【課題】せり上げ構造を有する半導体装置において、せり上げる領域をエッチングする際に、活性層である島状半導体膜がエッチングされるのを抑制する。
【解決手段】島状半導体膜の表面を酸化あるいは窒化して第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の一部の領域上に半導体膜を形成し、第１の絶縁膜の一部を除去して島状半導体膜の中の半導体膜が形成されていない領域を露出させ、島状半導体膜の表面及び半導体膜を酸化あるいは窒化して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にゲート電極を形成し、第２の絶縁膜をエッチングしてゲート絶縁膜を形成し、ゲート電極をマスクとして島状半導体膜及び半導体膜に一導電型を付与する不純物元素を添加し、島状半導体膜及び半導体膜を加熱して不純物元素を活性化させ、島状半導体膜及び半導体膜を加熱することにより第１の絶縁膜が消失する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、光吸収膜を利用して実行する新たな製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に光吸収膜を堆積し、前記光吸収膜を加工して、第１の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第１領域と、前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第２領域と、前記第２の膜厚よりも薄い第３の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第３領域とを形成し、前記基板に光を照射することにより、前記基板をアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の表面角の異なる領域を選択的に局所加熱することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と前記第１の領域と面方位が異なる第２の領域が形成された基板６の前記第２の領域へ偏光した光を入射する照射部１〜５と、前記第２の領域からの前記偏光した光の反射光が入射される回転検光子８と、回転検光子８を介して前記反射光を受光し、前記反射光の強度を検出する光検出器９と、回転検光子８の回転角度及び前記検出された強度に基づいて前記第２の領域の屈折率を算出する解析部１０と、基板６へレーザを照射するレーザ照射部１２、１３と、前記屈折率に基づいて前記第２の領域のブリュースター角を求め、前記第２の領域の表面に前記ブリュースター角で前記レーザが入射するようにレーザ照射部１２、１３を制御するコントローラ１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属元素を有する絶縁膜の界面特性を向上させる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、下層、Ge層、Ge酸化物層、上層の順に積層された構造を形成する工程と、熱処理を用いてGe酸化物層及びGe層を除去して、上層と下層とを直接接合させる工程とを有し、上層及び下層の何れかは金属元素を有する絶縁物で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エクステンション領域におけるチャネル方向の不純物濃度分布を急峻にすることができる。
【解決手段】 基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、基板の第１の深さまで形成された、不純物を含有する不純物拡散領域と、第１の深さよりも深い第２の深さまで、基板に形成された、不活性物質を含有する不活性物質含有領域と、第２の深さよりも深い第３の深さまで、基板に形成された、不純物の拡散を抑制する拡散抑制物質を含有する拡散抑制領域と、を有し、基板はシリコンからなり、不活性物質は、シリコン以上に重い物質からなり、不活性物質は、ゲルマニウムである。 （もっと読む）

【課題】 チャネル抵抗の上昇を最小限に抑えつつ、トランジスタのコンダクタンス特性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上にＭＯＳ型トランジスタが形成してある半導体装置において、ＭＯＳ型トランジスタは、ウェルと逆導電の不純物をチャネルドープすることにより形成されるデプレッション型トランジスタであって、かつ、ＭＯＳ型トランジスタのチャネル領域が、多結晶シリコン層もしくはアモルファスシリコン層からなる第１のチャネル領域と、単結晶シリコン層からなる第２のチャネル領域と、が順次設けられた積層構造を有しており、更に、第１のチャネル領域が、チャネルドープされた領域とウェルとの境界に形成されるＰＮ接合よりも表面側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 高品質の加工を行う。
【解決手段】 第１の波長、及び第１の波長とは異なる第２の波長のレーザビームを出射するレーザ光源と、第１面及び第１面と反対側の第２面を有する加工対象物を保持するステージと、第１の波長のレーザビームを、ステージに保持された加工対象物の第１面に入射させる第１の光学系と、第２の波長のレーザビームを、ステージに保持された加工対象物の第２面に入射させる第２の光学系と、第１の波長のレーザビームが、ステージに保持された加工対象物の第１面に入射した後に、第２の波長のレーザビームが、第２面に入射するように、レーザ光源によるレーザビームの出射を制御する制御装置とを有するビーム照射装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数のデバイスを含む基板に対し、電磁放射線によるアニール中に基板の表面全体に一様な加熱を実施する方法を提供する。
