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Fターム[5F152EE02]の内容

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Fターム[5F152EE02]に分類される特許

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【課題】 ビーム断面が長尺化しても、シリンドリカルレンズのコスト増を抑制することができるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】複数のレーザ出射面が、相互に直交するX方向及びY方向に配列し、Z方向にレーザビームを出射する。X方向に並ぶレーザ出射面の列に対応して第1のシリンドリカルレンズが配置されている。第1のシリンドリカルレンズは、レーザ出射面から出射したレーザビームを、YZ面内において平行光線束にする。第1のシリンドリカルレンズを透過した複数のレーザビームが、第2のシリンドリカルレンズに入射する。第2のシリンドリカルレンズは、複数のレーザビームを、X方向に長い長尺領域に重ね合わせる。第2のシリンドリカルレンズは、X方向に配列された複数の光学部材を含ム。光学部材の各々は、X方向に平行な母線からなる柱面と、鏡面研磨されたX方向に垂直な端面とを含ム。相互に隣り合う光学部材の端面同士が密着している。 (もっと読む)


【課題】TFTの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するTFTを複数個、少なくとも2つ設け、それぞれのTFTの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でTFTのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 (もっと読む)


【解決手段】 液体を噴射する噴射孔12aを細長く形成して、被加工物2に向けてライン状に液体を噴射し、
一部のレーザ光Lを上記噴射孔から噴射される液体へと透過させ、残部のレーザ光Lを反射させる第1ミラー23と、該第1ミラーに対向する位置に設けられてレーザ光Lを第1ミラーに全反射させる第2ミラー24とを設け、
さらに、上記第1ミラーにおけるレーザ光の透過率を、レーザ光を入射させる側の一端を該第1ミラーにおける他端より低くなるように設定し、
レーザ光を第1ミラーと第2ミラーとの間に入射させるとともに複数回反射させ、上記第1ミラーを透過したレーザ光が上記噴射孔より噴射された液体の内部に導光されてライン状に被加工物に照射されるようにした。
【効果】 広範囲にレーザ光を照射することが可能である。 (もっと読む)


【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ(TFT)を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム(伸張又は非伸張)の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 (もっと読む)


【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第1の多結晶半導体膜103bを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第1の多結晶半導体膜103bに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第2の多結晶半導体膜を基にTFTを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 (もっと読む)


【課題】レーザ発振器からのレーザ光を伝送する光ファイバが大きなコア径を有していても、短手方向の寸法の小さなラインビームに成形することのできるレーザ光学系を提供する。
【解決手段】レーザ発振器2より出力されたレーザ光を伝送する第1の光ファイバ3と、第1の光ファイバ3より出射されたレーザ光をコリメートするコリメートレンズ4と、コリメートレンズ4より出射されたレーザ光を複数のセル5aによって多点スポットのレーザ光に分光する球面アレイレンズ5と、第1の光ファイバ3よりも小さなコア径を有し、球面アレイレンズ5により多点に集光された各レーザ光を入射させ、且つ出射端6bがその軸線を互いに平行にして直線状に一列に配列された複数の第2の光ファイバ6と、複数の第2の光ファイバ6より出射されたレーザ光を照射面12で直線状をなすレーザ光に成形する光学系7〜11とによりファイバ転送レーザ光学系1を構成する。 (もっと読む)


