【課題】薄膜フィルム試料を処理するシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。
【解決手段】フィルム試料１７０の一区画の特定部分の第１部分を融解させるべく照射ビームパルスの第１パルスの第１小ビームで照射して、この第１部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第１部分どうしの間に第１未照射部分が残る。特定部分の第１小ビームによる照射の後に、この特定部分を、この特定部分の第２部分を融解させるべく照射ビームパルスの第２パルスの第２小ビームで再び照射して、この第２部分が少なくとも部分的に融解して自ずと再凝固して結晶化し、それぞれの隣接する第２部分どうしの間に第２未照射部分が残る。再凝固して結晶化した第１部分及び前記第２部分は、フィルム試料の領域内で互いに間に入り合う。これに加えて、第１部分が第１画素に対応し、第２部分が第２画素に対応する。 （もっと読む）

【課題】汚染物質がマイクロレンズに付着することを防止することができると共に、マイクロレンズアレイの下面に配置する保護膜の寿命を延長することができるマイクロレンズアレイを使用したレーザ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】マイクロレンズアレイ２を４個の領域に分割し、各領域のマイクロレンズ４ａ〜４ｄを交互に使用して、基板を移動させつつ、レーザアニールする。使用するマイクロレンズ４ａ〜４ｄの順番を、往復移動方向（第１及び第２の方向）の外側のものから２個づつ耐用回数を超えるまで、順次使用していくようにすることにより、アニール時の蒸散物質を基板移動時の空気流により外部に排出することができ、保護膜に付着する量を可及的に低減する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの照射エネルギーの維持管理が容易で、且つ照射パターンの形状乱れを抑制する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上に形成されたアモルファスシリコン膜に複数のレーザビームＬｂを照射してアニール処理するレーザアニール装置であって、ＴＦＴ基板１０上の被アニール領域の形状に相似形の複数の開口を形成したマスク３と、マスク３の複数の開口を夫々通過した複数のレーザビームＬｂを、一面に形成した複数のマイクロレンズを介してＴＦＴ基板１０上に集め、アモルファスシリコン膜に一定の光エネルギーを付与するマイクロレンズ基板４と、半円柱状の形状を成し、マイクロレンズ基板４を挟んでその両縁部の位置に軸心を略平行にして対向配置され、頂部がマイクロレンズの頂部の位置よりもＴＦＴ基板１０側に突出した一対のガイド２５と、一対のガイド２５間に移動可能に張設されレーザビームＬｂを透過するフィルム２２と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】１実施形態に係る設計ライブラリデータベースは、２次元的に区画して各々薄膜トランジスタのチャネル領域のサイズを超える複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタ回路の設計ライブラリデータベースであって、各々のチャネル領域が単一の前記結晶粒規定領域内の固定位置に配置される２個以上の薄膜トランジスタおよび前記２個以上の薄膜トランジスタを相互接続する配線を含む様々な論理ゲート回路をそれぞれ表す複数のスタンダードセル、並びに前記様々な論理ゲート回路の様々な組み合わせをそれぞれ表す複数のマクロセルの少なくとも一方のセルのライブラリ、および前記複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化アレイパターンのスタンダードセルのライブラリを含みハードディスクに登録される。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】基板とアモルファスシリコン薄膜との間に部分的に金属層が配置されていても、結晶粒径が均一でクラックのないポリシリコン薄膜を得ることができるシリコン薄膜の処理方法およびこの方法に用いられるフラッシュランプ照射装置を提供する。
【解決手段】点灯時のパルス幅が５０〜２００μｓｅｃのフラッシュランプからの光を、基板上に部分的に配置された金属層を介して形成された厚みが３０〜１００ｎｍのアモルファスシリコン薄膜に照射して、ポリシリコン薄膜を形成するシリコン薄膜の処理方法において、長波長側の光をカットする波長カットフィルタを介して、フラッシュランプからの光をアモルファスシリコン薄膜に照射する工程を有し、波長カットフィルタによってカットされる光の波長領域の短波長側端の波長が６５０ｎｍ以下、アモルファスシリコン薄膜に照射される光の照射エネルギーが２．００〜３．１０Ｊ／ｃｍ² である。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の表面に優れた光閉じ込め効果を有する凹凸形状を形成して光電変換素子の感度を向上させる。
【解決手段】多結晶半導体膜１０は、基板１上に形成されており、ラテラル結晶を含む。多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】必要な部分のみを照射することで設備の小型化かつ安価を実現でき、生産性の高い結晶化処理が可能な半導体の結晶化照射方法および結晶化照射装置を提供する。
【解決手段】レーザ発振器１から出射したレーザビームＬを回折光学素子３により複数に分岐し、テレセントリックｆθレンズ４と、分岐されたレーザビームＬのビーム列に対して直交する方向に移動する移載ステージ６とを使用して、基板５上に形成されるトランジスタ位置のピッチごとにレーザビームＬを照射する。これにより、照射痕が少なく、プロセスパラメータの変更が少なく、かつ基板５への熱負荷が少ない状態で、複数のトランジスタ位置を同時にかつ均一に結晶化することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板の入射面上で最適化された光強度と分布をもつレーザ光を設計し、他の好ましくない組織領域の発生を抑制しつつ所望の結晶化組織を形成することができる結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射して結晶化するに際し、非単結晶半導体薄膜への照射光は、単調増加および単調減少を周期的に繰り返す光強度分布を有し、非単結晶半導体薄膜を溶融させる光強度である。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、ＴＦＴ活性層と、キャパシタの第１下部電極及び第１下部電極上に形成されたキャパシタの第１上部電極と、第１絶縁層と、チャンネル領域に対応する領域に順次に形成されたゲート下部電極及びゲート上部電極と、キャパシタの第１上部電極に対応する領域に順次に形成されたキャパシタの第２下部電極及び上部電極と、画素下部電極及び画素下部電極を露出させるように画素下部電極エッジの上部に配された画素上部電極と、活性層のソース及びドレイン領域を露出させるコンタクトホール、及び画素上部電極エッジの一部を露出させるビアホールによって貫通される第２絶縁層と、第２絶縁層上に形成され、コンタクトホール及びビアホールを通じて、ソース、ドレイン領域及び画素上部電極と接続するソース及びドレイン電極と、を備える平板表示装置。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体をレーザアニール法によって形成する方法に於いて、多結晶半導体膜の表面ラフネスを低減する。
【解決手段】レーザアニール装置の光学系に非晶質シリコン半導体薄膜を成膜した基板１の走査方向における照射光強度分布を、高エネルギの光強度側の微結晶しきい値以上のエネルギ領域と表層のみ融合するエネルギ領域を有する分布として制御する透過率分布フィルタ６を設置し、通常のラインビームを利用するエキシマレーザアニール法または位相シフトストライプマスク法またはＳＬＳ法に適用する事によって、それぞれの方法で得られる多結晶の表面突起の高さを低減する。 （もっと読む）

