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Fターム[5F157AB02]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 被洗浄物の支持 (5,429) | 単数の被洗浄物を支持 (1,559)

Fターム[5F157AB02]に分類される特許

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【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)の周縁を保持する保持プレート(30)と、基板を下方から支持するリフトピン(22)を有するリフトピンプレート(20)と、保持プレートを回転させる回転駆動部(39)と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管(40)と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル(60)と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構(44,46,50,52)を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口(61)を有する。 (もっと読む)


【課題】装置の組み立て、メンテナンスが容易である液処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wに対して液処理を行うための複数の液処理ユニット2が互いに横方向に並べて配置され、液処理ユニット2内の雰囲気を排気する排気管3は、これら複数の液処理ユニット2の下方側に、当該液処理ユニット2の並びに沿って伸びるように配置され、給液用の通流制御機器群4は前記排気管3の下方側に設けられている。給液用主配管5及び排液用主配管6は、これら通流制御機器群4の下方側にて複数の液処理ユニット2の並びに沿って各々伸びるように設けられ、前記給液用主配管5からは、複数の給液用分岐管が分岐して、前記給液用の通流制御機器402を介して各液処理ユニット2に接続され、前記排液用主配管6からは複数の排液用分岐管が分岐して各液処理ユニットに接続されている。 (もっと読む)


【課題】処理室内に基板を搬入したり処理室から基板を搬出したりする場合においてカップ外周筒が下方位置にあるときに、洗浄部における貯留部分に貯留された洗浄液が蒸発してこの洗浄液の雰囲気が処理室内に入り込むことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留するための貯留部分52aを有し、カップ外周筒50が下方位置にあるときにこのカップ外周筒50が貯留部分52aに貯留された洗浄液に浸されるような洗浄部52が液処理装置10に設けられている。カップ外周筒50の上端には、このカップ外周筒50が下方位置にあるときに貯留部分52aに貯留された洗浄液を覆う蓋50cが設けられている。 (もっと読む)


【課題】処理室内の雰囲気の置換性を向上させることができ、基板の液処理を行う際に飛散した薬液等の雰囲気が処理室内に残存しないようにすることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10において、カップ外周筒50が上方位置にあるときにこのカップ外周筒50内の雰囲気が当該カップ外周筒50の外側に送られるようになっている。また、処理室20内の雰囲気の排気を行うための排気部56が処理室20内においてカップ外周筒50の外側に設けられている。 (もっと読む)


【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ(200)を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第1(260a)及び第2(260b)の入口と、チャンバ内のアノード(210)及びカソード(230)構造体と、カソード構造体(230)上のウェファ(100)とを含む。クリーニングガス(260b)は、第1の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス(260a)は、第2の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 (もっと読む)


【課題】装置の組み立て、メンテナンスが容易である液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置1において、液処理ユニット2は、処理液により基板Wに対して液処理を行い、給液用配管561、562は、一端側が液処理ユニット2に接続され、他端側がその下方側に引き回されていて、当該液処理ユニット2に処理液を供給する。筐体基体46は、この給液用配管561、562に介在する通流制御機器群402が取り付けられ、筐体基体46内に、液処理装置1の側方に位置するメンテナンス領域に臨むように各々設けられ、通流制御機器群402よりも上流側の給液用配管561を着脱するための上流側の接続ポート403、及び下流側の給液用配管562を着脱するための下流側の接続ポート406を備える。 (もっと読む)


【課題】処理室内の雰囲気の置換性を向上させることができ、基板の液処理を行う際に飛散した薬液等の雰囲気が処理室内に残存しないようにすることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10において、処理室20に隣接してアーム待機部80が設けられており、このアーム待機部80において処理室20から退避したアーム82が待機するようになっている。また、処理室20内においてカップ40の周囲に昇降可能な円筒状のカップ外周筒50が配設されており、このカップ外周筒50が上方位置にあるときにカップ外周筒50内の領域が外部から隔離されるようになっている。カップ外周筒50には、アーム82が通過可能な開口50mが設けられている。 (もっと読む)


【課題】スプレノズルの先端部付近に残留した薬液の被処理膜上への滴下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、スプレノズル20と、スプレノズル20を支持部材12に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構21と、基材Wを回転させる回転駆動部14とを備える。ノズル移動機構21は、待機位置よりも上方の第1の上方位置から第2の上方位置まで基材Wに近づく方向へ水平移動させ、第2の上方位置から下方位置へ下降させる。その後に、スプレノズル移動機構21は、ウエハW上の吐出位置にスプレノズル20を水平移動させる。 (もっと読む)


【課題】水の静的接触角が85度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を9mm〜15mmに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 (もっと読む)


【課題】 この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理液が貯えられる貯液タンク32と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体31に給液管路33を通じて供給する供給ポンプ34と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第1の加熱ヒータ37と、上記貯液タンク内の処理液を加熱する第2の加熱ヒータ42が設けられ、この第2の加熱ヒータ42によって加熱された処理液を上記第1の加熱ヒータ37によって上記所定温度にさらに加熱することを特徴とする基板の処理装置。 (もっと読む)


