【課題】複数の異なる周波数を出力する半導体基板を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体またはｎ型半導体を含む第１の不純物半導体と、第１の不純物半導体に接する複数の空乏領域を有する空乏化半導体とを備え、複数の空乏領域のそれぞれは、第１の不純物半導体との第１界面と、第１界面と対向する表面とを有し、複数の空乏領域のそれぞれは、第１界面に垂直な方向における第１界面と表面との平均距離および組成の少なくとも一つが異なる半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりが大幅に改善された半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体ウェハの製造方法は、基板３０１上の一部にストライプ状の保護膜３０２を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程後、前記基板３０１上における前記保護膜３０２形成部位以外の部位に半導体結晶を成長させて半導体層を形成する半導体層形成工程とを含み、前記基板３０１として、前記保護膜３０２の長さ方向と平行な方向のオフ角θｐの絶対値｜θｐ｜が、前記保護膜３０２の長さ方向と直交する方向のオフ角θｏの絶対値｜θｏ｜よりも小さく、且つ、｜θｐ｜≦０．２°を満たすものを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性が向上し、発光構造物のクラック及びひび割れなどの損傷を防止し、発光効率を向上させる発光素子の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔する。 （もっと読む）

【課題】電気的に隔離された発光ダイオードを提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードは、半導体基板５１と、基板上にあるｎ型ＩＩＩ群窒化物のエピタキシャル層５２と、ｎ型エピタキシャル層上にあり当該ｎ型層と共にｐ−ｎ接合部を形成する、ＩＩＩ群窒化物のｐ型エピタキシャル層５３と、ｎ型エピタキシャル層上にありｐ型エピタキシャル層に隣接し、ｐ−ｎ接合部５８の一部を電気的に隔離する抵抗性窒化ガリウム領域５４とを含む。ｐ型エピタキシャル層上に金属接点層５５を形成する。方法の実施形態では、ｐ型エピタキシャル領域上に打ち込みマスクを形成し、ｐ型エピタキシャル領域の部分にイオンを打ち込んでｐ型エピタキシャル領域の部分を半絶縁性にすることによって、抵抗性窒化ガリウム境界を形成する。フォトレジスト・マスク又は十分に厚い金属層を、打ち込みマスクとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】加工しろが小さく一様な加工が容易なＧａＮ基板およびその製造方法、かかるＧａＮ基板を用いたＧａＮ層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ基板２０は、第１領域２０ｊと、第１領域２０ｊに比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域２０ｉとを含み、第２領域２０ｉは、一方の主面２０ｍから所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり、深さＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差が、深さＤ＋ΔＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差の３倍であり、第２領域２０ｉのＧａ／Ｎ組成比が、第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上である。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。窒化ガリウムエピタキシャル層１５は、第１の面１３ａ上に設けられている。オーミック電極１７は、第２の面１３ｂ上に設けられている。ショットキ電極１９は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層１５の厚さＤ１は５マイクロメートル以上１０００マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は、１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、優れたエピタキシャル層の特性やデバイス特性を得ることができるように窒化物系化合物半導体の状態が制御された複合基板を提供することにある。
【解決手段】本発明の複合基板は、窒化物系化合物半導体からなる第１の基板と、該第１の基板を構成する窒化物系化合物半導体以外の物質からなる第２の基板とを貼り合わせてなるエピタキシャル層成長用の複合基板であって、該窒化物系化合物半導体は、六方晶の結晶構造を有し、該第１の基板に対して＜０００１＞方向からレーザ光を入射させることにより後方散乱配置Ｚ（Ｘ，Ｘ）−Ｚ＋Ｚ（Ｘ，Ｙ）−Ｚにて得られるバックグラウンドを除いたラマン散乱スペクトルのＥ₂^Hモードのピーク強度をＩ１とし、３７０ｃｍ^-1±１５ｃｍ^-1または６７０ｃｍ^-1±１５ｃｍ^-1のピーク強度をＩ２とする場合、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
０≦Ｉ２／Ｉ１≦０．３５ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いてＧａＮ系の良質な半導体結晶層を形成する。
【解決手段】第１領域と第２領域とを表面に有する基板と、前記第１領域の上方に形成された第１半導体と、を含み、前記基板は、表面がＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）であり、前記第１領域は、前記第２領域により囲まれ、前記第１半導体は、窒素原子を含有する３−５族化合物半導体であり、単結晶であり、且つ前記Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘと格子整合または擬格子整合し、前記第２領域は、前記第１領域とは性状が異なる半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】歪みの程度がＧａＮの割れの閾値を上回るならば、ＧａＮが割れ、ＧａＮの半導体デバイスへの使用を受容できないものにする可能性がある。
【解決手段】この半導体構造は、第１の面内無歪み格子定数を有する基板と、基板上に設けられ、第１の面内無歪み格子定数とは異なる第２の面内無歪み格子定数を有する、第１の半導体材料を含む第１の層と、基板と第１の層の間に配置され、第２の半導体材料を含む可変不整合層とを含む半導体構造、およびこの半導体構造の製作方法が提供される。可変不整合層は、第１の層を基板上に直接成長させる場合に生じる応力を下回る程度にまで第１の層の応力が低減されるように構成される。可変不整合層は、第１の層の無歪み格子定数と実質的に整合する面内歪み格子定数を有する層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 （もっと読む）

【課題】反りが小さいイオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ならびにかかる基板を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板２は、両主面２０ａ，２０ｂ側に両主面２０ａ，２０ｂからそれぞれ所定の深さＤａ，Ｄｂで形成されているイオン注入領域２０ｉａ，２０ｉｂを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の表面上に積層される半導体素子層に発生する所定の方向の歪みを低減することが可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】この半導体素子１は、第１方向（Ａ方向）および第２方向（Ｂ方向）に平行な主表面を有するとともに第１方向に沿って延びる段差部２ａが形成された窒化物系半導体からなる基板２と、基板２上に形成され、窒化物系半導体からなる下地層３、第１半導体層４および第２半導体層５とを備える。そして、下地層３および第２半導体層５の無歪みの状態における第２方向の格子定数は、それぞれ、基板２の無歪みの状態における第２方向の格子定数よりも大きく、下地層３および第２半導体層５の基板２の主表面上に形成された状態における第２方向の格子定数は、それぞれ、基板２の第２方向の格子定数よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層の欠落部分の少ない高品質のＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体接合基板の製造方法は、主表面２０ｍに現れる表面異状領域２２の大きさおよび密度が所定の範囲内のＩＩＩ族窒化物半導体基板２０を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍ側にイオンを注入する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍに異種基板１０を接合する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０をイオンが注入された領域２０ｉで分離して異種基板１０に接合したＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａを形成することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板１を得る工程と、を備える。 （もっと読む）

ガリウム及び窒素含有材料の高速成長のための方法が記載される。本方法は、バルクガリウム及び窒素含有基板を提供することを含んでいる。第１の厚さの第１のエピタキシャル材料が、好ましくは擬似形態的プロセスによって、基板上に形成される。本方法は、第１の層上に第２のエピタキシャル層をも形成し、これによってスタック構造がもたらされる。スタック構造は、約２ミクロン未満の全体厚さで構成される。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ₁₁が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ₁₁が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）