【課題】結晶品質の良好なIII族窒化物結晶の生成に好適なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】オフ角が与えられてなるサファイア基材の上にIII族窒化物からなる上部層２を形成したうえで、１５００℃以上で、好ましくは１６５０℃以上で加熱処理を施すことにより、上部層２の結晶品質を向上させるとともに該上部層２の表面に数原子層高さよりも大きな繰り返し段差を与えたエピタキシャル基板１０を、III族窒化物結晶層３の成長用下地基板として用いる。III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層２からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。得られるIII族窒化物結晶層３は良好な表面平坦性を有し、かつ、表面近傍の大部分は転移密度が１×１０⁷／ｃｍ²程度の低転位領域ＲＥ２となる。すなわち、エピタキシャル基板１０は結晶品質のよいIII族窒化物結晶形成に好適であるといえる。 （もっと読む）

【課題】 優れた発光効率、逆耐電圧特性および静電耐圧特性等を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に適したＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤を提供すること。
【解決手段】 表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下の基板と該基板上に直接積層されたＩＩＩ族窒化物半導体層とからなり、該ＩＩＩ族窒化物半導体層は互いに接する複数の層からなり、該複数の層の少なくとも一層は転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の層であるＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤。 （もっと読む）

【課題】 高温のアニール処理を長時間に亘って行うことにより発生する窒素空孔の形成という問題を生じさせることなく、アクセプタの活性化を行い、キャリア濃度の高い（低抵抗の）ｐ形の窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の製法を提供する。
【解決手段】 基板１上に窒化物半導体からなる半導体積層部６を形成し、その半導体積層部６の表面側から、λ＝ｈ・ｃ／Ｅ以下（ＥはＭｇとＨとの結合を切り離し得るエネルギー）の波長λのレーザ光を照射する。その後に、３００〜４００℃の熱処理を行う。そして、通常の窒化物半導体ＬＥＤの製造工程と同様に透光性導電層７を設け、半導体積層部６の一部をエッチングにより除去して露出するｎ形層３にｎ側電極９を、透光性導電層７の表面にｐ側電極８を形成する。 （もっと読む）

