【課題】薬液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。そこで、初期薬液処理（時刻０から時間Ｔ1が経過するまでの間）においてはフッ酸溶液の流量を５１０（ｍＬ／ｍｉｎ）に抑えてフッ酸の使用量を抑制している。一方、初期薬液処理により基板Ｗのシリコン層の少なくとも一部が露出してくるタイミングでフッ酸溶液の流量を１５３０（ｍＬ／ｍｉｎ）に増大させて連続薬液処理中を実行しているため、基板表面Ｗｆの一部にシリコン層が露出して疎水面が形成されたとしてもフッ酸溶液が基板表面Ｗｆ全体をカバレッジしてシリコン酸化膜のエッチング除去を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも基板端面に付着した付着物をスポンジ状ブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、洗浄時に基板Ｗの少なくとも端面に当接される、スポンジ状樹脂からなるブラシ２１と、ブラシ２１を圧縮するブラシ圧縮機構２３ａ，２３ｂ，２４と、ブラシ圧縮機構２３ａ，２３ｂ，２４によるブラシ２１の圧縮力を変化させてブラシ２１による洗浄を制御する制御部３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】
洗浄液を効率的に処理してミストを発生させず、部品交換の必要のない低コストのウェーハ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】
洗浄槽２１と、回転テーブル２２と、洗浄ノズル１４と、回転テーブル２２外周部近傍に設けられたリング２３と、回転テーブル２２の底部外周縁に設けられた複数の板状部材２５とにより、洗浄液を飛散させず、ミストを吸引しながらウェーハの洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物をスポンジ状ブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、洗浄時に基板Ｗの端面を含む周縁部に接触する、スポンジ状樹脂からなるブラシ２１およびブラシ２１をウエハＷに接離させる接離機構２７を有する洗浄機構２０と、ブラシ２１を保持するブラシ保持機構２３とを具備する。ブラシ保持機構２３は、ブラシ２１に接触してブラシ２１の形状を所定の形状に変化させるブラシ形状変化部材２３ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物をブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、洗浄時に基板Ｗの周縁部に接触する周縁部洗浄部２１ｃを有するブラシ２１、ブラシ２１を回転させる回転機構３３，３４、およびブラシ２１をウエハＷに押しつける押しつけ機構２７を有する洗浄機構２０とを具備する。周縁部洗浄部２１ｃは、径方向で洗浄力分布が形成されるように径方向に沿って状態が変化している状態変化部分５２を有する。 （もっと読む）

【課題】テープかすなどの付着物の再付着を招くことなく、付着物を効率良く除去することができ、薄片化された半導体ウェーハの割れを確実に防止することができる付着物排出機構付きクリーナ及びそれを用いたチャックテーブルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ウェーハを吸着するチャックテーブル１５の吸着面１６ａ上に付着している不要な付着物２０を除去する付着物排出機構付きクリーナ１であって、付着物２０を削り取る刃部７ａ及び削り取った付着物２０を捕捉する捕捉部６とを有するクリーナ本体２と、捕捉した付着物２０を吸引して排出する排出手段１０と、を備え、クリーナ本体２内には、チャックテーブル１５の吸着面１６ａ上に付着している付着物２０をクリーナ本体２内に進入させるための開口部８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】第二洗浄機構を被処理体の周縁部の裏面に容易かつ迅速に当接させることと、保持部によって保持された被処理体の周りを囲むカップが設けられている場合には、当該カップの大きさを小さくすること。
【解決手段】処理装置は、被処理体を保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構３０と、第一洗浄機構３０に連結され、被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構４０と、を備えている。第二洗浄機構４０は、揺動軸４５ａを中心に揺動可能となり、第一洗浄機構３０側に揺動されたときに被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部の処理空間の雰囲気を容易に制御し、かつ、水平方向における大きさを小さくし、さらに、ウエハを処理するための処理空間を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａと、保持部１によって保持された被処理体Ｗの裏面側に配置され、被処理体Ｗを経た処理液を貯留する貯留部２３と、を備えている。第一筐体１０および第二筐体２０の各々は一方向に移動可能となり、第一筐体１０と第二筐体２０とが当接および離隔可能となっている。 （もっと読む）