【解決手段】基板３００上にアモルファス炭素を含む層３１２を堆積させるステップと、その後、該層３１２を少なくとも約３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板３００を約６００ｎｍ〜約１０００ｎｍの波長を１つ以上もつ電磁放射線にさらすステップと、を含む前記方法が提供される。任意に、前記アモルファス炭素を含む層３１２は、窒素、ホウ素、リン、フッ素、及びそれらの組合わせからなる群より選ばれたドーパントを更に含んでいる。一態様においては、前記アモルファス炭素を含む層３１２は、反射防止コーティングと、電磁放射線を吸収し且つ基板３００の最上面をアニールする吸収層である。一態様においては、基板３００はレーザアニールプロセスにおいて電磁放射線にさらされる。 （もっと読む）

【課題】微細ショットキーＭＩＳＦＥＴのソース電極がチャネル端の表面ポテンシャルをピニングすることで発生するトランジスタ性能の劣化を防止する。
【解決手段】ショットキーＭＩＳＦＥＴを構成する、半導体基板上に形成したソース金属電極８と半導体基板中のチャネル領域１１との接触で形成されるショットキー障壁高さとφ_Ｂ０、半導体基板のバンドギャップＥ_Ｇと、半導体基板の真性キャリア濃度ｎ_ｉと、デバイスの動作温度Ｔと、ボルツマン係数ｋに対して、少なくともソース電極と接するチャネル端近傍の不純物濃度Ｎ_ＣＨを、Ｎ_ＣＨ≦ｎ_ｉ・ｅｘｐ（（ｑφ_Ｂ０−０．５Ｅ_Ｇ）／ｋＴ）の条件を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板中にダメージを招かずに、浅い不純物拡散領域を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板１の表面に不純物拡散層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記不純物拡散層を形成する工程は、Ｍ１_x Ｍ２_y （ｙ／ｘ≦１．２、ここでｘはＭ１の比率、ｙはＭ２の比率、Ｍ１は半導体基板１に対してアクセプタまたはドナーとなる物質、Ｍ２は前記半導体基板に対してアクセプタまたはドナーにならない物質（半導体基板１を構成する半導体は除く。））を有する物質３を半導体基板１に照射する工程と、半導体基板１を光により加熱する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域に応力を与えるため、ソース・ドレイン・コンタクト領域に形成されるシリサイド膜がシリコン基板側に突出することを防ぎ、接合リーク不良の発生やゲートリーク不良の発生を回避する半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置の提供。
【解決手段】シリコンを含む半導体基板１０１と、前記半導体基板１０１中に形成された素子分離絶縁膜１０２によって区画された半導体領域と、前記半導体領域にゲート絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極と、前記半導体領域に形成された第１の拡散層１０７と、前記ゲート電極及び前記第１の拡散層１０７と前記素子分離絶縁膜１０２の間に形成されたシリコンゲルマニウム領域１１３と、前記ＳｉＧｅ領域１１３上に形成されたシリサイド膜１１４を含み、前記ＳｉＧｅ領域１１３は、前記ゲート電極又は前記素子分離絶縁膜１０２に近接した部分で最も厚いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】イオン注入される不純物濃度以上に不純物濃度を増大させた高濃度不純物層を有し、この高濃度不純物装置とシリサイド電極とにおける接触電気抵抗を低減したソース・ドレインを有するＣＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１０とｐ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ２０とを備え、そのソース・ドレイン１３、１４で、シリサイド電極１３２、１４２の下に、急峻な濃度勾配を有する２層の高濃度不純物層１３３、１３４、１４３、１４４を有するＣＭＯＳ電界効果トランジスタ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＮＭＯＳトランジスタなどのｎチャネル領域を有する電界効果トランジスタの電流駆動能力をより向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置のＮＭＯＳトランジスタ３は、ｎチャネル領域を有する半導体基板１と、ｎ型ソース／ドレイン領域４と、ゲート絶縁膜７と、ゲート電極８とを含んでいる。ｎ型ソース／ドレイン領域４は、半導体基板１上にｎチャネル領域を挟むように形成されている。ゲート絶縁膜７はｎチャネル領域上に形成されている。