【課題】大型化することなく、処理室内からの処理流体を含む排気を、所望の個別排気管に良好に導くことができる基板処理装置を提供すること。また、３つの個別排気管が全て閉塞することを確実に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室からの排気が集合管４５に導入される。排気切換器５０は、集合管４５から排気が導入される排気導入室５４と、排気導入室５４の内部に回転可能に設けられた回転板５５とを備えている。排気導入室５４の側壁５９には、３つの導出接続孔６２，７２，８２が、回転軸線Ｃを中心とする円周上に等角度間隔に貫通して形成されている。各導出接続孔６２，７２，８２には、個別排気管６０，７０，８０の上流端が接続されている。回転板５５の回転軸線Ｃまわりの回転に伴って、選択孔４９が３つの導出接続孔６２，７２，８２と順に対向する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、下地に与える影響を抑制することができるとともにレジストの剥離性を向上させることができるレジスト剥離装置およびレジスト剥離方法を提供する。
【解決手段】被処理物に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、前記レジストに亀裂液を供給する亀裂液供給手段と、前記レジストに供給された亀裂液を乾燥させて前記レジストに亀裂を発生させる乾燥手段と、前記亀裂が発生したレジストに剥離液を供給する剥離液供給手段と、を備えたことを特徴とするレジスト剥離装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕダマシン多層配線構造におけるセミ・グローバル配線の形成方法において、ダマシン配線構造を形成する際、ドライ・エッチングによりビア底のエッチ・ストップ絶縁膜を除去した後、ビア底表面上のカーボン系堆積物等を抑制する為に、窒素プラズマ処理を行うことが一般的である。その後、連続放電によって窒素プラズマ除電を行ってウエハ搬送するシーケンスを実行すると、ビア・チェーン終端部にて、ある閾値以上の長さを有するパッド引き出し配線に接続された終端部のビア底で、Ｃｕえぐれが発生ことが、本願発明者らの検討によって明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ダマシン・セミ・グローバル配線等のビア・ホール形成工程において、ビア底エッチ・ストップ膜に対するドライ・エッチング処理後、同処理室内で行われる窒素プラズマ処理に引き続いて、アルゴン・プラズマによる除電処理を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】 流体量や流体圧の増加を必要とせずに、短時間で効率的に被洗浄物の全面を洗浄可能なスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】 被洗浄物を保持する保持面を有し回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段とを備えたスピンナ洗浄装置であって、前記洗浄流体供給手段は、アームと、該アームの先端に移動可能に配設されて洗浄流体を前記保持面に向かって噴射する洗浄流体噴射ノズルと、該洗浄流体噴射ノズルに洗浄流体を供給する配管と、前記スピンナテーブルに保持されて所定速度で回転される被洗浄物に対して、該アームの先端が該スピンナテーブルの回転中心を通るように該アームを揺動させる揺動手段と、該洗浄流体噴射ノズルを該保持面と平行な面において第１の方向へと移動させる第１移動手段と、該洗浄流体噴射ノズルを該保持面と平行な面において該第１の方向と直交する第２の方向へと移動させる第２移動手段と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上下に分割されて上側のカップが昇降自在なカップ内にて基板を回転させながら、液処理を行う液処理装置において、上下のカップの間からミストが外部に飛散することを防止できる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを吸着保持するスピンチャック１と、ウエハＷに現像液を供給する現像液ノズル１４及び洗浄液を供給する洗浄液ノズル１５と、スピンチャック１の側方を覆うように設けられ、下カップ４と、昇降自在な上カップ３とを組み合わせて構成されたカップ体２と、上カップ３が上昇したときに下カップの屈曲部４２が嵌入するように全周に亘って形成され、洗浄液を貯留するための溝部３２と、ウエハＷの回転によって振り切られた洗浄液を溝部３２に案内する液受容槽３４及び貫通孔３８と、を備え、溝部３２に貯留された洗浄液により、下カップ４と上カップ３との間を気密にシールしてカップ体２からミストが漏れ出すことを防止する。 （もっと読む）

【課題】装置設計、コスト、メンテナンス等の負担を軽減し、洗浄工程に要する時間を軽減することが可能な、噴射蒸気により被洗浄物の洗浄を行なうスチームジェット用ノズルを提供する。
【解決手段】ノズル本体１０は、蒸気室１２と、空気室１４と、蒸気室１２に通じる蒸気入力口１５と蒸気噴射口１６と蒸気排気口１７と、空気室１４に通じる空気入力口１８とを有し、蒸気室内１２には、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を有し、空気入力口１８から入力される圧縮空気により、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を制御し、洗浄処理時には、蒸気入力口１５から入力された蒸気を、蒸気噴射口１６から噴出させ、待機時には、蒸気排気口１７から排気させる。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面洗浄を確実に行うことができる洗浄方法、塗布方法、現像方法及び回転処理装置を提供する。
【解決手段】一方面に基板１を周縁部が突出した状態で保持すると共に、前記一方面３の面内方向で回転される回転部材２１と、前記回転部材２１に設けられて洗浄液１００を前記基板１の前記回転部材２１に保持された保持面２側に供給する洗浄ノズル２６と、前記洗浄ノズル２６に前記洗浄液１００を供給する洗浄液供給部２７と、を具備する回転保持治具２０を用いて、前記基板１を回転させながら前記洗浄ノズル２６から前記基板１の前記保持面２ａに前記洗浄液１００を供給して、前記基板１の前記保持面２ａを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制して信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室と連通して水平方向に接続されこの処理室内のガスが通る排気用の空間と、この空間に連通し前記排気されるガスが排出される排気口と、この排気口と連通して配置され前記ガスを排気するためのポンプと、前記排気用の空間の内部で前記処理室との接続部と前記排気口との間に配置されこれらの間を結ぶ方向に沿って延びる板部材であって、前記試料台の上面からの見込み角外に配置された板部材とを備えた。 （もっと読む）

