と、読み出し用トランジスタ１６０のゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタ１６２をオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。また、読み出し用トランジスタ１６０として、ｐチャネル型トランジスタを用いて、読み出し電位を正の電位とする。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】信号処理回路は、電源電圧が選択的に供給され、第１の高電源電位が選択的に与えられる第１のノードを有する回路と、第１のノードの電位を保持する不揮発性の記憶回路とを有する。不揮発性の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなる第２のノードとを有する。トランジスタはエンハンスメント型のｎチャネル型のトランジスタである。トランジスタのゲートには、第２の高電源電位または接地電位が入力される。電源電圧が供給されないとき、トランジスタはゲートに接地電位が入力されてオフ状態を維持する。第２の高電源電位は、第１の高電源電位よりも高い。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性のバラツキが低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１０１は、Ｐ型半導体層１０２の上にＮ型半導体層１０４が形成された半導体基板１２、その上に形成されたＢＯＸ層１０６、及びＢＯＸ層上に形成されたＳＯＩ層１０８を有する。第１素子分離絶縁層１１０ｂは、ＳＯＩ基板１０１に埋め込まれ、下端１６がＰ型半導体層１０２に達し、第１素子領域（ＮＦＥＴ領域３０）と第２素子領域（ＰＦＥＴ領域４０）とを分離する。Ｐ型トランジスタ１３０ｂは、第１素子領域４０に位置し、チャネル領域１２０ｂを有し、Ｎ型トランジスタ１３０ａは、ＮＦＥＴ領域３０に位置し、チャネル領域１２０ａを有する。第１バックゲートコンタクト１３４ｂは、第１素子領域４０に位置する第２導電型層層１０４に、第２バックゲートコンタクト１３４ａは、第２素子領域３０に位置する第２導電型層１０４に接続される。 （もっと読む）

【課題】小型でコントラストの高い画像データを取得することができるフォトセンサを提供する。該フォトセンサを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子と、スイッチング素子であるトランジスタと、トランジスタを介して受光素子と電気的に接続する電荷保持ノードとを有するフォトセンサにおいて、導通状態から非導通状態とするためにトランジスタへ供給する駆動パルスの入力波形の立ち下がり時間を遅延させ、電荷保持ノードが保持する電荷の減少を抑制する。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】演算部と、メモリと、演算部及びメモリを制御する制御部と、を有し、制御部は、揮発性の記憶回路と揮発性の記憶回路に保持されたデータを記憶するための第１の不揮発性の記憶回路との組を複数有し、メモリは、第２の不揮発性の記憶回路を複数有し、第１の不揮発性の記憶回路及び第２の不揮発性の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、トランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなるノードに一対の電極のうちの一方が電気的に接続された容量素子とを有する。 （もっと読む）