異種基板から厚くエピタキシャル成長した窒化物薄膜をｉｎ ｓｉｔｕ分離することによる自立（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板を作製する方法が開示される。（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄膜の成長に適した基板が選択され、異種イオンが該基板に注入されて比較的急峻な濃度分布を形成する。（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄膜が該基板上に成膜され、該成膜された薄膜を降温して、熱膨張不整に関係した歪を導入すると、該薄膜は該基板から自然に分離する。
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（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ薄層を製作するためのエッチング技術であり、適当なテンプレートまたは基板が選択されて、所望の面積上に異種イオンが注入されてイオン注入された材料を作る。次に、イオン注入されたテンプレートまたは基板の上にデバイス構造が再成長される。テンプレートの成長表面上面がキャリアウェーハにボンディングされて、ボンディングされたテンプレート／キャリアウェーハからなる構造を形成する。ほかの残留する材料と一緒に基板が除去されて、イオン注入された材料が露出される。ボンディングされたテンプレート／キャリアウェーハからなる構造上のイオン注入された材料は、次に、イオン注入された材料を除去するのに十分な時間、適当なエッチャントに晒される。
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【課題】
ウエーハ接着及び／又はウエーハ研磨なしに基板上に高い品質の歪層を製造する簡単な方法を提供すること。
【解決手段】
この発明は、歪をもたせる層に隣接した層に欠陥領域を形成する工程と、歪をもたせる層に少なくとも隣接した層を緩和させる工程とにより、基板上に歪層を製造する方法に関する。その歪層は別のエピタキシャル層に配置されることができる。そのように形成された層構造は種々の構成要素に好ましく適している。
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【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶半導体層の結晶品質を向上させつつ、単結晶半導体層を絶縁体上に安価に形成する。
【解決手段】 選択エピタキシャル成長を行うことにより、非晶質半導体層３と接触するように開口部５内に埋め込まれた単結晶半導体層６を形成した後、エッチングガスまたはエッチング液をシリコン酸化膜２、４に接触させることにより、シリコン酸化膜２、４をエッチング除去して、単結晶半導体基板１と非晶質半導体層３との間に空隙７を形成し、単結晶半導体層６を種として非晶質半導体層３の熱処理を行うことにより、非晶質半導体層３が単結晶化された単結晶化半導体層８を形成してから、単結晶半導体基板１と単結晶半導体層８との間の空隙７に埋め込み絶縁層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】高圧力下において高速成長を可能にした非極性ａ面窒化ガリウム単結晶の製造方
法を提供すること。
【解決手段】上面がｒ面である基板を設ける工程と、前記基板上に低温窒化物核成長層を
形成する工程と、前記窒化物核成長層上に非極性ａ面窒化ガリウムを成長させる工程と、
を含み、前記非極性ａ面窒化ガリウムを成長させる工程は約１９０〜３９０μｍｏｌ／ｍ
ｉｎのガリウムソース供給量と、約７７０〜２３１０のＶ／ＩＩＩ比を有するように窒素
ソース供給量とが設定された条件において行われることを特徴とする非極性ａ面窒化ガリ
ウム単結晶の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】分離後の成長用基板を再利用でき、汎用性に富み、良好なへき開性、放熱性を有する窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、成長用基板１上に、少なくとも１層以上の窒化物系半導体素子層５を形成する工程と、支持基板１３の一方の主面上に、支持基板１３より熱膨張係数の大きい材料からなる調整層１４を形成する工程と、窒化物系半導体素子層５上に、支持基板１３の他方の主面を、接合する工程と、接合された窒化物系半導体素子層５及び支持基板１３から成長用基板１を分離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 プラズマや活性イオンなどの衝突による結晶へのダメージの導入がなく、且つ多くの時間を必要としない方法で、窒化物系半導体層に分離溝を形成することにより、素子分離を容易にする窒化物系半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系半導体素子の作製方法は、主基板２０の主面に所定の処理を施す事により、前記主面に、第１の領域２０ａと、前記第１の領域２０ａよりも結晶成長が起こりにくい第２の領域２０ｂとを作製する領域作製工程と、前記主面に結晶成長により窒化物系半導体層１を形成する結晶成長工程と、前記第２の領域２０ｂで、前記主基板２０を前記主面に対して垂直方向に、前記第１の領域２０ａ毎に分離する分離工程とを含むことを特徴とする窒化物系半導体素子の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 比較的単純な積層構造で、十分な引張り歪みを有し、かつ結晶欠陥の少ない歪みＳｉ層が形成された半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】(a) シリコンウェーハ１１表面にＳｉＧｅ混晶層１２及び第１Ｓｉ層１３をこの順に形成する工程、(b) 第１Ｓｉ層の表層又は支持ウェーハ１４の表層の一方又はその双方にＳｉＯ₂層１６を形成する工程、(c) シリコンウェーハと支持ウェーハをＳｉＯ₂層を介して重ね合せて積層体１７を形成する工程、(d) 積層体のシリコンウェーハを薄膜化して第２Ｓｉ層１８とする工程、(e) 所定の領域にイオン濃度のピークが位置するように水素又は希ガスのイオンを注入する工程、(f) 積層体を第１熱処理する工程、(g) 第１熱処理に続いて第２熱処理してＳｉＧｅ混晶層を緩和させるとともに第１Ｓｉ層と第２Ｓｉ層の一部にＧｅを拡散する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のａ軸とｃ軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体が格子整合しない基板１上に窒化物半導体層３が成長される場合に、基板１上に、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）からなりａ軸およびc軸が整列した単結晶の緩衝層２が直接設けられ、その単結晶の緩衝層２上に窒化物半導体層３がエピタキシャル成長されている。この単結晶の緩衝層は、ＰＬＤ法を用いることにより形成することができる。 （もっと読む）