【課題】処理ガスや反応生成物が基板の外周側縁部の上側に滞留するのを防止したり、基台にバイアス電位を均一にかけることができるプラズマ処理装置などを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に配設され、基板Ｋが載置される基台と、処理ガスを供給するガス供給装置と、供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置４０と、基台の電極１７に高周波電圧を印加する高周波電源４５と、環状且つ板状に形成され、基台上に載置された基板Ｋの外周側縁部上面を内周側縁部により覆う保護部材２５と、基台を駆動して、基台上の基板Ｋが保護部材２５により覆われる保護位置と覆われない退避位置との間で昇降させる駆動装置２３とを備えており、保護部材２５は、基台が保護位置に移動したときに、基板Ｋの上面から保護部材２５の上面までの高さが１ｍｍ以上５ｍｍ以下となる板厚に形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３の周囲を取り囲む有底筒状の処理カップ６と、スピンチャック３および処理カップ６を収容する処理室２と、処理室２内に清浄空気を供給して、処理室２内に清浄空気の下降気流を形成するＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１１と、処理カップ６内の雰囲気を排気するための吸引機構３３と、処理カップ６の周囲において処理室２内を上下に仕切る仕切板７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】洗浄時におけるウエーハの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウエーハＷの直径よりも小さい直径で保持面１４を囲むように保持部１１上面に環状に形成された溝部１６と、一端が溝部１６に連通し他端が大気に開放されるように保持部１１に形成された連通路１７とを備えることで、保持面１４からの負圧吸引漏れによって吸着面に吸い込まれる雰囲気を、連通路１７で開放された大気の雰囲気とし、溝部１６より外周側におけるウエーハＷ裏面と保持部１１上面との間からの吸い込み雰囲気を全周に亘って均等に低減させるようにし、よって、洗浄時におけるウエーハＷの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制できるようにした。 （もっと読む）

【課題】純水よりも揮発性の高い揮発性処理液の液膜を基板上から除去して基板を乾燥させるときに、乾燥不良が発生することを抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】水平に保持された基板Ｗの上面に純水よりも揮発性の高い揮発性処理液の一例であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給して、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜を形成する。そして、基板Ｗ上にＩＰＡの液膜を保持させた状態で基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Ｗを回転させて基板Ｗ上からＩＰＡの液膜を除去する。このとき、基板Ｗの上面中央部に不活性ガスの一例である窒素ガスを吹き付けながら、基板Ｗの上面における中央部以外の前記回転軸線から一定距離離れた所定位置Ｐ１にＩＰＡを着液させる。 （もっと読む）

【課題】 流体量や流体圧の増加を必要とせずに、短時間で効率的に被洗浄物の全面を洗浄可能なスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】 被洗浄物を保持する保持面を有し回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段とを備えたスピンナ洗浄装置であって、前記洗浄流体供給手段は、洗浄流体供給源に接続されたアームと、前記アームの先端に配設されて洗浄流体を前記保持面に向かって噴射する洗浄流体噴射ノズルと、前記スピンナテーブルに保持されて所定速度で回転される被洗浄物に対して、該アームの先端が該スピンナテーブルの回転中心を通るように該アームを揺動させる揺動手段とを含み、該洗浄流体噴射ノズルは、該アームの先端にロータリージョイントを介して配設され、該保持面と平行な面において該ロータリージョイントを中心に回転可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塗布ノズルから基板への液垂れの発生を抑えること。
【解決手段】 前記塗布ノズル５が待機するために、互いに隣接する液処理部３Ａ〜３Ｃ同士の間に中間待機位置６２，６３を設定し、各液処理部３Ａ〜３Ｃに搬入されたウエハＷに対して塗布液の供給を行うために、予め決められたウエハＷの搬入順序に沿って、前記塗布ノズル５を各液処理部３Ａ〜３Ｃの塗布位置に順次移動させると共に、塗布液の供給が終了した第１の液処理部と、次に塗布液の供給を行う第２の液処理部との間に、塗布液の供給が行われたウエハＷが置かれた第３の液処理部が介在するときには、そのウエハＷが当該第３の液処理部から搬出されるまで、前記第１の液処理部と第３の液処理部との間の中間待機位置で前記塗布ノズル５を待機させるようにその駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のガード１４〜１７と、各ガード１４〜１７を個別に昇降させる昇降機構４０〜４３と、制御部１０とを備えている。各ガード１４〜１７は、スピンチャック２の周囲を取り囲む筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａと、筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａの上端部全周から内方に延びる環状の延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂとを有している。各延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、他の延設部と内径Ｄ１が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部１０は、いずれのガード１４〜１７を基板Ｗの周端面に対向させるときでも、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの内周部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃの高さが等しくなるように昇降機構４０〜４３を制御する。 （もっと読む）

