【課題】高い除去率で、しかも優れた面内均一性で基板を凍結洗浄する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成されたＤＩＷ（凝固対象液）の凝固膜ＦＦに対してＤＩＷの凝固点よりも高い温度を有する融解液（ＤＩＷ）を局部的に供給するとともに、当該融解液を吐出するノズル８を基板表面Ｗｆに沿ってスキャン移動させて基板Ｗへの融解液の供給位置を変位させている。このため、基板Ｗ表面の複数位置で融解液の流速が速くなり、基板Ｗ表面の各部で高い除去率が得られるとともに、除去率の面内均一性も向上している。また、融解液により融解された領域（融解部分ＭＰ）と融解されていない領域（凝固膜ＦＦ）との界面ＩＦが基板Ｗの外周縁部側に広がるのに追随してノズル８を基板Ｗの外周縁部側に移動させているので、融解部分ＭＰで発生した氷塊による基板ダメージを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理される試料の温度の精度あるいは信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内側でプラズマが形成される処理室３と、該処理室内の下方に配置され、その上面に試料５が載置される試料台であってその内部に冷凍サイクルの冷媒が通流して蒸発器として動作する円筒形を有する試料台４と、該試料台４の内部に配置され、前記円筒の中心について同心状に配置された前記冷媒の流路と、前記試料台４の下方に配置され、該試料台４の振動を検出する少なくとも１つの検知器３７と、前記冷凍サイクル上の圧縮機と前記試料台４との間に配置され、前記検知器３７の出力から前記流路内側を通流する前記冷媒の乾き度を検出し、その結果に基づいて前記試料台４に流入する前記冷媒の温度を調節する調節部３３と、を備えたプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をＩＰＡに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Ｗを保持して回転させる工程と、基板の下面にＤＩＷ（純水）を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＮ_２ガスとを含むミストを供給してＤＩＷをＩＰＡで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口６２を有する、基板の下方に設けられたノズル６０により行われる。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板を加熱しながら加熱流体により基板のパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗの周縁部を保持する保持部材を有し、基板を水平に保持する基板保持部２２，３０と、基板保持部を回転させる回転駆動部３９と、基板保持部に保持された基板の下面の下方に位置するように設けられ、基板保持部により保持された基板の下面に薬液を吐出する、吐出口を有するノズル６０と、ノズルに加熱した薬液を供給する薬液供給機構７０ａ，７０ｂと、基板保持部により保持された基板の上面を覆うカバー部材８０と、カバー部材に設けられ、カバー部材が基板の上面を覆っているときに基板の上面側から基板を加熱するヒーター８３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に効率良く液体洗浄および二流体洗浄を行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持部に保持された基板（Ｗ）の下方に位置して基板の下面に液体と気体とを混合してなる二流体を吐出することができるように構成されたノズル（６０）を備える。ノズルは、液体を吐出するための複数の液体吐出路（６７ａ）と、気体を吐出するための複数の気体吐出路（６７ｂ）とを有している。ノズルは、複数の液体吐出路にそれぞれ対応する複数の液体吐出口（６１）を有している。液体吐出口は、基板保持部に保持された基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されている。液体吐出口は、気体吐出路に気体が供給されずに液体吐出路に液体が供給されているときに、液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Ｗの回転中心Ｐ（０）から基板Ｗの外縁側に離れた初期位置Ｐ（Ｒin）の上方に冷却ガス吐出ノズル７を配置し、回転している基板Ｗの初期位置Ｐ（Ｒin）に冷却ガスを供給して、初期位置Ｐ（Ｒin）および回転中心Ｐ（０）を含む初期領域に付着するＤＩＷを凝固させる。そして、初期凝固領域ＦＲ0の形成に続いて、ノズル７から冷却ガスを供給しながら初期位置Ｐ（Ｒin）の上方から基板Ｗの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Ｗの外縁側に広げて基板表面Ｗｆに付着していた全ＤＩＷ（凝固対象液）を凝固して液膜ＬＦ全体を凍結する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に洗浄液を噴射することによって切削屑が混入したミストが飛散しても、この飛散したミストに混入されている切削屑が再び被加工物の表面に付着することがないスピンナー洗浄装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持し回転可能なスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物に洗浄液を噴射する噴射口を有する洗浄液噴射ノズルを備えた洗浄液噴射機構とを具備するスピンナー洗浄装置であって、洗浄液噴射ノズルの噴射口の背部を覆って配設された集塵傘と、集塵傘に設けられた吸引口に一端が連通して配設された吸引チューブと、吸引チューブの他端が接続された吸引源とを具備するミスト吸引手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】ノズル支持アームをその長手方向軸を中心として回転させることができる場合でも、ノズルに接続される配管における配管抵抗を小さくすることができ、またこの配管の占めるスペースを小さくすることにより省スペース化を図ることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２は、当該ノズル支持アーム８２の移動方向に沿った長手方向軸を中心として回転可能となっており、ノズル支持アーム８２は、ノズル８２ａに流体を送るための配管８３ｐ〜８３ｕを有し、配管８３ｐ〜８３ｕは可撓性材料から形成されている。配管８３ｐ〜８３ｕは、ノズル支持アーム８２が退避位置にあるときにノズル支持アーム８２の後端部で当該ノズル支持アーム８２の延びる方向に直交する平面上で渦巻き形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の下面を効率良く洗浄することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持機構に保持された基板（Ｗ）の下面の下方に位置して基板の下面に処理液を吐出するノズル（６０）を備える。ノズルは基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の第１の吐出口（６１）を有している。第１吐出口は、基板の下面に向けて吐出される処理液の吐出方向が基板の回転方向の成分を持つように形成されている。 （もっと読む）