半導体装置の製造方法は、半導体基板１上にゲート絶縁膜７およびゲート電極８が形成される工程と、半導体基板１上にゲート電極８を覆うように窒化シリコンを含む薄膜２０が形成される工程と、この薄膜２０に紫外線が照射される工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタを微細化した上で駆動力の低下とばらつきを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ソースとドレインのエクステンション領域のドーピングをクラスターイオン注入で行い、注入された不純物の活性化を促進させるアニールを１２００℃以上かつ０．０１秒未満の条件で行う。チャネル領域においては、チャネル領域中央からソースおよびドレインのエクステンション領域の表面側に向けては中央部よりも濃い第１導電型不純物濃度を持つ第１ハロー領域と、第１ハロー領域下部の深い位置には、さらに濃い第１導電型不純物濃度を持つ第２ハロー領域を有する。第１ハロー領域のドーピング工程を、ゲート電極をマスクとして、斜めにイオン注入し、さらに、第２ハロー領域は、ゲート電極をマスクとして、垂直に、かつ第１ハロー領域のイオン注入ドーズ量よりも大きなドーズ量でイオン注入することにより形成する。 （もっと読む）

【課題】素子特性のばらつきが抑制されたＭＯＳ型素子を含む半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板の半導体領域に埋め込まれた素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜によって素子分離され、上部が前記素子分離絶縁膜の表面よりも上に突出し、前記半導体領域の半導体層と、この半導体層にソース・ドレイン領域、ゲート絶縁膜およびゲート電極が形成され、かつ、前記ゲート電極がチャネル幅方向に平行な面の断面において前記素子分離絶縁膜上に形成されてなるＭＯＳ型素子とを具備してなり、前記ゲート電極下の前記半導体層の上面位置が、前記ゲート電極下の前記素子分離絶縁膜の上面位置よりも、２０ｎｍ以上高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に用いられるＬａ−Ｈｆ−Ｏ膜系は、成膜時にシリコン基板との間に低誘電率層が出現し、これ排除する公知な技術による半導体装置及びその製造方法は提案されていなかった。
【解決手段】本発明に従う実施形態は、非晶質状態でＳｉが添加されたＬａ−Ｈｆ−Ｏ膜をゲート絶縁膜として用いる半導体装置及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、圧縮応力の作用が異なる活性領域を、半導体基板上に選択的に作り分ける技術を提供する
【解決手段】半導体基板１の主面上に堆積、開口した第１絶縁膜Ｚ１をエッチングマスクとして、半導体基板１にエッチングを施すことで第１溝部Ｔ１を形成する。その後、第１溝部Ｔ１を第２絶縁膜Ｚ２０を埋め込んだ後、熱吸収膜２を堆積し、第１領域Ｒ１には熱吸収膜２を残し、第２領域Ｒ２では熱吸収膜２を除去するようにパターニングする。次に、熱吸収膜２をランプＬによって熱処理することで、第１領域Ｒ１の第２絶縁膜Ｚ２０を選択的に熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 埋設シリコン・ゲルマニウム合金及びシリコン炭素合金は、特に応力エンジニアリングによってＭＯＳＦＥＴの移動度を向上させるために、多くの有用な用途を提供するが、これらの表面上の合金化シリサイドの形成はデバイス性能を低下させる。
【解決手段】 本発明は、半導体基板上に配置されたそのようなシリコン合金表面上に非合金化シリサイドを設けるための構造体及び方法を提供する。これにより、同じ半導体基板上の埋設ＳｉＧｅによって移動度が高められたＰＦＥＴ及び埋設Ｓｉ：Ｃによって移動度が高められたＮＦＥＴの両方に対して、低抵抗コンタクトの形成が可能になる。さらに、本発明は、トランジスタ・デバイスのチャネル上の応力を増大させるために、ゲート誘電体のレベルを上回る厚いエピタキシャル・シリコン合金、特に厚いエピタキシャルＳｉ：Ｃ合金についての方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】長波長レーザアニールを用い半導体基板内の所定の領域を選択的にアニールする。
【解決手段】レーザ光２０の照射に対し膜厚が薄くなるに従い反射率が小さくなる反射率調整膜１７を、領域Ａｎおよび領域Ａｐを有する半導体基板１上に形成した後、領域Ａｎ上の反射率調整膜１７をエッチングする。次いで、半導体基板１にレーザ光２０を照射し、領域Ａｎのｎ⁻型半導体領域１１、ｎ^＋型半導体領域１４に対して、アニールを行う。同様にして、反射率調整膜１７を半導体基板１上に形成した後、領域Ａｐ上の反射率調整膜１７をエッチングする。次いで、半導体基板１にレーザ光２０を照射し、領域Ａｐのｐ⁻型半導体領域１２、ｐ^＋型半導体領域１５に対して、アニールを行う。 （もっと読む）

【課題】 炭素ドープされたシリコンエピタキシャル層における置換炭素含量を改善する方法の提供。
【解決手段】 シリコンと炭素を含有するエピタキシャル層を形成し処理する方法が開示される。一以上の実施形態によれば、処理により、エピタキシャル層における格子間炭素が置換炭素に変換される。個々の実施形態は、半導体デバイス、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスにおけるエピタキシャル層の形成と処理に関する。個々の実施形態において、エピタキシャル層の処理は、例えば、レーザアニール、ミリ秒アニール、急速熱アニール、スパイクアニール、又はそれらの組合せによって短時間アニールすることを含む。実施形態には、シリコンと炭素を含有するエピタキシャル層の少なくとも一部のアモルファス化が含まれる。 （もっと読む）