【課題】動作速度の低下を抑制しつつ、消費電力を低減する。
【解決手段】第１の半導体領域の上に絶縁領域を有し、且つ絶縁領域の上に第２の半導体領域を有する基板に設けられた第１の電界効果トランジスタと、基板の上に設けられた絶縁層と、絶縁層の一平面に設けられ、酸化物半導体層を含む第２の電界効果トランジスタと、第２の電界効果トランジスタのソース及びドレインと同一工程により形成され、第１の電界効果トランジスタの閾値電圧を制御するための電圧が供給される制御端子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料を用いたトランジスタと、第１の半導体材料とは異なる第２の半導体材料を用いたトランジスタと、容量素子とを有する複数のメモリセルを有し、書き込み期間にソース線に電源電位を供給する機能を有する電位切り替え回路を備えた半導体装置とする。これにより、半導体装置の消費電力を十分に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、第１のソース領域およびドレイン領域と、を有する第１のトランジスタと、少なくとも第１のソース領域またはドレイン領域の一部と重畳するように設けられた、酸化物半導体材料からなる第２のチャネル形成領域と、第２のソース電極と、第１のゲート電極に電気的に接続される第２のドレイン電極と、第２のゲート電極と、を有する第２のトランジスタと、第１のトランジスタと第２のトランジスタとの間の絶縁層と、を含むメモリセルを有し、第２のトランジスタをオフ状態とすべき期間において、少なくとも第１のソース領域またはドレイン領域に正の電位が与えられるときに第２のゲート電極に負の電位が与えられる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】従来公知のデバイス素子の形成手法を広く一般的に使用でき、かつ、品質にも優れた薄膜デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一例として、強磁性体層１１の表面側に絶縁層１２を積層して、可撓性の薄膜デバイス基材を得る積層工程と、薄膜デバイス基材を支持するために、前記強磁性体層の裏面側に、強磁性体層と引き合う磁性平板２１を磁力で密着させる支持板密着工程と、薄膜デバイス基材の前記絶縁層上にデバイス素子１３を形成する素子形成工程と、強磁性体層の裏面側から磁性平板２１を取り外す支持板離脱工程と、を備える薄膜デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、異なる種類の半導体素子のそれぞれに適合した厚さを有する半導体層が１つの絶縁膜上に設けられた半導体基板およびその製造方法、その半導体基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体基板１０は、第１絶縁層５と、前記第１絶縁層の上に設けられた半導体層７とを有する半導体基板であって、前記半導体層の中に選択的に設けられ、前記半導体層の表面に平行に延在し、その延在方向の長さが前記第１絶縁層よりも短い第２絶縁層１３と、前記半導体層の表面から前記第１絶縁膜に至る深さに延設され、前記半導体層の前記第２絶縁層を含む部分と、前記半導体層の残りの部分と、を電気的に分離する第３絶縁層１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に半導体素子と内部回路とが設けられた半導体装置において、半導体素子及び内部回路の各温度を検出するセンサを効率的に配置してレイアウトの自由度を高めることができ、且つ半導体素子及び内部回路の各温度をより正確に検出し得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板５の一方面側に、スイッチング素子２０と、このスイッチング素子２０の配置領域から距離を隔てて内部回路３０が配置されている。また、スイッチング素子２０に隣接して、周囲に第１絶縁膜２７が形成された第１温度検出素子２４が設けられている。さらに、内部回路３０よりもスイッチング素子２０に近い側に、周囲に第２絶縁膜２８が形成された第２温度検出素子２５が設けられている。そして、第２絶縁膜２８の厚さが第１絶縁膜２７の厚さよりも大きくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】新規な多層膜構造体及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子用の多層膜構造体の形成方法であって、シリコンを含む基板上に、ゲルマニウム錫混晶からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に表面保護層を形成する表面保護層形成工程と、前記半導体層に熱処理を施すことにより、前記ゲルマニウム錫混晶と前記シリコンを含む基板との固相反応を進め、シリコンゲルマニウム錫混晶からなる半導体歪印加層を形成する半導体歪印加層形成工程と、前記表面保護層を除去する除去工程と、前記半導体歪印加層の上方に、前記除去工程後に、歪半導体層を積層する積層工程とを含むことを特徴とする多層膜構造体の形成方法。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、異なる種類の半導体素子のそれぞれに適合した半導体層が１つの絶縁膜上に設けられた半導体基板、その製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層の上に選択的に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層を介して前記第１半導体層の上に設けられた第２半導体層と、を備える。さらに、前記第１半導体層の表面から前記第１絶縁膜に至る深さに延設され、前記第１半導体層における前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間の部分と、前記第１半導体層の残りの部分と、を電気的に分離した第３絶縁層を備える。 （もっと読む）

【課題】新たな構成のチョッパ型のコンパレータを提供する。
【解決手段】コンパレータは、インバータと、容量素子と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチとを有し、インバータの入力端子と出力端子とは、第１のスイッチを介して電気的に接続され、インバータの入力端子は、容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、容量素子の一対の電極のうちの他方は、第２のスイッチを介して参照電位が与えられ、入力された信号電位は第３のスイッチを介して容量素子の一対の電極のうちの他方に与えられ、インバータの出力端子から出力される電位を出力信号とし、第１のスイッチは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。また、酸化アルミニウム膜を形成することにより、該トランジスタを有する半導体装置や電子機器の作製工程での熱処理でも大気から水や水素が酸化物半導体層に侵入し、拡散することを防止することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）