【課題】研磨処理により薄型化された基板を、反りや割れを生じることなく裏表反転させる。
【解決手段】基板反転装置４２は、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部２７０と、第１の保持部２７０に対向して設けられた、被処理ウェハＷを保持する第２の保持部２７１と、第１の保持部２７０と第２の保持部２７１を相対的に移動させて第１の保持部２７０と第２の保持部２７１を接近、離隔させる移動機構２７２と、被処理ウェハＷを保持して搬送する搬送機構を有している。第１の保持部２７０、第２の保持部２７１及び搬送機構における被処理ウェハＷの保持は、ベルヌーイチャックにより行われる。 （もっと読む）

【課題】処理室とアーム待機部とを区画する壁に、ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられているときに、この壁の開口をノズル支持アームにより塞ぐことにより処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、処理室２０とアーム待機部８０とを区画する壁９０が設けられており、この壁９０のアーム洗浄部８８にはノズル支持アーム８２が通過可能な開口８８ａが設けられている。ノズル支持アーム８２は、アーム待機部８０で待機しているときにこの壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ａを塞ぐようになっている。 （もっと読む）

【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕは複数設けられており、ノズル支持アーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔはノズル支持アーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕと高さレベルが異なるようになっている。 （もっと読む）

【課題】揮発性を有する乾燥液を用いて基板を乾燥させる際に、基板の表面にウォーターマークが発生して微細なパーティクルが付着するのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板を処理液で液処理した後に揮発性処理液で乾燥処理する基板処理方法及び基板処理装置において、前記基板に処理液を供給して処理する工程と、前記処理液の液膜が形成された前記基板を加熱する工程と、前記処理液の液膜が形成された基板へ揮発性処理液を供給する工程と、前記基板への前記揮発性処理液の供給を停止する工程と、前記揮発性処理液を除去して基板を乾燥する工程とを有し、前記基板を加熱する工程は前記揮発性処理液を供給する工程よりも前に開始され、前記基板の表面が前記揮発性処理液から露出するよりも前に、前記基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように前記基板が加熱されることにした。 （もっと読む）

【課題】剥離処理により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制する。
【解決手段】剥離システム１は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間に設けられた搬送ステーション７とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、第１の洗浄装置３１と、第２の洗浄装置３３とを有している。搬送ステーション７内の圧力は、剥離装置３０内の圧力、第１の洗浄装置３１内の圧力及び第２の洗浄装置３３内の圧力に対して陽圧である。 （もっと読む）

【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】表面に施されたパターニングを剥がすことなく、裏面に付着したポリマーやパーティクルを確実に除去し、それぞれの面に応じた押圧力でそれぞれの面に付着したパーティクルを確実に除去する。
【解決手段】処理装置は、被処理体Ｗの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構３０と、周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構４０を備えている。処理装置は、周縁部の一方の面に加わる押圧力を調整する第一調整機構１０と、周縁部の他方の面に加わる押圧力を調整する第二調整機構２１，２５と、をさらに備えている。第二洗浄機構４０は、周縁部の他方の面に当接可能であり、横断面の中心部が硬質部からなり、中心部の周りを囲む外周部が硬質部よりも軟らかい軟質部からなる第二洗浄部を有する。被処理体Ｗの周縁部を洗浄する際、硬質部は被処理体Ｗの周縁部の側端面に当接され、軟質部は被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接される。 （もっと読む）

【課題】洗浄品質の高い枚葉式ウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１１内においてウェーハ１を支持する回転テーブル１２と、ウェーハ１の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、回転テーブル１２の外周部に設けられたスピンカップ１４と、回転テーブル１２の外周部に設けられた排気口１５と、スピンカップ１４を昇降制御するスピンカップ昇降機構１６と、チャンバー１１の側面側に設けられた排気口１７と、排気口１７を開閉するシャッター１８とを備え、シャッター１８は、スピンカップ１４に連動して昇降し、スピンカップ１４が上昇して排気口１５を開放しているときには排気口１７を閉止し、スピンカップ１４が降下して排気口１５を閉止しているときには排気口１７を開放する。これにより、チャンバー１１の内圧をほぼ一定に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】凍結洗浄技術を用いて基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理技術を、簡易な設備で、しかも低ランニングコストで提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に常温よりも高い凝固点を有する凝固対象液を供給して液膜を形成し、その液膜を凝固させて基板表面に凝固対象液の凝固体を形成した後、その凝固体を融解除去している。したがって、従来技術において凝固のために必須となっていた極低温ガスを使用する必要がなくなる。このため、ランニングコストを抑制することができる。また、供給ラインの断熱が不要となるため、装置や周辺設備の大規模化を防止することができ、プットプリントの低減を図ることができるとともに、装置や周辺設備のコストも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】より低コストかつ省資源な洗浄を行うために、ガス溶解水を用いた高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄のみにより、超音波洗浄を組み合わせる必要がない程度に十分な洗浄効果をあげる洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて、被洗浄物を高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄する洗浄方法において、流体吐出ノズルに導入される洗浄液に溶存ガスを含ませる。溶存ガスは、所定の圧力が加えられることにより洗浄液に溶解され、溶存ガスの洗浄液への溶解量は、洗浄液の液温における飽和溶解度を第１飽和溶解度とし、洗浄液の液温を保ったまま所定の圧力を加えた状態における飽和溶解度を第２飽和溶解度とした場合に、第２飽和溶解度と第１飽和溶解度との差の１０〜７０％を第１飽和溶解度に加えたものとする。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）