【課題】研削加工後の被加工物を吸引保持して洗浄手段に搬送した後に、被加工物を吸引保持パッドから剥離する際に吸引保持パッドに吸引されている研削水が周囲に飛散しないようにした搬出手段を備えた研削装置研削装置を提供する。
【解決手段】被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に吸引保持された被加工物を研削する研削手段と、チャックテーブル上で研削された加工後の被加工物を洗浄する洗浄手段と、チャックテーブル上で研削された被加工物を洗浄手段に搬出する被加工物搬出手段とを具備する研削装置であって、被加工物搬出手段は下面に被加工物を吸引保持する吸着面を有する吸引保持パッドと、吸引保持パッドを一端部に支持する搬送アームと、搬送アームの一端部に吸引保持パッドを懸垂状態で弾性支持する支持手段と、搬送アームの一端部に装着され吸引保持パッドの外周を覆う遮蔽部材とを具備している。 （もっと読む）

【課題】高周波電力を伝送する伝送線路上に発生するプラズマからの高調波による定在波を低減し、プロセスの再現性および信頼性を確保する。
【解決手段】処理ガス供給装置を備えた処理容器３７と、該処理容器内に配置され、処理ガスにプラズマ生成用高周波電源からの高周波エネルギを供給してプラズマを生成するアンテナ３８と、前記処理容器内に配置された基板電極１を備え、前記基板電極にイオン引き込み用高周波電圧を供給して前記プラズマ中のイオンを加速して前記基板電極上に載置した試料にプラズマ処理を施す処理装置において、ケーブル９ａ，９ｂ，９ｃの長さを切り換えるケーブル長切換手段１５ａ，１５ｂと、基板電極側からの反射波を検出する反射波検出手段１３と、前記ケーブル長切換手段を制御する切換制御手段１４を備え、プロセス処理に先立って前記ケーブル長をプロセス条件毎に予め設定した長さに切換えて前記反射波の高調波レベルを抑制する。 （もっと読む）

【課題】誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ボトル７０を設置するキャビネット６０を備える。キャビネット６０は、フレーム６１により、Ｙ軸方向に沿って複数の設置区画に区分されており、各設置区画には処理液を収容した収容容器７０が設置される。また、設置区画には読取部８１が埋設されており、ボトル７０の底面には内容物に関するボトル情報を記憶したＩＣタグシール８２が貼付されている。基板処理装置１００は、ボトル７０が設置区画に設置された状態で、読取部８１によりＩＣタグシール８２からボトル情報を読み取る。そして、基板処理装置１００は、取得したボトル情報を、各設置区画に設置されるべきボトル７０について、予め登録されている情報と照合することにより、設置されているボトル７０の適否を判定する。 （もっと読む）

【課題】仕上げ研磨の後行うシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１８の粗研磨を経て行われる仕上げ研磨の後、前記シリコンウェハの表面に酸化膜２２を形成し、前記酸化膜２２の除去により前記表面上の不純物を除去するシリコンウェハ１８の洗浄方法であって、前記酸化膜２２の除去は、前記仕上げ研磨時に前記シリコンウェハ１８の研磨面に形成される加工変質層２２が酸化膜除去工程により除去されるまで行う。 （もっと読む）

【課題】基板上の半導体デバイスにおける絶縁膜の劣化を防止するとともに、容易に製造することができる載置台を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０の載置台１２は、第１の高周波電源２８及び第２の高周波電源２９に接続される下部電極２０と、該下部電極２０の上面中央部分において埋設される誘電体層２１と、該誘電体層２１の上に載置される静電チャック２２と、ウエハＷ及び誘電体層２１の間に配される導電膜４５とを有し、該静電チャック２２は電極膜３７を有し、導電膜４５は条件「δ_１／ｚ_１≧８５」及び条件「ρ_ｓ１≦２．６７×１０^５Ω／□」を満たし、電極膜３７は条件「δ_２／ｚ_２≧８５」を満たす。但し、ｚ_１：導電膜４５の厚さ、δ_１：導電膜４５のスキンデプス、ρ_ｓ１：導電膜４５の表面抵抗率、ｚ_２：電極膜３７の厚さ、δ_２：電極膜３７のスキンデプス。 （もっと読む）