【課題】基板の状態を容易かつ正確に確認することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｗの板面が水平方向に沿うようにして当該基板を回転させながら処理する装置である。基板処理装置１０は、上方に突出した突出部材２２を複数有した回転可能なベースプレート２０を含むテーブル１５と、ベースプレートを回転駆動する回転駆動機構３５と、を備える。テーブルは、突出部材が基板に下方から接触して、当該基板とテーブルとの間に隙間Ｇを形成するようにして基板を回転保持し得る。基板処理装置１０は、基板の中央部Ｗａに対面する位置において隙間にその一端が開放された圧力測定用管路５１と、圧力測定用管路の他端に連結された圧力センサ５３と、を有する圧力監視装置５０を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】リンス液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに第１流量（２（Ｌ／ｍｉｎ））でリンス液を供給して初期リンス工程を実行した後に、第１流量よりも低い第２流量（１．５（Ｌ／ｍｉｎ））でリンス液を基板表面Ｗｆに供給して中間リンス工程を実行しているため、リンス液の使用量を抑えることができる。また、リンス液の流量を低下させる前に大流量のリンス液を用いて基板表面Ｗｆ全体にリンス液の液膜を形成しているため、リンス液流量を低下させている中間リンス工程においてもリンス液を基板表面Ｗｆ全体に広げて基板表面Ｗｆ全体を覆うことができるため、基板表面Ｗｆの部分的な露出を防いで基板表面Ｗｆに対してリンス処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板を安定して保持し得るとともに基板を適切に処理し得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｗの板面が水平方向に沿うようにして当該基板を回転させながら処理する装置である。基板処理装置１０は、上方に突出した突出部材２２を複数有した回転可能なベースプレート２０を含むテーブル１５と、ベースプレートを回転駆動する回転駆動機構３５と、を備える。テーブルは、突出部材が基板に下方から接触して、当該基板とテーブルとの間に隙間Ｇを形成するようにして基板を回転保持し得る。基板処理装置１０は、基板の中央部Ｗａに対面する位置において隙間にその一端が開放された吸引用管路５６と、吸引用管路の他端に連結された吸引機構５８と、を有する圧力調節装置５５をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】載置台とフォーカスリングとの間の隙間をなくし、プラズマの回り込みによる載置台側壁の損傷、及び被処理基板へのパーティクルの付着を回避することができるフォーカスリングを提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容してプラズマ処理を施す収容室１１と、収容室１１内に設けられ、ウエハＷを載置する静電チャック２７とを有するプラズマ処理装置１０の静電チャック２７の上面外周縁部に設けられた環状のフォーカスリング２９であって、環状の周方向に沿って２分割されたフォーカスリング片の組合せ体からなり、フォーカスリング片を、それぞれフォーカスリング２９の中心に向かって付勢するＯリング２９ｄを設けたフォーカスリング。 （もっと読む）

【課題】 裏面研削加工された半導体基板のエッジ周面に固着するシリコン研削屑を除去できる洗浄機器の提供。
【解決手段】 洗浄機器１の中央部に洗浄液貯水槽１３を設け、この貯水槽の中央部に起立して設けられた回転スピンドル１８の周囲に支持フランジ２９を設け、この支持フランジより遊星回転軸２８を前記回転スピンドルに平行して起立して設け、半導体基板の外周縁から中心点に至る距離の直径の基板面拭い具２０を遊星回転軸２８の上方に設け、前記回転スピンドル１を回転駆動させることによりこの基板面拭い具２０を遊星回転させて半導体基板ｗの外周縁から中心点に至る面を遊星回転洗浄する。 （もっと読む）

