【課題】ＩＰＡ等の乾燥用流体の使用量を抑えつつ、基板を効率的に乾燥させる。
【解決手段】純水リンス工程の後、純水が付着した基板を回転させながら、乾燥用流体および不活性ガスを基板に供給する乾燥工程を行う。このとき、基板に対する不活性ガスの供給位置が乾燥用流体の供給位置よりも基板回転中心（Ｐｏ）に近くなるように保ちつつ、流体ノズル（１２）及び不活性ガスノズル（１３）の位置を基板回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる。乾燥工程の開始時には、まず不活性ガスノズルを基板回転中心より手前側に位置させた状態で流体ノズル及び不活性ガスノズルの移動を開始すると共に乾燥用流体の供給を開始し、次いで、不活性ガスノズルが基板回転中心にきたときに不活性ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】液体流量制御装置の制御可能総流量範囲を広くすること。
【解決手段】第１の流量制御ユニット２１Ａは、小流量の第１の制御可能流量範囲を有する第１の流量制御弁２３Ａを有しており、第２の流量制御ユニット２１Ｂは、大流量の第２の制御流量範囲を有する第２の流量制御弁２３Ｂを有しており、第１および第２の制御流量範囲には重複範囲がある。総流量の要求値の変化に応じて、第１および第２の流量制御ユニットの一方または両方に液体が流れる。第１および第２の流量制御ユニットを流れる液体の合計流量を増大させてゆく過程においては、第１および第２の流量制御ユニットの一方を流れる流量を固定しつつ他方を流れる流量を増大させる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハ３）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板（ウエハ３）の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板（ウエハ３）を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板（ウエハ３）の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板（ウエハ３）の周縁部に対して内側に隣設し、基板（ウエハ３）に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板（ウエハ３）の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有し、ガス噴出部(17)は、基板（ウエハ３）を挿通させたスリット(15)に形成することにした。 （もっと読む）

【課題】酸性処理液とアルカリ性処理液とにより生成される生成物が付着することを防止し、排気効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、被処理体Ｗに、酸性処理液またはアルカリ性処理液を供給する液処理部４０と、液処理部４０に連結された主排気ダクト６４と、主排気ダクト６４に、排気方向下流側から順にそれぞれ連結され、液処理部４０内の雰囲気を排出する複数の個別排気ダクト６１、６２、６３と、主排気ダクト６４と複数の個別排気ダクト６１、６２、６３の各々との間に設けられた複数の排気開閉弁７１、７２、７３と、を備えている。主排気ダクト６４は、分岐部６４ｂを有し、液処理部４０と主排気ダクト６４の分岐部６４ｂとの間に、洗浄流体を噴出する洗浄流体噴出部８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 周縁部９８１に凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗを略水平に保持しながら回転し、基板Ｗの周縁部９８１に、凝固手段３５から凝固用気体である窒素ガスを供給して基板Ｗの周縁部９８１に付着するＤＩＷを凝固し、凝固手段３５から窒素ガスが供給されているとは離間した位置に、融解手段４１から融解液であるＤＩＷを供給してＤＩＷの凝固体を融解する。これにより、基板Ｗを回転しながら連続して凝固対象液の凝固と融解を行うことが可能となり、処理に要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】より簡素な構成によってダウンフローを発生させること。
【解決手段】スピンナ洗浄装置１は、ワークを保持するスピンナテーブル３０と、鉛直方向を回転軸としてスピンナテーブル３０を回転させるモータ４２と、スピンナテーブル３０に保持されたワークに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル５０と、スピンナテーブル３０を収容するケーシング２０と、モータ４２に接続された羽３６Ａを備え、羽３６Ａは、モータ４２によってスピンナテーブル３０が回転する際に同時に回転し、ケーシング２０内にダウンフローを発生させる。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減しつつ、基板の主面全域に処理液を供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗの上面および下面に非接触で当該基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Ｗの上面および下面に処理液を供給する処理液供給機構と、スピンチャックに保持された基板Ｗを取り囲む環状部材４とを備えている。環状部材４は、基板Ｗの上面周縁部を取り囲む上側環状親水面２９と、基板Ｗの下面周縁部を取り囲む下側環状親水面３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】安価な装置構成で、広範囲に配置された被除電対象物を除電及び除塵することができる除電除塵装置を提供する。
【解決手段】除電除塵装置１０Ａは、イオン４２を発生する無風型除電器１２と、無風型除電器１２の個数よりも多い複数の送風部４６（エア管５２）を有し、ワークＷに向けて清浄空気５３を送風する送風装置１４とを備える。無風型除電器１２で発生させたイオン４２を、複数のエア管５２からの清浄空気５３によりワークＷに到達させ、ワークＷの除電及び除塵を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部をムラなく洗浄することができるブラシを提供する。
【解決手段】基板Ｗが水平に保持され回転させられる。所定の回転軸線を中心として回転する球形のブラシ２１を回転する基板の周縁部に当てた状態で、基板に対してブラシを上昇または下降させながら洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】処理液体を用いて基板表面に形成された膜を除去する除去装置で、ウエハ処理が中断され、ウエハ処理能力が低下し、かつ基板処理システムの動作コストが増大するのを解決する。
【解決手段】処理室４６、基板保持手段、処理液を供給するノズル６０、第１速度又は該第１速度以上の速度である第２速度で回転させる回転機構、処理液体格納容器７６を有し、処理液体を回収及び循環し、再度前記ノズル６０から供給する処理液体循環回収機構７３、処理液体を廃棄する処理液体廃棄機構、処理液体が前記基板保持手段が前記第１速度で回転するときには前記処理液体循環回収機構に、前記第２速度で回転して前記ノズル６０から前記処理液体が供給されるときには前記処理液体廃棄機構に導かれるように接続を変更する制御装置を有する。前記処理液体格納容器７６は、底部に廃液ライン１０７、壁面に前記処理液体格納容器内を洗浄するスプレーノズル１０９を有する。 （もっと読む）

