【課題】 高密度で、構造部寸法がより小さく、より正確な形状の半導体構造体及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】 炭素ベース材料の上面上に配置された少なくとも一層の界面誘電体材料を含む、半導体構造体及び電子デバイスが提供される。少なくとも一層の界面誘電体材料は、炭素ベース材料のものと同じである、典型的には六方晶短距離結晶結合構造を有し、従って、少なくとも一層の界面誘電体材料が、炭素ベース材料の電子構造を変えることはない。炭素ベース材料のものと同じ短距離結晶結合構造を有する少なくとも一層の界面誘電体材料の存在により、炭素ベース材料と、誘電体材料、導電性材料、又は誘電体材料及び導電性材料の組み合わせを含む、上にある任意の材料層との間の界面結合が改善される。その結果、改善された界面結合が、炭素ベース材料を含むデバイスの形成を容易にする。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、低いオン抵抗を備えたノーマリオフ型の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体からなるチャネル層１０４と、前記チャネル層上に形成されたＡｌＩｎＧａＮからなる界面層１０６と、前記界面層上に形成され、前記界面層に達するリセス部を備えたＩＩＩ族窒化物系化合物半導体からなる電子供給層１０８と、前記リセス部を挟んで、前記電子供給層１０８上に形成されたソース電極１１０およびドレイン電極１１２と、前記リセス部の内表面に形成された絶縁膜１２０と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ミリ波以上の周波数において、安定して、高い利得および動作周波数が得られる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板１１上の動作層１３の上に、ソース電極１４、ドレイン電極１５、ゲート電極１８、絶縁膜１７が形成され、
ゲート電極１８は、ソース電極１４とドレイン電極１５の間に配置され、
絶縁膜１７は、ゲート電極１８とドレイン電極１５の間に配置され、
フィールドプレート電極１９は、絶縁膜１７上に形成され、かつ、ソース電極１４と電気的に接続され、
ゲート電極１８上部は、ソース電極１４側およびドレイン電極１５側に突出し、
フィールドプレート電極１９下端は、ゲート電極１８下端よりも下方に配置され、
フィールドプレート電極１９上端は、ゲート電極１９上部においてドレイン電極１５側に最も突出した部分よりも下方に配置されている電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】界面準位を低減しつつ、電荷トラップに起因するヒステリシスを抑制できる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２００は、ＧａＮを含む半導体層１０１を表面の少なくとも一部に有する基板（半導体基板１００）と、半導体層１０１と接するように半導体基板１００上に設けられており、窒素を含まず、Ａｌを含む酸化金属層からなる第１のゲート絶縁層（Ａｌ_２Ｏ_３膜１１４）と、Ａｌ_２Ｏ_３膜１１４上に設けられており、ＳｉおよびＯを含む第２のゲート絶縁層（ＳｉＯ_２膜１１６）と、ＳｉＯ_２膜１１６上に設けられたゲート電極１１８と、を備え、ゲート電極１１８の下面は、ＳｉＯ_２膜１１６に接しており、Ａｌ_２Ｏ_３膜１１４の膜厚は、ＳｉＯ_２膜１１６の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムドープゲートを有するプログラマブルIII−窒化物トランジスタを提供する。
【解決手段】第１のIII−窒化物材料１０４と第２のIII−窒化物材料１０６との界面に形成される２次元電子ガスを有する導電チャネルを含むIII−窒化物ヘテロ接合デバイスにおいて、ゲート接点１４０の下に形成されるゲート絶縁層１１２が導電チャネルの上方に配置され、接点絶縁層１１２は界面における２次元電子ガスの形成を変更する。接点絶縁層１１２はＡｌＳｉＮ又はアルミニウムがドープされたＳｉＮとすることができる。接点絶縁層１１２はIII−窒化物ヘテロ接合デバイス１６０の閾値電圧をプログラミングしてデバイスをエンハンストモードデバイスにする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの閾値電圧を高くする。
【解決手段】フローティング電極１１０は半導体層１０２上に形成されており、絶縁層はフローティング電極１１０上に形成されている。バイアス電極１３４は、絶縁層を介してフローティング電極１１０の一部に対向することにより、フローティング電極１１０と容量結合し、かつフローティング電極１１０が半導体層１０２にチャネル領域を形成しない大きさの電圧が印加される。制御電極１３２は、絶縁層を介してフローティング電極１１０の他の部分に対向することにより、フローティング電極１１０と容量結合し、かつトランジスタのオン／オフを制御するための制御電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系の窒化物半導体を用いたデバイスのゲートリセス量の制御性を向上することで、閾値電圧の面内均一性を向上することができる窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１上に形成された第１のＧａＮ系半導体からなるバッファ層１０２と、第２のＧａＮ系半導体からなるキャリア走行層１０３と、第３のＧａＮ系半導体からなるキャリア供給層１０４とを備えている。