【課題】チャネル保護層に対するソース、ドレイン電極及び不純物層のアライメントずれが生じた場合であっても、オン電流特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、製品の歩留まりを向上させることができるとともに、良好な画質を有する発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１４上に設けられるチャネル保護層１５と、ソース、ドレイン電極１８及び不純物半導体層１７との間に、カーボン絶縁膜１６が設けられている。半導体層１４は、例えば非晶質シリコンをレーザーアニール処理することにより結晶化された微結晶シリコンにより形成されている。カーボン絶縁膜１６は、このレーザーアニール処理において適用される光熱変換層であり、当該光熱変換層の一部を残したものである。 （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して薄膜トランジスタに用いる微結晶薄膜を形成する工程において、結晶性の周期的な劣化を回避し、安定して均一性能の微結晶膜を形成することができる平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】連続発振レーザ光を非晶質シリコン膜表面に照射し、一定の速度でレーザを基板に対して相対的に走査しながら結晶化する際に、非晶質シリコン膜の一領域あたりへのレーザ照射時間が０．１ｍｓ以上となるように走査し、結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】高速引上げ工程と、ウェーハ作製工程と、シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置Ａに対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射するレーザー照射工程（図２(ｃ)）とを具え前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置に対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射する工程を具え、前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）と半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】溝部が設けられた半導体基板に、イオンを照射して半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して半導体基板とベース基板を貼り合わせると共に、半導体基板の溝部とベース基板とにより囲まれた空間を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域において半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温での固相エピタキシャル成長法を用いて、単結晶半導体層の膜厚の厚いＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。その際に、予めシード層となる単結晶半導体層の結晶欠陥を修復しなくとも、良好にエピタキシャル成長が進む方法を提供することを課題の一とする。また、シード層の結晶欠陥を修復する工程を別に設けなくとも、固相エピタキシャル成長によりシード層である単結晶半導体層の結晶性が回復したＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁層を介して基板に設けられた第１単結晶半導体層上に、非晶質半導体層を形成する。非晶質半導体層は、成膜温度１００℃以上２７５℃以下、シラン系ガスを希釈しないで用いるＣＶＤ法により形成する。熱処理を行って、非晶質半導体層を固相エピタキシャル成長させて、単結晶半導体層の膜厚の厚いＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させた液晶表示装置及びその作製方法の提供する。
【解決手段】走査線とデータ線が絶縁層を介して交差する領域に、非晶質半導体又は有機半導体をチャネル部とする第１の薄膜トランジスタを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板の間の液晶層と、結晶質半導体をチャネル部とする第２の薄膜トランジスタを有する第３の基板を有し、結晶質半導体は第２の薄膜トランジスタにおける電子又は正孔が流れる方向に沿って結晶粒界が延び、第１の基板と第２の基板は第１の基板が露出するように貼り合わされ、第３の基板は第１の基板上の露出した領域に貼り合わされ、第３の基板上には第２の薄膜トランジスタを形成する第１の領域と入出力端子を形成する第２の領域が設けられ、第３の基板の短辺は１乃至６ｍｍ、第１の領域の短辺は０．５乃至１ｍｍである。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板の１つの領域において、少なくとも１つのプロセス性能パラメータが決定される１つのプロセスステップまたは一連のプロセスステップに、半導体基板を暴露するステップと、レーザ照射パラメータを有するレーザをその領域に照射するステップとを含む半導体デバイスを製造する方法であって、照射パラメータは少なくとも１つのプロセス性能パラメータに基づいて決定されることを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにおいて重複走査領域が発生する場合であっても、デバイス特性にばらつきの少ないＴＦＴパネルを提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタが列状に配列され、かつ互いに平行な複数の制御領域が連続して並んだ基板と、前記基板上に配置された平坦化膜とを有するＴＦＴパネルであって、前記制御領域には、最大結晶粒径が大きい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＸが列状に配列された制御領域Ｘと、最大結晶粒径が小さい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＹが列状に配列された制御領域Ｙと、が含まれ、前記制御領域Ｘ同士の中心間距離は、前記制御領域の短軸の３ｎ［ｎは１以上の整数］倍である、カラーディスプレイ用ＴＦＴパネル。 （もっと読む）