【課題】洗浄等の半導体ウェーハの処理方法は大口径化に従って、エッジ部分のダメージ増加、洗浄品質維持、洗浄装置の巨大化、スループットの点で十分とは言えない。
【解決手段】半導体ウェーハの表面を撥水化する撥水工程と、酸化性ガスにより表面を親水化する親水工程とを含む半導体ウェーハの処理方法を提供する。該半導体ウェーハの例としてのシリコンウェーハの撥水化処理は、表面の酸化膜除去を行うことを含んでよい。上記親水化の際に若しくはその前にウェット化又は湿潤化工程を含んでもよい。酸化性ガスは、酸素を含むガス、水蒸気を含むガス、その他半導体ウェーハの表面を酸化できるものを含んでよい。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】ミストの漏洩防止および排気が十分になされ、加工装置が備える他の機器や部品へのミストによる悪影響を防止する。
【解決手段】ケーシング２０内の洗浄室２１に設けたスピンナテーブル３０にウェーハ（ワーク）Ｗを保持し、ケーシング２０上方の開口をフラップ２５で閉じ、洗浄室２１内を密閉した状態で、スピンナテーブル３０を回転させ、洗浄水供給ノズル５０から、回転するウェーハＷの上面に洗浄水を供給して洗浄するスピンナ洗浄装置１において、洗浄室２１内の、スピンナテーブル３０の保持面３０Ａよりも上方に配したエアブロワ７０から下向き、かつスピンナテーブル３０の回転方向に沿った方向に空気を噴出させて、発生するミストを下方におさえ込み、ケーシング２０の下部に接続した排気管６０からミストを外部に排出する。 （もっと読む）

【課題】良品率を向上し、かつ半導体製造装置への処理液・洗浄液による汚染を防ぐこと。
【解決手段】リブウェハ１００を、おもて面を下にしてウェハ保持機構２０に保持させ、リブウェハ１００の中央部３の中心付近を回転の中心Ｏとして回転させる。そして、この状態で、リブウェハ１００の裏面側のリブ部４の表面の内周端部にエッチング液５０を滴下する位置に設置されたノズル１０から、エッチング液５０を滴下する。このようにして、リブウェハ１００におけるリブ部４の表面の内周端部を選択的にエッチングして、リブ部４の内周側の側壁に傾斜面または曲面を形成する。そして、リブウェハ１００に洗浄液を滴下した後に、バッチ式乾燥装置または枚葉式乾燥装置によって、リブウェハ１００を回転させて、乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に液体が付着することを防止しつつ基板の裏面を十分に洗浄することが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して遮断板５２５と基板Ｗとの間にＮ_２ガスが供給される。その状態で、洗浄ブラシ６３０がモータ６３５によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】２００μｍ以下の薄いウエハの一方の主面にＡｌ系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ２０の一方の主面側に所要の半導体領域２１、２２の形成後、該半導体領域２１、２２に対応させて、厚さ２００μｍ以下のウエハ２０にＡｌを主成分とし少なくともＳｉを含むＡｌ系合金電極膜２５を形成する際に、該電極膜２５のパターニング後に、Ｓｉを含む残渣除去を少なくともフッ硝酸と希フッ酸をこの順に２段階による枚葉式スピンエッチン方式で除去する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ３の天面付近の側壁には、給気ユニット４１が配置されている。給気ユニット４１の給気口４３からは、側壁２に沿って水平方向に流れるクリーンエアが、処理チャンバ３内に供給される。処理チャンバ３内の雰囲気は、処理チャンバ３の底部に配置された排気ユニット５１，５２の排気口５３，５４から斜め下方に向けて吸い込まれて排気される。給気ユニット４１，４２から、処理チャンバ３の内部にクリーンエアが供給されるとともに、排気ユニット５１内が強制的に排気されると、処理チャンバ３内に、カップ５のまわりを周回しながら下降する渦状の気流が形成される。 （もっと読む）