キャリア供給層１０４の上には第１の絶縁膜１０５と、アルミニウムを含む第２の絶縁膜１０６と、第１の絶縁膜１０５より膜厚が厚い第３の絶縁膜１０７とが形成されている。ソース電極１０８及びドレイン電極１０９は第１の絶縁膜１０５上に形成されている。ゲート電極１１０は、リセス構造を含む第２の絶縁膜１０６及び第３の絶縁膜１０７上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の構造的及び化学量論的特性を保ったまま、窒化物本体を横方向及び縦方向で空間的に規定された選択ドーピングを達成しうるインシチュドーパント注入及び成長を提供する。
【解決手段】窒化物半導体本体の成長中にインシチュドーパント注入を可能にする方法は、ドーパント注入装置及び成長室を有する複合窒化物室中に、窒化物半導体本体に対する成長環境を確立するステップと、成長室内で窒化物半導体本体を成長させる成長ステップと、ドーパント注入装置を用いて成長室内で窒化物半導体本体にインシチュ状態でドーパント注入を行う注入ステップとを具える。この方法を用いて形成する半導体デバイスは、サポート基板上に形成した第１導電型の窒化物半導体本体と、窒化物半導体本体の成長中にこの窒化物半導体本体のインシチュドーパント注入により形成され、第２導電型を有する少なくとも１つのドープ領域とを具える。 （もっと読む）

【課題】初期故障や偶発故障の発生を低減する。
【解決手段】ＨＦＥＴ１は、下層のＧａＮ層１３およびＧａＮ層１３の一部を露出させるトレンチＴ１が形成された上層のＡｌＧａＮ層１４よりなるＩＩＩ族窒化物半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６と、を備える。少なくともゲート絶縁膜１５と接触するトレンチＴ１底部のＧａＮ層１３上面には、原子層ステップが形成されている。原子層ステップのテラス幅の平均値は、０．２μｍ以上１μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。
【解決手段】化合物半導体装置の製造方法を、基板１上に化合物半導体積層構造４を形成する工程と、化合物半導体積層構造上に金属膜５Ａ〜５Ｃを形成する工程と、金属膜上にソース電極７及びドレイン電極８を形成する工程と、金属膜の一部を酸化又は窒化して、金属酸化物膜又は金属窒化物膜５ＣＸを形成する工程と、金属酸化物膜又は金属窒化物膜上にゲート電極９を形成する工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極に注入された不純物に起因するゲートリークを低減させる。
【解決手段】ゲート電極１４が形成されたアクティブ領域による被覆率が５０％以上かつその面積が０．０２ｍｍ^２以上の領域において、多結晶シリコン膜１４´に炭素１５を導入してから、多結晶シリコン膜１４´にリン１６を導入し、多結晶シリコン膜１４´をパターニングすることにより、ゲート絶縁膜１３上にゲート電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】高移動度と高耐圧を両立し、かつ大電流動作が可能なIII族窒化物半導体を用い
た半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、III族窒化物系化合物半導体からなり、シートキャリア密度
が、１×１０^１２ｃｍ^−２以上５×１０^１３ｃｍ^−２以下である半導体動作層と、前記半
導体動作層上に形成された第1の電極及び第２の電極とを備え、前記半導体動作層におけ
る転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以上、５×１０^８ｃｍ^−２以下であることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物トランジスタのドレイン及びソース接点と、下位のドレイン及びソース領域の各々との間の抵抗を低減させる。
【解決手段】ゲート、ソース、及びドレイン領域上に延在するフィールド誘電体２４０にトレンチをエッチングする工程と、ゲート、ソース、及びドレイン領域上にゲート誘電体２７０を形成する工程と、ゲート誘電体上２７０にブランケット拡散バリア２７２を形成する工程と、ソース及びドレイン領域からブランケット拡散バリア２７２を除去する工程と、ゲート誘電体２７０をソース及びドレイン領域から除去し、ソース及びドレイン領域をほぼ露出させる工程とを含む。次いで、ソース及びドレイン領域に接点金属２９０を堆積することにより、オーミック接点を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体／ゲート絶縁膜の界面特性、及び、ゲート絶縁膜の膜質が共に良好である半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ１１は、ＧａＮ系の半導体から成る活性層３と、活性層３上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。ゲート絶縁膜は、活性層３上に形成され、Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ｌａ_２Ｏ_３，Ｙ_２Ｏ_３から成る群から選択された１つ以上の化合物を含む第１の絶縁膜６と、第１の絶縁膜６上に形成され、ＳｉＯ_２から成る第２の絶縁膜７とを有する。 （もっと読む）

