【課題】 本発明は、低消費電力で動作する論理回路に応用できる電界効果トランジスタを提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ソース電極とソース電極が接する半導体の伝導帯又は価電子帯との間に障壁を有しており、ソース電極から障壁を通して流れ込む電子又はホールをゲート電圧により調整できる構成を有することを特徴とするｎチャンネル又はｐチャンネルの電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に形成される半導体領域、半導体領域内に形成され、互いに分離されているソース領域及びドレイン領域、半導体領域内に形成され、ソース領域及びドレイン領域を分離するチャネル領域、チャネル領域上に形成され、１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２よりも大きいピーク濃度で、Ｓｉ、Ｏ、またはＮとは異なる少なくとも一つの要素を有する界面酸化層、及び界面酸化層上に形成され、実質的に界面酸化層に隣接する深さでｈｉｇｈ―ｋ／界面酸化層接合面を有するｈｉｇｈ―ｋ絶縁層を有するＭＯＳ（metal-oxide-semiconductor）トランジスタを備え、少なくとも一つの要素のピーク濃度の少なくとも一つの深さは、実質的にｈｉｇｈ―ｋ／界面酸化層接合面よりも下に位置する。 （もっと読む）

【課題】半導体積層体に含まれるチャネル層下の化合物半導体層を不純物ドーピングでｐ型化することなく、その半導体積層体を含むＨＦＥＴのリーク電流の低減や耐電圧の向上などを可能とする。
【解決手段】半導体積層体は、基板（１１）上において順次堆積された第１、第２および第３の化合物半導体層（１３、１４、１５）を少なくとも含み、その第１化合物半導体層（１３）の少なくとも部分的層（１６）は非晶質に改質されており、第２化合物半導体層（１４）は第１化合物半導体層（１３）に比べて小さなバンドギャップを有して光吸収層として作用し得る。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上述の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、ソースとドレインに低い電子障壁を誘導するためにショットキー接触を有するＩＴＯ透明電極を蒸着する窒化物半導体ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 窒化物半導体ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法が提供される。本窒化物半導体ＭＯＳＦＥＴの製造方法は、単結晶シリコン基板上に有機金属化学蒸着器（ＭＯＣＶＤ）を用いて緩衝層を蒸着し、緩衝層の上に窒化物半導体薄膜を形成し、窒化物半導体薄膜に硫化アンモニウムを処理し、硫化アンモニウムを処理した後、窒化物半導体薄膜の上にＩＴＯを用いて電極を形成し、電極を覆い、前記窒化物半導体薄膜の上にゲート誘電体を形成し、ゲート誘電体の上にＩＴＯを蒸着してゲート電極を形成する。これにより、窒化物半導体がエンハンスメントモードで動作することにより、漏れ電流及び出力消耗を減少させることができ、センサと集積化を簡単に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流を低減し、パワースイッチング素子に適用可能なノーマリーオフ型の半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１の上に形成されたアンドープＧａＮ層１０３と、アンドープＧａＮ層１０３の上に形成されたアンドープＡｌＧａＮ層１０４と、アンドープＧａＮ層１０３又はアンドープＡｌＧａＮ層１０４の上に形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８と、アンドープＡｌＧａＮ層１０４の上に形成され、ソース電極１０７とドレイン電極１０８との間に配置されたｐ型ＧａＮ層１０５と、ｐ型ＧａＮ層１０５の上に形成されたゲート電極１０６とを備え、アンドープＧａＮ層１０３は、チャネルを含む活性領域１１３と、チャネルを含まない不活性領域１１２とを有し、ｐ型ＧａＮ層１０５は、ソース電極１０７を囲むように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型デバイスのゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させ、かつ、チップサイズの増加を抑制した、窒化物系半導体装置を提供することができる、窒化物系半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ショットキー電極３０が、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する領域の、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する方向と略直交する方向にゲート電極２８と並んで形成されている。ショットキー電極３０は、ＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されており、ソース電極２４に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＧａＮ層上に容易に絶縁膜を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層の表面に形成されたＡｌＧａＮ酸化膜とを備えている半導体装置の製造方法であって、アルカリ溶液４８中にＡｌＧａＮ層を有する基板４０と陰極４４とを浸した状態で、ＡｌＧａＮ層と陰極４４との間にＡｌＧａＮ層がプラスとなる電圧を印加するとともに、ＡｌＧａＮ層に紫外線を照射する酸化ステップを有している。 （もっと読む）

【課題】真空装置を使用せずに、トランジスタ等の半導体装置に適用できるＭＯＳ構造の積層膜を形成する。
【解決手段】成膜方法は、半導体膜３を有する基板に、ポリシラン溶液を塗布し、半導体膜３上にポリシラン膜５を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、ポリシラン膜５上に、金属塩溶液を塗布し、金属イオン含有膜７を形成することにより、ポリシラン膜５をポリシロキサン膜５Ａへ、金属イオン含有膜７を金属微粒子含有膜７Ａへ、それぞれ改質する工程（ＳＴＥＰ２）を備え、ＭＯＳ構造の積層膜１００を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセスの深さの制御を安定的に行なえるようにして、ノーマリオフ動作のデバイスを安定的に作製できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、基板１の上方に設けられたＧａＮ電子走行層２と、ＧａＮ電子走行層２上に設けられた第１ＡｌＧａＮ電子供給層３と、第１ＡｌＧａＮ電子供給層３上に設けられたＡｌＮ電子供給層４と、ＡｌＮ電子供給層４上に設けられた第２ＡｌＧａＮ電子供給層５と、第２ＡｌＧａＮ電子供給層５及びＡｌＮ電子供給層４に設けられたゲートリセス９と、ゲートリセス９に設けられたゲート電極１２とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群からなるＨＥＭＴ構造の半導体素子の上に、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２の混晶からなる絶縁膜７を形成し、その上にゲート電極９を形成した。 （もっと読む）