【課題】薄膜フィルム試料を処理するシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。
【解決手段】フィルム試料170の一区画の特定部分の第1部分を融解させるべく照射ビームパルスの第1パルスの第1小ビームで照射して、この第1部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第1部分どうしの間に第1未照射部分が残る。特定部分の第1小ビームによる照射の後に、この特定部分を、この特定部分の第2部分を融解させるべく照射ビームパルスの第2パルスの第2小ビームで再び照射して、この第2部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第2部分どうしの間に第2未照射部分が残る。再凝固して結晶化した第1部分及び前記第2部分は、フィルム試料の領域内で互いに間に入り合う。これに加えて、第1部分が第1画素に対応し、第2部分が第2画素に対応する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光の照射面における照度の変動を防止することができるマイクロレンズアレイを使用したレーザアニール装置及び方法を提供する。
【解決手段】光学部品10は、透明基板の表面上に凸レンズ状の第1のマイクロレンズ13が複数個形成された第1のマイクロレンズアレイ11と、透明基板の表面上及び裏面上に凸レンズ状の夫々第2のマイクロレンズ14及び第3のマイクロレンズ15が夫々複数個形成された第2のマイクロレンズアレイ12とから構成される。第1のマイクロレンズアレイ11と第2のマイクロレンズアレイ12とは、相互に間隔をおいて平行に配置され、第1のマイクロレンズ13と第2及び第3のマイクロレンズアレイ14,15とは、相互に対応して同軸上に配置されていて、テレセントリック光学系を構成している。 (もっと読む)


【課題】被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置を提供する。
【解決手段】レーザシステムはPOPAレーザシステムとして構成され、第1レーザPOユニットから第2レーザPAユニットに第1出力レーザ光パルスビームを方向付けるように動作されるリレー光学系と、第1レーザ出力光パルスビームの拡大として第2レーザ出力光パルスビームを発生するように、パルス又は−3nsec内で第1及び第2レーザユニットにおいてガス放電の発生のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールとを更に有する。発信器レーザユニットにおいて発散制御部を有する。発散制御部は不安定発振制御部を有する。レーザと被加工物との中間にビームポインティング制御機構及びビーム位置制御機構を更に有する。 (もっと読む)


【課題】小型のレーザ照射装置で光干渉がなく、連続した結晶成長を実現することである。
【解決手段】メガヘルツレーザビームを用い、分割したレーザビームを半導体膜に照射して、半導体膜を結晶化する。その際に分割ビームに光路差を設けて光干渉を抑える。光路差はメガヘルツレーザビームのパルス幅に相当する長さ以上、パルス発振間隔に相当する長さ未満に設定され、非常に短い光路差で光干渉を抑えることができる。そのためレーザのエネルギー劣化がなく効率的に且つ連続的にレーザビームを照射することができる。 (もっと読む)


【課題】特別な装置或いは部材を新たに設けることなく、再アニールによる基板のクラック発生を防止するレーザーアニール装置を提供する。
【解決手段】レーザーアニール装置は、基板を載置するステージと、レーザー光を発振するレーザーヘッドと、発振されたレーザー光を基板の半導体層の上面に対して概ね垂直な主光軸に沿って集光させるfθレンズとを備え、ステージには載置された基板の半導体層の平均膜厚に対して所定量だけ異なる膜厚を有して半導体層の端部に所定の幅を有して延在する領域に相当する部分に所定の断面形状を有する凹部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】容易に、結晶化の溶融状態、結晶粒径及び粒径バラツキを所望の状態にしたシリコン膜を形成することができるレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射方法は、マルチモードのレーザ光を発振させる発振ステップ(S102)と、レーザ光を光ファイバーで伝送する伝送ステップ(S104)と、光ファイバーから出射したレーザ光を重畳し細長い形状に整形する整形ステップ(S106)と、整形されたレーザ光を短軸方向に走査しながらアモルファスシリコン膜に照射することで、ポリシリコン膜に結晶化する照射ステップ(S108)とを含み、照射ステップ(S108)では、走査速度V(mm/s)と照射パワー密度P(KW/cm2)との関係をK=P/√Vとし、K>4の条件を満足する走査速度と照射パワー密度とで照射することで、レーザ照射領域に所定の溶融状態での結晶を形成させる。 (もっと読む)