【課題】流体収容部の加熱及び冷却を速やかに行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】ハロゲンランプ２１の周囲にスパイラル管４を設け、前記ハロゲンランプ２１とスパイラル管４との間に、ハロゲンランプ２１を覆うように、ハロゲンランプ２１の熱線を透過する材料により構成された筒状体５を設ける。また、スパイラル管４に向けて冷却液を供給する冷却液ノズルを設ける。スパイラル管４はハロゲンランプ２１により速やかに加熱され、冷却液を直接供給されることにより速やかに冷却される。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】短時間で被処理基板の周縁部の温度を上げて薬液による処理効率を高めることが可能な液処理装置などを提供する。
【解決手段】鉛直軸周りに回転する被処理基板Ｗに、薬液供給部６２から薬液を供給して液処理を行う液処理装置１において、被処理基板Ｗの上面に空間を介して対向するように設けられたカバー部材５には、ガス供給口５１が設けられており、このガス供給口５１から空間に向けてガスを供給する。このガスはカバー部材５１の周縁部に下方側に突出して設けられた突出部と被処理基板Ｗとの隙間を介して当該空間から流出する。さらにこの空間には被処理基板Ｗの周縁部を加熱するランプヒーター６１が被処理基板Ｗの周方向に沿って配置されており、薬液供給部６２から供給される薬液はこのランプヒーター６１の配置位置よりも周縁部寄りに供給される。 （もっと読む）

【課題】回転中の事故を防ぐスピンナ洗浄装置及びスピンナ洗浄方法を提供すること。
【解決手段】スピンナテーブル１０Ａのウェーハ吸着面１２外側に設けられた吸着確認部１６で、フレームＦとウェーハＷとの間のテープＴを吸着し、検出部１８で吸着確認部１６の圧力の変化を検出する。テープＴが正しく吸着確認部１６に吸着され、吸着確認部１６の圧力が下がりフレームＦの位置に異常がないと判断された場合はスピンナ洗浄が開始される。吸着確認部１６でテープＴが吸着されず圧力が下がらない場合は、フレームＦの位置が異常であるとしてスピンナテーブルの回転が行われない。 （もっと読む）

【課題】回転する被処理基板の下面側に供給された処理液の上面側への回り込みを効果的に抑制できる液処理装置を提供する。
【解決手段】回転基体２１は、被処理基板Ｗを水平に保持した状態で回転させ、処理液供給部２４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に処理液が供給される。囲み部材３は回転する被処理基板Ｗを囲むように設けられ、振り切られた処理液をその下面にてガイドし、当該囲み部材３の下面側に、各々内縁側から外方に向かって伸びると共に周方向に沿って配列された複数のガイド溝部３２は、被処理被処理基板Ｗの周縁部に到達した処理液を毛管作用により外方側に引き出して、その上面側への処理液の回り込みを抑える。 （もっと読む）

