【課題】被処理基板が処理されるべき基板処理容器のチャンバーの容積を小さくすることができ、また、被処理基板の搬送にかかる時間が長くなってしまうことを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、被処理基板Ｗが収容されるチャンバー３０ａを内部に有する基板処理容器３０と、基板処理容器３０に対して被処理基板Ｗの受け渡しを行う第１搬送ユニット４０と、第１搬送ユニット４０への被処理基板Ｗの受け渡しおよび第１搬送ユニット４０からの被処理基板Ｗの受け取りを行う第２搬送ユニット１４とを備えている。第１搬送ユニット４０は、被処理基板Ｗの上面に接触することなく当該被処理基板Ｗを上方から保持する非接触式のものである。第２搬送ユニット１４は、被処理基板Ｗに接触することにより当該被処理基板Ｗを保持する接触式のものである。 （もっと読む）

【課題】吸着パッドに詰まったスラッジを確実に排出する。
【解決手段】支持部材（５３ａ）に支持されていて被加工物（２０）を吸着する吸着パッド（５１ａ）を洗浄する吸着パッド洗浄装置は、吸着パッドの内部から吸着パッドの吸着面（５２ａ）に向かって洗浄液を供給する洗浄液供給手段（５８）と、吸着パッドの吸着面において吸着パッドの内側領域を該内側領域周りの外側領域から封止可能に被覆する内側領域被覆部（３０）とを含む。また、チャックテーブル（１２ａ）は、被加工物を吸着する吸着パッドと、吸着パッドを支持する支持部材（５３ａ、５７）と、支持部材に形成されていて吸着パッドの内側領域周りに在る外側領域まで延びる外側領域通路（７１）と、洗浄液を外側領域通路に通して吸着パッドの吸着面に向かって供給する洗浄液供給手段と、を含む。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウェーハＷ等の下面周縁部のみを吸着しても撓みが発生し難い回転処理装置を提供する。
【構成】 吸引チャック５の上部形状は周縁部が内側部よりも高くなった皿状をなし、周縁部の上面には半導体ウェーハＷの製品とならない外縁部分を吸着するための吸引溝９が形成されている。この吸引溝９上に半導体ウェーハＷの下面周縁部の製品にならない部分が載置されるようにする。そして、吸引溝９を介して半導体ウェーハＷの下面周縁部を吸引する。吸引溝９は平面視で円形状をなすように形成されているため、半導体ウェーハＷの下面周縁部の全周が吸引され、撓みが発生し難い。 （もっと読む）

【課題】基板の一方の面と端面部分（エッジ部分）を液体により処理をする際に、他方の面側への液体の回り込みを防ぐことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、回転する基板Ｗに対して処理用の液体２８を供給して基板Ｗの処理をする際に、基板Ｗの一方の面３１と基板Ｗの端面部分３３に対して処理用の液体２８を供給する物理洗浄ツール１５と、基板Ｗの他方の面３２に対して保護用の流体５５を供給して基板の他方の面側に処理用の液体が回り込むのを防止する回り込み防止用供給ノズル５３と、を備え、回り込み防止用供給ノズル５３は、基板Ｗの回転方向において少なくとも一か所に固定されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面研削時に吸着パッドに詰まったスラッジを確実に排出する。
【解決手段】被加工物を吸着する吸着パッド（５１ａ）を洗浄する吸着パッド洗浄装置（３０）が、吸着パッドの内部から吸着パッドの吸着面（５２ａ）に向かって洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段（５８）と、吸着パッドの吸着面を研削する研削砥石（３１）と、前記吸着パッドの吸着面からスラッジを前記吸着パッドの外部に吸引する吸引手段（３９）とを具備する。研削砥石の研削面には凹部が形成されており、吸引手段は該凹部を通じてスラッジを吸引するのが好ましい。あるいは、吸引手段は研削砥石の研削面に隣接して配置されており、吸引手段は研削砥石の外周部付近からスラッジを吸引するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】研削加工されたウエーハの被研削面に残存するコンタミを可及的に減少させることができる洗浄機構を備えた研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブル上に保持された被加工物を研削する研削手段と、研削加工された被加工物の被研削面を洗浄する洗浄機構とを具備する研削装置であって、洗浄機構は被加工物の被研削面を上側にして保持するスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に洗浄水を噴出する洗浄水供給手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に柔軟な払拭部材を接触させて被加工物の被保持面を払拭する払拭清掃手段と、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面にオゾン水を噴出するオゾン水供給手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗの中央部上方に配置され、気体吐出口５５から基板Ｗに沿って窒素ガスを放射状に吐出して、基板Ｗを覆うための窒素ガスの流れを形成する気体吐出ノズル６とを含む。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れを生じることのない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に付着したパーティクルＰを洗浄、除去する基板洗浄方法において、ウエハＷを加熱してウエハＷの表面に付着するパーティクルＰを熱応力によってウエハＷの表面から剥離させる加熱ステップと、ウエハＷ表面の近傍に生じた温度勾配によりパーティクルＰをウエハＷの表面から脱離させる脱離ステップと、ウエハＷの表面から脱離したパーティクルＰを、ウエハＷに対向配置された捕集板１３によって捕集するパーティクルＰの捕集ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハを保持した環状のフレームがスピンナーテーブルの所定位置に確実に固定されたことを確認することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】スピンナーテーブル３１上へのフレーム保持機構３２は環状のフレームの下面を保持する保持面を有する下面支持部材３２１と、下面支持部材に中間部が支持軸３２３によって揺動可能に軸支され支持軸の上側に環状のフレームの上面を押圧する爪部３２２ｂが設けられているとともに支持軸の下側に錘部３２２ｃを備えた振り子部材３２２とを具備している。下面支持部材３２１にはスピンナーテーブルの回転が停止されている状態において爪部より内側にあって保持面より上方に突出し環状のフレームの外周縁を規制する規制部３２１ｅが設けられている。フレームのスピンナーテーブル上への設定がズレていると、フレームが規制部に乗り上げ真空吸着力が低下するので、ズレが検出可能である。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理液の再付着を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング９を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズル４およびリンス液ノズル５と、基板Ｗの外方に向かって飛散する処理液の液滴を受け止めるためのスプラッシュガード６とを備えている。支持リング９は、基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、基板Ｗの全周を取り囲んで基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面６１を有している。また、スプラッシュガード６は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの外方において、拡張面６１の全周縁部を上方から覆う環状の上壁部４５を有している。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する疎液性が基板Ｗよりも高い疎液面とされている。 （もっと読む）