【課題】ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。
【解決手段】形成されるシリサイド金属ゲート相の変化を生じさせるポリＳｉゲートスタック高さの変化という欠点のないＣＭＯＳシリサイド金属ゲート集積化手法が提供される。集積化手法は、プロセスの複雑さ最小限に保ち、それによって、ＣＭＯＳトランジスタの製造コストを増加させない。 （もっと読む）

【課題】高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群からなるＨＥＭＴ構造の半導体素子の上に、Ａｌ２Ｏ３−Ｓｉ３Ｎ４の混晶からなる絶縁膜７を形成し、その上にゲート電極９を形成した。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてドープした金属原子とガリウム格子間原子とが複合体を形成している。好ましくは、前記添加物は鉄またはニッケルである。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、前記ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。 （もっと読む）

【課題】チャネル層をＩｎＡｓから構成するヘテロ構造の電界効果トランジスタで、高速で安定した動作ができるようにする。
【解決手段】キャップ層１０５の表面を塩酸からなる処理液で処理する。処理液は、例えば、塩化水素の３７質量％水溶液を、水で５倍（体積）に希釈したものである。次に、基板１０１を処理液中より引き上げ、直ちにキャップ層１０５の表面に付着している塩酸を除去する。この塩酸の除去では、水を用いることなく、例えば、キャップ層１０５の表面に窒素ガスを吹き付けることで付着している塩酸を除去する。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１半導体領域、第２半導体領域、第３半導体領域、第４半導体領域、ゲート領域、ゲート絶縁膜及び電界緩和領域を備える。第１導電形の第１半導体領域は、第１部分と第１方向に延出した第２部分とを有する。第１導電形の第２半導体領域は、第１部分上の第３部分と第２部分と隣接する第４部分とを有する。第２導電形の第３半導体領域は、第３部分上の第５部分と第４部分と隣接する第６部分とを有する。第１導電形の第４半導体領域は、第５部分上で第６部分と隣接する。ゲート領域は、第２半導体領域、第３半導体領域及び第４半導体領域を第２方向に貫通するトレンチ内に設けられる。ゲート絶縁膜は、トレンチ内壁とゲート領域との間に設けられる。第２導電形の電界緩和領域は、第３部分と第５部分との間に設けられ、第３半導体領域よりも不純物濃度が低い。 （もっと読む）

【課題】チャネル層をＩｎＡｓから構成するヘテロ構造の電界効果トランジスタで、高速で安定した動作ができるようにする。
【解決手段】第１障壁層１０２に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第１不純物導入領域１１０と、第２障壁層１０４に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第２不純物導入領域１１１とを備える。また、第１不純物導入領域１１０および第２不純物導入領域１１１は、チャネル層１０３の電子に不純物散乱を生じさせない範囲でチャネル層１０３より離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の端部でのバイアス電界集中が緩和され、且つ動作時のオン抵抗の増大が抑制された化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】キャリア供給層２２、及びキャリア供給層２２との界面近傍において二次元キャリアガス層２３が形成されるキャリア走行層２１を有する化合物半導体層２０と、化合物半導体層２０の主面２００上に配置されたソース電極３及びドレイン電極４と、ソース電極３とドレイン電極４間で主面２００上に配置されたゲート電極５と、ゲート電極５とドレイン電極４間で主面２００上方に配置されたフィールドプレート６と、フィールドプレート直下の二次元キャリアガス層が形成される領域内に配置された、上方にフィールドプレート若しくはゲート電極が配置されていない二次元キャリアガス層が形成される領域よりも導電率が低い低導電性領域２１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低減した半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、半導体層の表面側に、第１のフィールド絶縁膜と前記第１のフィールド絶縁膜に対して離間し且つ前記第１のフィールド絶縁膜よりも浅い少なくとも１つの第２のフィールド絶縁膜とを同時に形成する工程を備えた。さらに、前記半導体層における前記第１のフィールド絶縁膜及び前記第２のフィールド絶縁膜が形成された領域に第１導電形のドリフト領域を形成する工程を備えた。さらに、前記半導体層における前記第１のフィールド絶縁膜側の表面に、前記ドリフト領域よりも第１導電形不純物濃度が高い第１導電形のドレイン領域を形成する工程を備えた。さらに、前記半導体層における前記第２のフィールド絶縁膜側の表面に、第１導電形のソース領域を形成する工程を備えた。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体基板の位置検出を、可視光を用いて高精度に行う。
【解決手段】一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。 （もっと読む）