【課題】乾燥不良が生じることを抑制しつつ、基板を均一に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＤＩＷの液膜が形成されたウエハＷの表面に、処理液ノズル３からＤＩＷを供給させつつ、ガスノズル４から窒素ガスを供給させて、前記表面の周縁に、前記液膜除去された液膜除去領域Ｔを形成させる（図４（ｂ））。その後、ガスノズル４から前記
表面への窒素ガスの供給位置を、当該表面の中心部（中心Ｏおよびその近傍）に移動させることにより、液膜除去領域Ｔ内に中心Ｏを配置させる（図４（ｃ））。そして、液膜除去領域Ｔが前記中心部に配置された状態で、ウエハＷを所定の高回転速度まで加速回転させるとともに、前記窒素ガスの供給位置を前記周縁に向けて移動させることにより、液膜除去領域Ｔを拡大させつつＤＩＷを前記表面から排除していく（図４（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】液処理装置において、角型の基板から飛散する処理液が基板に付着することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】基板の辺に沿って形成されると共に外縁部が円形に形成され、前記基板を保持する基板保持部と共に回転する液受け部と、前記液受け部を囲むように設けられ、その上縁部が当該液受け部との間に排気空間を形成するように液受け部の上方側に屈曲すると共にその内周縁が円形に形成され、前記基板保持部と共に回転する円筒状の回転カップと、を備えるように液処理装置を構成する。回転カップの内外で周方向に均一性高く気流を形成すると共に気流の淀みを防ぎ、液受け部により基板の周縁部から外側上方へ飛散した処理液をその下面で受け止めて基板の外側方向へ排出することができるので、基板の周囲から効率良く処理液を排出して基板への付着を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング形成したパターンが倒壊しないように埋め込み絶縁膜を形成する。
【解決手段】所定のパターンにエッチング加工した被加工物に対してパターン間に絶縁膜を埋め込み形成する半導体装置の製造方法である。前記被加工物のエッチング加工された前記パターン間のエッチング残渣を第１の薬液により洗浄する工程と、前記第１の薬液による洗浄の後前記被加工物をリンス液でリンスする工程と、前記リンスの後前記被加工物に絶縁膜形成用の塗布液を塗布する工程とを備える。前記第１の薬液による洗浄から前記塗布液の塗布までを、前記被加工物が前記パターン間で液体を保持した状態を維持するように同一の処理室内で実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理が停止した場合であっても、確実なエンドポイントの検出をする。
【解決手段】発光検出部３１は、プラズマ処理の発光強度を検出する。波形記憶部３３は、検出された発光強度の時間変化である発光波形を記憶する。判定部３５は、発光波形が、ある値に設定された発光閾値以下の場合、且つ、前記時間変化が、ある値に設定された設定時間を越えた場合、エンドポイントであると判定する。出力部３６は、プラズマ処理がエンドポイントに至ったことをエッチング装置１０の高周波電源１２に出力する。モニタ３０は、設定時間に至る前にプラズマ処理が停止し、その後再処理をした場合、波形記憶部３３に記憶されている発光波形とこの再処理の発光波形とを波形結合部３４で結合する。判定部３５は、結合された波形により、エンドポイントを判定する。 （もっと読む）

【課題】形成した微細パターンの乾燥工程での倒壊を防止する。
【解決手段】 被加工物に対して、第１パターンの形成領域と、前記第１パターンの形成領域に隣接して前記第１パターンに比べて少なくともパターン幅が広いかアスペクト比が小さい第２パターンの形成領域とを設ける構成の半導体装置の製造方法であって、最表面に第１の接触角を有する第１膜を配置した前記第１パターンと、最表面に前記第１の接触角よりも小さい第２の接触角を有する第２膜を配置した前記第２パターンを形成する工程と、前記第１パターンおよび第２パターンの形成領域を薬液により洗浄し、リンス液でリンスする工程と、リンスした前記第１パターン及び第２パターンを乾燥させる工程とを備える。 （もっと読む）