【課題】研磨加工後の半導体基板から残渣を効率良く除去できる洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る洗浄方法は、回転するロールブラシにより半導体基板上の残渣を洗浄する洗浄方法であって、ロールブラシを7.35kPa以下の第1の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第1の洗浄工程と、ロールブラシを7.35kPaよりも高い第2の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第2の洗浄工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】マスクブランク用基板の洗浄時に、超音波を印加した洗浄水を用いた洗浄方法を適用した場合でも、ガラス基板内部に潜傷が発生することを抑制でき、しかも基板主表面に存在するパーティクルを確実に排除できるマスクブランク用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、ガラス材料からなる基板の表面に向かって、周波数が1.5MHzよりも高い超音波が印加された洗浄水を当てて基板の表面を洗浄する洗浄工程を有する。 (もっと読む)


【課題】処理液により処理した後、基板をリンス処理する際に、処理液が基板に残留することを防止でき、処理時間を短縮できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理装置10において、基板を保持する基板保持部30、40と、基板保持部30、40に保持されている基板に処理液を供給する処理液供給部70と、基板にリンス液を供給するリンス液供給部80と、基板のみが吸収する波長領域の光を発光し、発光した光を基板に照射する発光素子112とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板を良好に撥水処理することができる基板液処理装置及び基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を撥水処理液で撥水処理する基板液処理装置(1)及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、混合タンク(53)の内部で撥水処理液を加水分解させることなく希釈できる第1の希釈液と撥水処理液とを混合して第1の希釈撥水処理液を生成し、第1の希釈撥水処理液で基板(2)を撥水処理することにした。また、混合タンク(53)から第1の希釈撥水処理液を供給する第1供給流路(54)の中途部に撥水処理液を希釈する第2の希釈液を供給し、第1の希釈撥水処理液を第2の希釈液で希釈して第2の希釈撥水処理液を生成し、第2の希釈撥水処理液で基板(2)を撥水処理することにした。 (もっと読む)


【課題】リンス液を乾燥する際、被処理基板の凸状部が倒壊することを防止することが可能な液処理方法、液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板本体部Wと、基板本体部Wに突設された複数の凸状部Wとを有し、基板本体部W上であって凸状部W間に下地面Wが形成された被処理基板Wに対して表面処理を行うことにより、被処理基板Wの下地面Wが親水化し、かつ凸状部Wの表面が撥水化した状態となるようにする。次に、表面処理された被処理基板Wに対してリンス液を供給する。その後、被処理基板Wからリンス液を除去する。 (もっと読む)


【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで,これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハWを載置する基板載置面115とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面116を有するサセプタ114を備えた載置台110と,ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに,フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック120と,伝熱ガス供給機構200とを備え,伝熱ガス供給機構は,基板裏面に第1伝熱ガスを供給する第1伝熱ガス供給部210と,フォーカスリング裏面に第2伝熱ガスを供給する第2伝熱ガス供給部220とを独立して設けた。 (もっと読む)


【課題】基板の被処理面を汚染する恐れのあるミスト等の堆積を防止する。
【解決手段】有底二重筒状体のチャンバー10と、基板20を支持するテーブル21とを含んで基板処理装置1を構成する。内側筒体12の外壁と外側筒体13の内壁とで囲まれる第2の空間S2内の気体を外側筒体13の外壁外へ排気させることで、第2の空間S2内の圧力を、内側筒体12内の第1の空間S1の圧力よりも低下させ、これにより第1の空間S1内の気体が、連通機構30を通過して第2の空間S2に向けて流れるようにする。その際、連通機構30を通過する気流を「絞る」ことにより、ベンチュリ効果によりその流れを付勢し、基板20を処理する際に発生したパーティクルを含むミストなどを第1空間S1から効率よく排気し、基板の被処理面の汚染を防止する。 (もっと読む)


【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Wfに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Wfに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にHFEを残留させる。その後、HFEは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Wfを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のHFEが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Wf等の領域を洗浄することができる。 (もっと読む)


【課題】下地膜が成膜された基板上にレジスト膜が形成された状態でイオン注入された基板からレジスト膜を除去する際に、下地膜を除去することなくレジスト膜を除去できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理方法において、硫酸と硝酸とを所定の比率で混合してなる、120℃以上の温度の処理液を、下地膜が成膜された基板上にレジスト膜が形成された状態でイオン注入された基板に供給することによって、基板からレジスト膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台12に保持されて回転する基板Wから飛散した処理液を下方へ案内する第1案内カップ31および第2案内カップ41と、基板保持台12と、第1案内カップ31および第2案内カップ41との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第1案内カップ31および第2案内カップ41により案内された処理液を回収する第1処理液回収用タンク61および第2処理液回収用タンク62と、を備えている。第1処理液回収用タンク61と第2処理液回収用タンク62との間には、排気部材71が設けられている。第2案内カップ41の下端部41bに、第1案内カップ31からの処理液を第1処理液回収用タンク61に案内すると共に、第2案内カップ41からの処理液を第2処理液回収用タンク62に案内する案内部材81が設けている。 (もっと読む)


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