【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】汚染物質がマイクロレンズに付着することを防止することができると共に、マイクロレンズアレイの下面に配置する保護膜の寿命を延長することができるマイクロレンズアレイを使用したレーザ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】マイクロレンズアレイ2を4個の領域に分割し、各領域のマイクロレンズ4a〜4dを交互に使用して、基板を移動させつつ、レーザアニールする。使用するマイクロレンズ4a〜4dの順番を、往復移動方向(第1及び第2の方向)の外側のものから2個づつ耐用回数を超えるまで、順次使用していくようにすることにより、アニール時の蒸散物質を基板移動時の空気流により外部に排出することができ、保護膜に付着する量を可及的に低減する。 (もっと読む)


【課題】レーザビームの照射エネルギーの維持管理が容易で、且つ照射パターンの形状乱れを抑制する。
【解決手段】TFT基板10上に形成されたアモルファスシリコン膜に複数のレーザビームLbを照射してアニール処理するレーザアニール装置であって、TFT基板10上の被アニール領域の形状に相似形の複数の開口を形成したマスク3と、マスク3の複数の開口を夫々通過した複数のレーザビームLbを、一面に形成した複数のマイクロレンズを介してTFT基板10上に集め、アモルファスシリコン膜に一定の光エネルギーを付与するマイクロレンズ基板4と、半円柱状の形状を成し、マイクロレンズ基板4を挟んでその両縁部の位置に軸心を略平行にして対向配置され、頂部がマイクロレンズの頂部の位置よりもTFT基板10側に突出した一対のガイド25と、一対のガイド25間に移動可能に張設されレーザビームLbを透過するフィルム22と、を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたOLEDを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。 (もっと読む)


【課題】反射率の異なる被照射物に対し、レンズの温度ひいては焦点距離を維持するための同じ反射率のミラーを備えると、レンズの焦点距離が温度変化に起因して変動する。
【解決手段】第1のミラー5に反射位置Iを採らせることにより、集光レンズ2を透過するレーザaを、第1,第2のミラー5,6によつて次々に反射させると共に、第1のミラー5によつて再度反射されるレーザaの強度を、被照射物4から反射されるレーザaの強度に合致させて集光レンズ2を透過させ、レーザaを被照射物4に照射するときと同様に集光レンズ2を加熱すると共に、第1,第2のミラー5,6の少なくとも一方に温度制御手段26,27を付属させ、第1,第2のミラー5,6の温度を制御することにより、処理用のレーザ(a)による処理時に被照射物4から反射されるレーザaの強度に合致させて、レーザaを第2のミラー6から反射させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】光学調整に困難を伴うことなく、3以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光1をダイクロイックミラー1を通過させ、レーザ光1とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光2をダイクロイックミラー1で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 (もっと読む)


【課題】レーザ光のエネルギー強度の弱い部分を遮断し、かつ光の回折による縞を発生させることなく、線状レーザ光を照射面に照射することができる、照射面上に均一強度の線状ビームを照射するレーザアニール方法及びレーザアニール装置の提供。
【解決手段】レーザ発振器101から射出されたレーザ光をスリット102を通過させて強度の弱い部分を遮断し、ミラー103で偏向させ、スリットにできた像を凸型シリンドリカルレンズ104によって照射面106に投影して照射面上に均一強度の線状ビームを照射することでレーザアニールを行う。 (もっと読む)


【課題】10μmを超える長さをもつ直線状の結晶粒が整列した、結晶方位がほぼ2軸揃った結晶粒からなる半導体薄膜を形成し、高移動度でかつ特性の均一な半導体デバイスを提供することができる半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】連続発振レーザー結晶化において、回折型レーザビームホモジナイザを用いることで、レーザースポットを直線状・矩形状にし、長い方向にほぼ均一なレーザー強度分布を形成する。このレーザースポットを、レーザースポットの短い方向に適切な間隔をおいて、2段以上並べる。この多段レーザースポットを、シリコン薄膜上に照射し、レーザースポットの短い方向に走査させて、シリコン薄膜を横方向結晶化(ラテラル結晶化)を行うことで、結晶方位がほぼ2軸揃った結晶粒からなる多結晶シリコン薄膜の形成を行うことができる。 (もっと読む)


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