【課題】２ショット法においても位相シフタの位置合せのためのアライメント作業効率が高く、処理のスループットを向上させることができ、また、材質や厚みの異なる位相シフタを使用する処理においても後工程に使用する位置合せマークの寸法と形状の変化のない結晶化装置用位相シフタ、結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】結晶化装置用位相シフタ５は光学部材５１，６１の固有の光学特性に応じて光学部材の各々を基準位置に対してそれぞれ位置合せするために、光学部材の各々に１対１に対応して設けられた第１のアライメントマーク8と、結晶化領域の各々に１対１に対応するようにレーザ光の照射により被処理基板上に転写され、該転写マークを用いて結晶化後の被処理基板を次工程以降の装置に対して位置合せするために、ホルダ５０Ａに設けられた第２のアライメントマーク51x,51yとを有する。 （もっと読む）

【課題】大粒径の結晶粒をち密に形成することができ、かつ低温処理の要求を満たすことができる結晶化方法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上にキャップ膜を設け、単調増加と単調減少を繰り返す断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光を非単結晶半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】温度変化に伴う基板の位置変位に対して、基板上の任意の位置における位置変位を補正する。
【解決手段】基板ステージの各位置における温度変化による膨張や伸縮を位置変位として関数化し、基板上の所定位置での位置変位から、補正対象の位置変位に関わるパラメータ値を求め、このパラメータ値を関数に適用することによって基板上の任意の位置の位置変位を求める。基板ステージの各位置の温度変化による位置変位を、経過時間を変数とする関数で表し、この位置変位の関数をデータテーブルとして備えておき、基板ステージ上に載置される基板の任意の位置における位置変位を求める工程と、求めた位置変位に対応する基板の温度変化の経過時間を関数を用いて求める工程と、経過時間算出工程で求めた経過時間を基板ステージの各位置で定められた関数に代入して補正データを算出する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】バッファー膜、光熱変換膜を形成および除去する工程を経ることなく、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン膜の所望の領域に直接、連続発振レーザ光を照射して微結晶シリコン膜に変換することにより、特性バラツキが小さく、特性の方向依存性のないトランジスタで構成された平面表示装置を製造する。
【解決手段】透明基板３１上に成膜した非晶質シリコン薄膜３３の所望の領域に、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間（任意の点の通過時間）が０．５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながらレーザ光３６を照射し、微結晶シリコン薄膜３４に変換する。このとき、照射するレーザ光の波長として、非晶質シリコンに対する浸透深さ（吸収係数の逆数）が非晶質シリコン膜の膜厚より大きく、かつ非晶質シリコンに対する吸収係数が結晶シリコンに対する吸収係数より大きい波長を選択する。 （もっと読む）

【課題】 高移動度及び閾値電圧のばらつきの少ない大粒径多結晶半導体を用いた薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁基板上に成膜された多結晶半導体薄膜に形成された薄膜半導体素子を具備する薄膜半導体装置であって、前記薄膜半導体素子は、ソース領域、ドレイン領域、及びこれらの間に介在するチャネル領域を具備し、前記チャネル領域に存在する多結晶半導体の結晶粒の主要な面方位は、半導体結晶の逆極点図において、｛１００｝、｛３１０｝、及び｛３１１｝により囲まれた領域内の面方位であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エネルギービームを用いた半導体膜の熱処理によって半導体素子を形成するにあたり、スループットを向上する。
【解決手段】本発明は、処理対象となる半導体膜１１を備えた基板１０を載置するステージ２０と、ステージ２０に載置された基板１０の半導体膜１１上に、複数のエネルギービームの照射点が一定間隔で並ぶようエネルギービームＢを供給する供給部３０と、供給部３０によって供給される複数のエネルギービームＢの照射点の並びと平行とならない方向に複数のエネルギービームＢと基板１０とを相対移動させ、複数のエネルギービームＢの照射点を半導体膜１１上で並列に走査し、半導体膜１１の熱処理を制御する制御部４０とを有する半導体処理装置である。 （もっと読む）

【課題】結像レンズがレーザー光を吸収して熱膨張することによる焦点位置の位置ずれを補正する。
【解決手段】基板の高さ変化量を換算して求めた結像レンズの位置ずれ量と、レーザー光の照射積算時間に基づいて求めた結像レンズの焦点の位置ずれ量とを加算して、結像レンズの熱膨張によるビーム集光位置の変動を補正するための補正移動量を算出し、この補正移動量を用いて結像レンズ移動部を駆動して結像レンズを移動することによって焦点位置の位置ずれを補正する。 （もっと読む）