半導体材料から選ばれた材料を含む有用層を除去した後にドナーウェハ（１０）をリサイクル方法であって、ドナーウェハ（１０）は基板（１）と多層構造（Ｉ）とを順次に備え、除去前の多層構造（Ｉ）は除去すべき有用層を備え、そのプロセスは除去が行われた側での物質除去を含み、物質除去の後に多層構造（Ｉ’）の少なくとも部分が残り、このバッファ構造（Ｉ’）の少なくとも部分は除去することができる別の有用層を１つ以上含み、有用層を再形成する補足的段階をともなわないことを特徴とする。本書はまた：本発明による少なくとも１つのリサイクル可能ドナーウェハ（１０）から薄層を除去する方法、本発明によるリサイクル可能ドナーウェハ（１０）に関する。
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本発明は、最終キャリア上に少なくとも１層の活性窒化物層と、その間に金属中間層とを有するオプトエレクトロニクス用基板の作製方法であって、１層の半導体窒化物層を、補助キャリア上に配置した補助基板を提供するステップと、補助基板を窒化物層の側で金属化するステップと、金属化されたキャリア基板を最終キャリアと接合するステップと、接合ステップ後に補助キャリアを除去するステップとを含む方法に関する。１層または複数層の活性窒化物層の結晶品質を向上させることができる、こうしたタイプの方法を提供することが本発明の目的である。この目的は、補助基板を提供するステップが、半導体窒化物基板の厚板から一部分を切り離すステップと、前記一部分を補助キャリア上に移転して、補助キャリア上に半導体窒化物層を形成するステップとを含む、上述のタイプの方法によって解決される。
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除去構造を含んでなるウェハーの、その薄層を除去した後の、機械的手段による循環使用。半導体材料から選択された材料を含んでなる有用な層を除去した後、ドナーウェハー（１０）を循環使用する方法。ドナーウェハー（１０）は、順に、基材（１）および除去構造（Ｉ）を含んでなり、該除去構造（Ｉ）は、除去前は、除去すべき有用な層を含んでなり、本方法は、除去が行われる側にある物質を除去することを含んでなり、物質の除去が、物質を除去した後、除去構造の少なくとも一部（Ｉ’）が残り、この除去構造の少なくとも一部（Ｉ’）が、少なくとも一個の他の有用な層（該層は、有用な層を再形成する補充工程無しに、循環使用の後に除去できる）を包含するように、機械的手段を使用することを含んでなることを特徴とする。本願は、同様に、本発明により循環使用できるドナーウェハー（１０）から薄層を除去する方法、および本発明により循環使用できるドナーウェハー（１０）にも関する。
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【課題】本発明は、ひずみへテロ接合構造体の製造を提供する。
【解決手段】多層膜の成長は、成長された層のひずみの厳密な制御及び成長された膜の完全な剥離を可能にする方法で行なわれて選択された基板への剥離された多層構造体の取付けを可能にする。シリコン−ゲルマニウムのような材料の層が、テンプレート層がその上に形成される犠牲層を有する基板の、シリコンのようなテンプレート層の上に成長される。成長層は、テンプレート層と格子不一致を有して堆積されるときに成長層がひずまされる。シリコンのような、結晶材料の最上層は、成長層及びテンプレート層を有する多層構造体を形成するために合金層の上に成長される。犠牲層は、多層構造体を犠牲層から剥離するために優先的にエッチングされて、成長層を緩和し且つ成長層と連結される結晶層をひずませる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、構造のｎＦＥＴ領域に引張り応力をかけ、構造のｐＦＥＴ領域に圧縮応力をかける二重応力Ｓｉ構造を提供する。
【解決手段】大まかに言うと、二重応力Ｓｉ構造は、基板と、基板の上に圧縮性誘電体層と圧縮性誘電体層の上に第１半導体層を有する、基板の上の第１積層スタックで、圧縮性誘電体層が第１半導体層に引張り応力を伝達する、前記第１積層スタックと、基板の上に引張り性誘電体層と引張り性誘電体層の上に第２半導体層を有する、基板の上の第２積層スタックで、引張り性誘電体層が第２半導体層に圧縮応力を伝達する、前記第２積層スタックとを有する。引張り性誘電体層と圧縮性誘電体層はＳｉ_３Ｎ_４などの窒化物を有することが好ましい。 （もっと読む）

極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。
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【課題】逆方向耐圧を向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキダイオード１１で窒化ガリウム支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。窒化ガリウムエピタキシャル層１５は、第１の面１３ａ上に設けられている。オーミック電極１７は、第２の面１３ｂ上に設けられている。ショットキ電極１９は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層１５の厚さＤ１は５マイクロメートル以上１０００マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は、１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）