【課題】基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。これらのブロック９〜１６は上記の順で並設される。インターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。洗浄／乾燥処理ブロック１５は、洗浄／乾燥処理部８０を有する。洗浄／乾燥処理部８０には、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄／乾燥ユニットが設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

半導体基板のベベル端部を洗浄するためのデバイス。このデバイスは、シリンダ状上部部分を有する下方サポートと、上部部分の外方端部を囲み、基板を支持するようになされた、下方プラズマ排斥区域（ＰＥＺ）リングと、下方サポートに対向し、シリンダ状下部部分を有する、上方誘電体部品と、下部部分の外方端部を囲み、下方ＰＥＺリングに対向する上方ＰＥＺリングと、上方ＰＥＺリングおよび下方ＰＥＺリングによって画定された環状スペース内で、プロセスガスにエネルギーを与えてプラズマ化させるように作動する、少なくとも１つの高周波（ＲＦ）電源とを備え、この環状スペースには、ベベル端部が含まれる。
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【課題】処理液から基板への放電の発生が抑制されるとともに、小型かつ軽量で十分な強度が確保されたノズルおよびそれを備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル装置のノズル６０ａは、水平方向に延びるアーム管部と、アーム管部の他端から下方に湾曲するように形成された下流管部とを有する。ノズル６０ａにおいては、金属管９１の内部に第１の樹脂管９２が挿通され、第２の樹脂管９３の内部に金属管９１が挿通されている。ボス９４が第２の樹脂管９３の内部の金属管９１の先端部に装着されている。ノズル６０ａの先端部においては、第１の樹脂管９２の外周面、第２の樹脂管９３の端面およびボス９４の端面が溶接用樹脂９５により溶接されている。このようにして、金属管９１は、第１の樹脂管９２、第２の樹脂管９３、ボス９４および溶接用樹脂９５により確実に被覆されている。 （もっと読む）

【課題】ワークに付着している異物を粘着テープを用いて的確かつ効率よく除去する。
【解決手段】ワークである基板ｗに付着している異物を狙って局部的に粘着テープＴを貼り付け、該粘着テープＴを剥離することにより異物を粘着テープＴに移し取って基板ｗから除去する。好ましくは、粘着テープＴを非粘着面から押圧部材２６で押圧しながら基板表面に沿って押圧部材２６を相対移動させるとともに、押圧部材２６の相対移動に連動して粘着テープＴを粘着テープ供給手段から繰り出しながら基板ｗに貼り付け、かつ、粘着テープＴを剥離して回収する。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークを発生させることなく、基板の上面を良好に乾燥させる。
【解決手段】洗浄処理が終了すると、遮断板２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接した位置に配置される。そして、液体供給口２５２ａからウエハＷの上面に純水が供給される。ウエハＷの上面に供給された純水は、ウエハＷの上面に拡がり、その表面張力でウエハＷ上に液膜となって溜められる。この液膜形成のための液盛りが行われている間に、第１乾燥ガス供給口２５１ａおよび第２乾燥ガス供給口２６ａから窒素ガスが供給されて、ウエハＷ上の純水の液膜と遮断板２との間の空間の雰囲気が窒素ガスに置換される。その後、ＩＰＡベーパ供給工程が行われる。ＩＰＡベーパ供給工程では、第１乾燥ガス供給口２５１ａからウエハＷの上面の中央部に向けて、ＩＰＡベーパを含む窒素ガスが供給される。 （もっと読む）

対象物の表面の少なくとも一部を処理するための流体メニスカスを利用する湿式処理装置および方法である。対象物の表面の１つが処理された後に、対象物の他の側面または表面が同様に処理されうる。いくつかの例を挙げれば、この処理はコーティング、エッチング、めっきでありうる。この装置と方法の用途は、半導体処理産業、特にウェハおよび基板の処理にある。この方法と装置は、電子構成部品の多数の表面の処理をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

