【課題】チャネル部分へのC原子の偏積と酸化膜内へのC原子の蓄積を独立に制御かつ低減する。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化して、薄い熱酸化膜を成長させ、所望の二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜厚＝前記熱酸化膜の膜厚＋堆積したシリコン膜厚の100/44倍、の関係になるようにして求めた膜厚のシリコンを、熱酸化膜の上に堆積する。この堆積したシリコンを熱酸化することにより、所望の膜厚の二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜を得る。この二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜の上に、ゲート電極をデポジションしてパターニングし、かつ、ソースドレイン形成をする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の侵食を抑制し、ＦＥＴの故障や不良の発生を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層１５上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上面に保護膜１９を形成する工程、ゲート絶縁膜１８を熱処理する工程、及びゲート絶縁膜１８をプラズマ処理する工程のいずれか一つと、前記いずれか一つの工程の後に、ゲート絶縁膜１８を形成する工程の後のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、前記ゲート絶縁膜１８上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低閾値電圧動作が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体基板２と、半導体基板に離間して形成されたソースおよびドレイン領域１２ａ、１２ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体基板上に形成され、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１つの物質と酸素を含む第１絶縁膜４と、第１絶縁膜上に形成され、シリコンと酸素を含む第２絶縁膜８と、第２絶縁膜上に形成されたゲート電極１０と、を備え、Ｖ、Ｃｒ、Ｔｅ、Ｐ、Ａｓ、Ｓ、Ｓｅの群から選ばれた少なくとも一つの第１物質と、窒素とが第１絶縁膜と第２絶縁膜との界面を含む界面領域７に含まれ、第１物質の面密度が界面領域内の第２絶縁膜側において第１ピークを有し、窒素の面密度が界面領域内に第２ピークを有し、第２ピークの位置が、第１ピークの位置よりも半導体基板側にある。 （もっと読む）

【課題】 低温の酸素ラジカルで酸化した膜は、初期特性こそ従来の熱酸化膜同等以上の特性を得られるが、各種のストレスを印加した場合、その特性が大きく劣化するという問題を有しており、その対策が望まれていた。
【解決手段】 ５００℃以下の温度で保持されたシリコン基板に対し、酸素ラジカルを用いてシリコン表面を酸化し、シリコン酸化膜を形成する半導体ゲート絶縁膜の形成方法において、ラジカル酸化を行う前に、シリコン基板表面を終端している水素原子を１ｘ１０^１４原子／ｃｍ^２以下の面密度にまで除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱的および化学的に安定な酸化ゲルマニウムの製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型Ｇｅからなる基板１は、純水および０．１％ＨＦによって洗浄され、その後、超純水によってリンスされる（工程（ａ）参照）。その後、基板１は、３３％の過酸化水素水３に、６０秒間、浸漬される（工程（ｂ）参照）。これによって、酸化ゲルマニウム膜４が基板１の一主面に形成される。 （もっと読む）

【課題】安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、ＡＬＤ装置内で、ゲート絶縁膜の成長温度に比べ高い温度で熱処理を実施し、前記ＧａＮ系半導体層の表面のフッ素を除去する工程Ｓ２０と、前記フッ素を除去する工程Ｓ２０の後、前記ＡＬＤ装置内で、前記ＧａＮ系半導体層の表面に前記ゲート絶縁膜を形成する工程Ｓ１６と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス中の、ＧｅやＩＩＩ−Ｖ化合物（例えばＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓ）のような高移動度半導体化合物チャネル中の、フェルミレベルピンニング（ＦＬＰ）を低減（回避）する方法の提供。
【解決手段】半導体化合物１１上のゲート誘電体１９上にゲート電極２０を形成し、水素アニール２１を実施する。水素はゲート電極のＰｔやＰｄのような貴金属による触媒作用により原子状水素を形成しアニールを行い半導体化合物１１とゲート誘電体１９との界面を界面をパッシベートし、更には欠陥を回復する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２／ＳｉＣ構造を備える、たとえばＭＯＳＦＥＴなどの半導体装置は、界面準位密度の低減が不十分である。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の一方の主表面上に形成させたＳｉＣエピタキシャル層２の一方の主表面上に、あらかじめＳｉ薄膜３を形成させて、このＳｉ薄膜３の内部に窒素原子を注入させる。この状態で、ＳｉＣエピタキシャル層２の一方の主表面上を酸窒化させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、良好な移動度を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。非金属Ge化合物層は、例えばSrとGeの化合物、BaとGeの化合物もしくはBaとSiとGeの化合物を有する。 （もっと読む）