【課題】イオン注入を行わずに低コストで製造できる構造形態を備えた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１０上（又は第１下地膜１１乃至第２下地膜１２上）に設けられたポリシリコン半導体膜１３と、ポリシリコン半導体膜１３上に離間して設けられたソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄと、ポリシリコン半導体膜１３上にゲート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極１５ｇとを少なくとも有する。ポリシリコン半導体膜１３は、面内方向にソース電極接続領域１３ｓ、チャネル領域１３ｃ及びドレイン電極接続領域１３ｄを有し、チャネル領域１３ｃにはドーパントが含まれておらず、ソース電極接続領域１３ｓ及びドレイン電極接続領域１３ｄは基板１０側からソース電極側及びドレイン電極側に向かってドーパント一定濃度層２１とドーパント減少傾斜層２２’とを有する。 （もっと読む）

基板上に結晶半導体層を形成するための方法および装置が提供される。半導体層は気相堆積によって形成される。パルスレーザ溶融／再結晶化プロセスが半導体層を結晶層に変換するために実行される。レーザまたは他の電磁放射のパルスがパルス列に形成され、処置ゾーンにわたって均一に分配され、連続する隣接した処置ゾーンがパルス列にさらされて、堆積された材料を結晶材料に漸進的に変換する。
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【課題】製造工程を簡略化しつつソース電極及びドレイン電極の導電性を向上させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板１０１上にゲート電極１０３を形成する工程と、ゲート電極１０３上にゲート絶縁層１０４を形成する工程と、ゲート絶縁層１０４上にアモルファスシリコン層１０５を形成する工程と、アモルファスシリコン層１０５上にアルミニウム層１１１を形成し、アルミニウム層１１１上にモリブデンタングステン層１１２を形成し、アルミニウム層１１１及びモリブデンタングステン層１１２を少なくとも含む積層体から構成されるソース電極１０９及びドレイン電極１１０を形成する工程と、ソース電極１０９及びドレイン電極１１０をマスクとしアモルファスシリコン層１０５にレーザを照射することでアモルファスシリコン層１０５の一部を結晶化させチャネル領域を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶の不均一性を緩和し、薄膜トランジスタの動作特性を向上させることが可能な半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に非晶質シリコン膜１５Ａおよび光熱変換層１６をこの順に形成する。光熱変換層１６を介して非晶質シリコン膜１５Ａに第１ビームＬ１を照射することにより非晶質シリコン膜１５Ａに高温過熱領域１１を形成する。同時に、第２ビームＬ２を照射することにより高温過熱領域１１の走査方向の前後に低温過熱領域１２（昇温領域１２Ａおよび徐冷領域１２Ｂ）を形成する。非晶質シリコン１５Ａでは、第１レーザＬ１の照射により結晶成長が始まり、第２レーザＬ２の照射により昇温、徐冷されるため、非晶質シリコン１５Ａの結晶化が緩やかに進行し、結晶粒径の不均一性が緩和される。 （もっと読む）

【課題】強度分布の均一な矩形状の像を、結像光学系を用いて伝達するとき、収差が起こることで、強度分布の均一性に悪影響がでる。シリンドリカルレンズに代表される結像光学系による収差を低減し、照射面において強度分布の均一なビームスポットの面積を拡大し、照射面に均一なアニールを効率的に行うことができるレーザ照射装置並びに該レーザ照射装置を用いた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】軸外しシリンドリカルレンズアレイ１０１等の軸外しレンズアレイを用いることで、レーザビームの広がりを抑え、結像光学系のサイズを小型化する。小型化によってコストの削減、メンテナンス作業の煩雑さを低減し、さらには収差を低減させることができる。収差が低減されることによって、ビームスポットの強度分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高性能なフレキシブル半導体装置を提供すること。
【解決手段】金属箔から成る支持層、支持層の上に形成された半導体構造部、および半導体構造部の上に形成された樹脂フィルムを有して成るフレキシブル半導体装置。かかるフレキシブル半導体装置では、樹脂フィルムには開口部が形成されており、その開口部に半導体構造部の表面と接触する導電部材が形成されており、半導体構造部が半導体層および半導体層の表面に形成された絶縁層を有して成る。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができ、また半導体膜の移動度を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体膜を成膜する成膜装置と、レーザー装置とを備えたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であり、レーザー装置は、被処理物に対するレーザー光の照射位置を制御する第１の手段と、レーザー光を発振する第２の手段（レーザー発振装置１２１３）と、前記レーザー光を加工または集光する第３の手段（光学系１２１４）と、前記第２の手段の発振を制御し、なおかつ第３の手段によって加工されたレーザー光のビームスポットがマスクの形状のデータ（パターン情報）に従って定められる位置を覆うように前記第１の手段を制御する第４の手段とを有する。 （もっと読む）