円板状物品の主表面に直角な軸線まわりで円板状物品を回転させ、回転しているときに円板状物品の上に液体を供給し、この液体は円板状物品の縁に向かって基板を横切って動かされる供給ポートから供給され、第１の気体供給ポートを通してある一領域に向かって円板状物品上に第１の気体流を供給し、この領域の中心は２０ｍｍより大きくない回転運動の中心までの距離を有し、第１の気体が供給されるこの領域は、第１の気体が供給されるとき液体層で覆われ、そしてこれにより分離した領域において液体層を開口させ、更に、回転されたときの円板状物品上に第２の気体供給ポートを通して第２の気体流を供給し、この第２の気体流は基板の縁に向かって基板を横切って動かされる第２の気体供給ポートより供給され、第２の気体供給ポートから中心までの距離は、第２の気体流及び液体が供給されている間の液体供給ポートから中心までの距離より小さい諸段階よりなる円板状物品の表面から液体を除去するための方法が明らかにされる。更に、この方法を実行するための装置が明らかにされる。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理方法と、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】金属層が形成された被処理基板を第１の温度に設定し、有機化合物を含む処理ガスを前記金属層に吸着させて金属錯体を形成する第１の工程と、前記被処理基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度となるように加熱して、前記金属錯体を昇華させる第２の工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面に金属不純物やパーティクルあるいは純水中の不純物が付着するのを抑制し、清浄な洗浄を行うことで、半導体装置の特性や歩留りを向上できる洗浄乾燥装置を得る。
【解決手段】本発明に係る洗浄乾燥装置は、洗浄液で被洗浄物表面を酸化する処理を行う第１の処理槽と、該第１の処理槽で酸化された被洗浄物表面を希釈塩酸水溶液で洗浄する処理を行う第２の処理槽と、該第２の処理槽で洗浄された被洗浄物表面を乾燥する処理を行う乾燥処理部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 １つの工程装備にインシャワー、吸入および乾燥工程を行えるようにし、基板を塗布または剥皮したり洗浄工程を行ったりする際に時間と空間的な効率性を高めることができるインシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置を提供する。
【解決手段】 インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置は、インシャワーナイフ、エアナイフを含むナイフユニットおよびナイフユニットが取付けられて基板上にナイフユニットを移送することができるフレームを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する洗浄ブラシの押し込み量の設定に当って、その基準となる洗浄ブラシの基準位置を容易に確定でき、作業者の負担を軽減し、基板の洗浄処理品質の向上が達成できるような基板洗浄装置を用いた基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 基板洗浄装置は、洗浄すべき基板２を保持するホルダ１と、洗浄ブラシ７を保持しこれを基板の主面の法線方向に移動させかつ基板の主面に平行な方向に移動させて基板に対する洗浄ブラシの相対的位置を定める位置決め機構４，２１を有している。この基板洗浄装置は、さらに、基板の主面の存在する平面Ｐにおいて基板から離れて配置され平面における洗浄ブラシの有無を検知する検知手段１６，１７を備える。 （もっと読む）

イン・サイチュでの裏側ポリマー除去のプラズマエッチングプロセスは、多孔性又は非多孔性カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層とフォトレジストマスクを表面に有するワークピースで開始される。ワークピースは、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプされる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を静電チャックに、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加して、誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーをフォトレジストマスク上に堆積することが含まれる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加することが更に含まれる。静電チャックのリフトピンを伸ばして、静電チャックの上にワークピースを上昇し、ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出して、ポリマーが裏側から除去されるまで、裏側に以前に堆積したポリマーを還元する。
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ディスク状物品を回転させる過程と、回転時にディスク状物品に液体を付与する過程と、回転時にディスク状物品から振り払われる液体を集める過程と、回転時にディスク状物品に平行に配置されてディスク状物品に面するプレートを提供する過程と、そしてプレートに平行に、プレートを横切るようガスを導く過程と、を具備する、ディスク状物品の液体処理用の装置と方法がここに開示される。
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【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 （もっと読む）

【課題】二相の基板洗浄化合物を使用するための方法およびシステム
【解決手段】基板表面から汚染物質を除去するための洗浄化合物、装置、および方法が提供される。半導体基板の表面から粒子状汚染物質を除去するための代表的な洗浄化合物が提供される。洗浄化合物は、約１ｃＰから約１０，０００ｃＰまでの間の粘度を有する粘性液体を含む。洗浄化合物は、また、粘性液体の中に分散された複数の固体成分を含み、複数の固体成分は、基板表面から粒子状汚染物質を除去するために、基板表面上の粒子状汚染物質と相互作用する。 （もっと読む）

基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレームと、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と、を備えている。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

一態様では、基板の縁部を洗浄する装置が提供される。該装置は（１）基板の縁部に接触して、かつ該基板を回転させるように適合された第１の直径の１つ以上のローラと、（２）該基板の縁部に接触して、かつ該基板の該縁部を洗浄するように適合された該第１の直径よりも大きな第２の直径の１つ以上のローラとを含む。該第１の直径の該１つ以上のローラおよび該第２の直径の該１つ以上のローラは、実質的に同一スピードで回転するように適合されてもよい。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）