【課題】基板からの処理液の排出性を向上させることができ、基板の周囲に飛散する処理液の液滴の粒径を小さくすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する親液性が基板Ｗよりも高い親液面とされている。 （もっと読む）

【課題】ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去する。
【解決手段】ウェハベベル処理部２には、スプレーヘッド部１１、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。スプレーヘッド部１１には、不活性ガス吐出ノズル１２、不活性ガス吐出ノズル１６、薬液・リンス液吐出ノズル１４、薬液・リンス液吐出ノズル１８、及び排出口２９が設けられる。薬液・リンス液吐出ノズル１４は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液或いはリンス液を吐出する。薬液・リンス液吐出ノズル１８は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液或いはリンス液を吐出する。 （もっと読む）

【課題】加工後の被加工物表面の乾燥を防ぐことができ、洗浄工程においてコンタミネーションを充分良好に除去することができる搬送機構を提供する。
【解決手段】加工後の被加工物Ｗを含む被搬送物１９をチャック手段（２６）から洗浄及び乾燥域（１４）へ搬送する搬送機構（５２）に被加工物Ｗを覆う洗浄水貯留部材（４４）を装備する。 （もっと読む）

【課題】支持部材の先端部を基板の下面に当接して基板を略水平姿勢で支持しながら支持部材に押し付けて保持した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において基板保持力を高める。
【解決手段】基板Ｗの保持モードとして、第１保持モードと第２保持モードが設けられている。第１保持モードでは、基板裏面Ｗｂを支持ピンＰＮで支持しながら基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給して基板Ｗを支持ピンＰＮに向けて押圧力Ｆａで押圧するのみであるが、第２保持モードでは、上記押圧力Ｆａに加え、基板裏面Ｗｂより基板Ｗに吸引力Ｆｂを与えている。このように、吸引力Ｆｂを付加した分だけ基板Ｗの保持力を高めることができ、基板Ｗを高速回転させる際にも安定して基板Ｗを保持することができ、その結果、基板処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理条件が変わっても、最適な発振周波数の超音波により、微小気泡を圧壊して基板の最適な処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、微小気泡Ｈを含む液体Ｌ内に基板を浸漬して処理する処理槽２３と、微小気泡Ｈを含む液体Ｌをサンプリングして微小気泡Ｈの粒径の度数分布を計測する微小気泡の粒径度数分布計測器１８と、得られた微小気泡の粒径の度数分布から選択された微小気泡の粒径と固有周波数との相関近似式ＰＬから選択された微小気泡の固有周波数を得る制御部１００と、処理槽２３に配置されて微小気泡Ｈを含む液体Ｌに対して超音波を付与する超音波振動子２０と、制御部１００からの微小気泡Ｈの固有周波数から発振周波数情報を得て、超音波振動子２０を発振周波数で振動させて微小気泡Ｈに超音波を付与させる超音波発振器１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】クランプピンを伝って薬液が機構部に侵入しないウェハステージを提供すること。
【解決手段】本発明のウェハステージ１０は、複数のクランプピン２０によってウェハ３０を載置面に位置決めし、載置面の周囲に形成した複数の凹部１２と、凹部１２の底面１２Ａに対応する下部に配置した回動源１３と、回動源１３を回動させる駆動体１４とを備え、回動源１３の上部に能動側磁石１５を設け、クランプピン２０の内部下部に受動側磁石１６を設け、能動側磁石１５と受動側磁石１６との磁気結合によってクランプピン２０が回動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された不要な薄膜その他の不要物を基板に損傷を与えることなく、効率的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板５０を保持する基板保持部３０と、研磨剤とミストを混合した混合ミストを噴出する噴射部１５と、噴射部１５と前記基板５０とを相対的に移動させる位置制御部２３とを備えており、基板５０の処理対象部に研磨剤を含む混合ミストを噴射（ミスト液を霧状にして研磨剤と一緒に噴射）して、基板５０に形成された不要な薄膜その他の不要物を除去する。 （もっと読む）

【課題】極めて低い濃度に精度良く調整された薬液を、基板に供給することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】混合部材１３には、集合導入管（低濃度薬液流通管）１５と、アンモニア導入管１６、過水導入管１７、塩酸導入管１８および高濃度ふっ酸導入管（高濃度薬液流通管）１９が接続されている。集合導入管１５は大流量の処理液が流通するラインである。集合導入管１５は、低濃度ふっ酸配管３３を介して、タンク３８と循環路３６を構成する循環配管３９の途中部に接続されている。循環配管３９とタンク３８とによって循環路３６が構成されている。循環配管３９の途中部には、温度調節ユニット４１が介装されている。 （もっと読む）