【課題】活性領域表面に凹凸を生じることなく活性領域上端の角部を丸めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域を画定する素子分離絶縁膜を形成する工程と、活性領域上に、０．１ｎｍ以上、０．７ｎｍ未満の膜厚の自然酸化膜を形成する工程と、水素を含む雰囲気中で、８５０℃よりも高く９５０℃未満の温度で熱処理を行い、活性領域の角部を丸めるとともに、自然酸化膜を還元除去する工程と、自然酸化膜を除去した活性領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明はトレンチの上部縁部位でゲート絶縁膜が薄くなる現象を防止し、均一な厚さを有するゲート絶縁膜を形成することができる半導体素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、活性領域を画定するトレンチが形成された基板と、該トレンチに埋め込まれた素子分離膜と、前記活性領域上にゲート絶縁膜の成長時に前記トレンチの上部縁部位での酸化を促進するために前記トレンチの上部縁部位に形成された酸化促進領域と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート導電膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 （１１１）表面のシリコン（Ｓｉ）基板に、原子レベルで超平坦な表面を実現する。
【解決手段】 シリコン基板（１１１）表面を、予め、フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）溶液で表面処理した後、濃度６８％，沸点１２０．７℃の共沸硝酸溶液内に浸漬して、前記シリコン基板表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）主体の被膜を形成し、ついで、濃度４０重量％のフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）溶液で上記二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）主体の被膜をエッチング除去する。ＡＦＭ像では、バイレイヤー ステップが観測され、表面粗さの指標（ＲＭＳラフネス値）が0.07nmと判定され、原子レベルでの超平坦な表面が形成できた。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇｅを含有する半導体基板を、ＨＣｌガス、ＨＢｒガスまたはＨＩガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。Ｇｅを含有する半導体基板を、７５℃以上１１０℃以下のＨＣｌ溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の前処理、ソース・ドレイン電極形成の前処理、コンタクトの金属プラグ形成の前処理に適用される。 （もっと読む）

【課題】炭素の混入と、組成のばらつきを低減した絶縁膜を形成する。
【解決手段】絶縁膜の形成方法において、基板上にシリコン層と金属層を順次形成してシリコンと金属の２層構造を形成し、前記シリコンと前記金属とが目標とする組成で金属珪化物を生成する反応温度を選択し、前記２層構造を加熱して金属珪化物層を形成する。前記金属のうち、未反応で残る部分を除去する。前記金属珪化物層を酸化又は窒化して、絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、絶縁性が良好で、かつ酸化膜換算膜厚のきわめて薄い絶縁膜を提供することである。
【解決手段】水素終端による撥水性を持つシリコン表面から水素原子を脱離させ、親水化したのち、絶縁膜を堆積する工程を含む絶縁膜の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 熱処理を行う際に、半導体基板の裏面側からの半導体構成原子の昇華を防止し得る半導体装置の製造方法及び半導体製造工程の管理方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０にゲート絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、半導体基板の表面側及び裏面側を覆うように絶縁膜１２を形成する工程と、半導体基板の表面側の絶縁膜をエッチング除去する工程と、半導体基板の裏面側に絶縁膜が存在している状態で、半導体基板を熱処理する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】特性の向上を図ることが可能な基板、エピタキシャル層付基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、{０００１}面の＜１−１００＞方向におけるオフ角度θが０°超え８°以下の六方晶系ＳｉＣ基板としての基板２と、基板２の表面に形成されたＳｉＣエピタキシャル成長層としての耐圧保持層２２およびｐ領域２３と、耐圧保持層２２およびｐ領域２３の表面に形成された絶縁膜としての酸化膜２６と、酸化膜２６の下の領域（ｐ領域２３の上層）と酸化膜２６との界面（ＭＯＳ界面）に流れる電子を供給するため、上記領域と隣接する位置に形成された導電領域としてのｎ^＋領域２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域として用いるエピタキシャル成長結晶からゲート絶縁膜への不純物拡散による信頼性の低下を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、第１の面と、前記第１の面に対して傾斜した第２の面とを有するＳｉＧｅ結晶層を形成する工程と、前記ＳｉＧｅ結晶層上に非晶質Ｓｉ膜を形成する工程と、加熱処理を施すことにより、前記ＳｉＧｅ結晶層の前記第１および第２の面をシードとして、前記非晶質Ｓｉ膜の前記第１および第２の面の近傍に位置する部分を結晶化させてＳｉ結晶層を形成する工程と、前記非晶質Ｓｉ膜の加熱処理により結晶化しなかった部分を選択的に除去、または薄くする工程と、前記Ｓｉ結晶層の表面に酸化処理を施すことにより、前記Ｓｉ結晶層の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板とｈｉｇｈ−ｋ誘電体との界面の品質を最適化する技術を提供する。
【解決手段】ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体を形成する方法であって、半導体基板を準備する工程と、基板を洗浄する工程と、熱処理を行う工程と、ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を堆積する工程とを含み、熱処理工程は非酸化雰囲気中で行われて、半導体基板とｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料との間に薄い界面層を形成し、薄い界面層の膜厚は１０Åより小さい方法。 （もっと読む）

【課題】 自然酸化膜を還元除去できる低温化可能な工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）少なくともシリコン表面層を有する基板を準備する工程と、（ｂ）前記シリコン層の表面に厚さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの自然酸化膜を形成する工程と、（ｃ）前記厚さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの自然酸化膜を水素アニール処理により、還元除去する工程と、（ｄ）前記工程(ｃ）に続いて、前記シリコン表面層の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）