【課題】横方向延伸を減少し、素子サイズを小さくすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に延伸し、ＳＴＩ領域を間に有する第１および第２のフィンを形成する。ＳＴＩ領域の上面と第１および第２のフィンの上面の間の寸法を第１の高さとし、ＳＴＩ領域の第１と第２のフィンとの間の間隙内に誘電材料を堆積し、ＳＴＩ領域の上面上に上面を有して、誘電材料の上面と第１および第２のフィンの上面との寸法を第２の高さとし、第２の高さは、第１の高さより低くなるように誘電材料を堆積した後、第１および第２のフィン上でそれぞれ誘電体の上方に、第１および第２のフィン延伸をエピタキシャル成長で形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセスの自由度を高めつつ、活性層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極を形成できる半導体トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系の半導体からなる活性層上に、オーミック電極を形成する半導体トランジスタの製造方法であって、活性層３上に、タンタル窒化物からなる第１の層１１と、第１の層１１上に積層されたＡｌからなる第２の層１２とを形成する工程と、第１及び第２の層１１，１２を、５２０℃以上、６００℃以下の温度で熱処理することにより、活性層３とオーミックコンタクトをとるオーミック電極９ｓ，９ｄを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスが抑制された窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタを容易に実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１００の上に形成され、第１の窒化物半導体層１２２及び第２の窒化物半導体層１２３を有する半導体層積層体１０２を備えている。半導体層積層体１０２の上には、互いに間隔をおいてソース電極１３１及びドレイン電極１３２が形成されている。ソース電極１３１とドレイン電極１３２との間には、ソース電極１３１及びドレイン電極１３２と間隔をおいてゲート電極１３３が形成されている。ドレイン電極１３２の近傍には正孔注入部１４１が形成されている。正孔注入部１４１は、ｐ型の第３の窒化物半導体層１４２及び第３の窒化物半導体層１４２の上に形成された正孔注入電極１４３を有している。ドレイン電極１３２と正孔注入電極１４２とは、電位が実質的に等しい。 （もっと読む）

【課題】エンハンメント型ＧａＮ系ＨＦＥＴの閾値電圧のバラツキを低減する。
【解決手段】窒化物半導体装置８０では、第２のリセスエッチングによりアンドープＧａＮ層３の上部に突起部５１が設けられる。突起部５１上には、上部が第１のリセスエッチングにより形成されたアンドープＡｌＧａＮ層４ａが設けられる。積層部７は、アンドープＧａＮ層３の突起部５１、アンドープＡｌＧａＮ層４ａ、及び絶縁膜５から構成される。トレンチ部８は、絶縁膜５、アンドープＡｌＧａＮ層４ａ、及びアンドープＧａＮ層３表面がリセスエッチングされたものである。積層部７及びトレンチ部８上にはゲート絶縁膜６が設けられる。ゲート絶縁膜６上には、トレンチ部８を覆うようにゲート電極３３が設けられる。絶縁膜５はゲート絶縁膜６よりも膜厚が厚く設定されている。 （もっと読む）

【課題】オン動作時には電子移動の抵抗が低く、かつオフ動作時にはゲート電極と２次元電子ガスとのゲートリーク電流が発生しにくいＩＩＩ族窒化物系へテロ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明のＩＩＩ族窒化物系へテロ電界効果トランジスタは、基板と、該基板の上に設けられるキャリア走行層と、該キャリア走行層上に、ヘテロ界面を形成するように設けられる障壁層と、該障壁層上の一部からキャリア走行層の内部まで掘り込まれたリセス構造と、該リセス構造上に設けられる絶縁層と、該絶縁層上に設けられるゲート電極とを含み、キャリア走行層および障壁層はいずれも、ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、絶縁層は、リセス構造の側面上に形成される側面絶縁層と、リセス構造の底面上に形成される底面絶縁層とからなり、側面絶縁層の厚みは、前記底面絶縁層の厚みよりも厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チャネルのしきい値電圧がより高いエンハンスメント型の電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 複数層の窒化物半導体を有する電界効果トランジスタにおいて、複数層の窒化物半導体のうち、電界効果トランジスタのキャリアが走行するチャネル層半導体１０２と、チャネル層半導体１０２よりも下層にあって、チャネル層半導体１０２よりもバンドギャップの大きい窒化物半導体からなる下方障壁層半導体１０４と、チャネル層半導体１０２と下方障壁層半導体１０４との間にあって、バンドギャップが下方障壁層半導体１０４のバンドギャップより大きい薄高障壁層半導体１０３とを設ける。 （もっと読む）