【課題】スループットの向上が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、互いに並列に設けられたインデクサブロック１０、第１の処理ブロック１１および第２の処理ブロック１２からなる。インデクサブロック１０には、インデクサロボットＩＲが設けられている。第１の処理ブロック１１には、第１のメインロボットＭＲ１が設けられている。第２の処理ブロック１２には、第２のメインロボットＭＲ２が設けられている。インデクサブロック１０と第１の処理ブロック１１との間には、複数の基板Ｗを同時に反転させるための反転ユニットＲＴ１ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２とを備えた移動機構１５０とを有している。第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部１１１の外周部を保持して鉛直方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の基板サセプタに配置されるフォーカスリング付設の誘電性リングを交換することなくその誘電率を調整できるようにすることで，基板周縁部の印加電圧のばらつきを抑え，フォーカスリングの上面電位を所望の値に制御する。
【解決手段】基板Ｗを載置する基板載置部を有し，高周波電力が印加されるサセプタ１１４と，基板載置部に載置された基板の周囲を囲むように配置され，基板より高い上面を有する外側リング２１４と，該外側リングの内側に延在して基板の周縁部の下方に入り込むように配置され基板より低い上面を有する内側リング２１２とによって一体に構成されたフォーカスリング２１０と，該フォーカスリングと前記サセプタとの間に介在する誘電性リング２２０と，該誘電性リングの誘電率を可変する誘電率可変機構２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１疎水化剤が基板に供給されることにより、基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第１疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０７）。そして、第１疎水化剤とは異なる第２疎水化剤が基板に供給されることにより、溶剤が第２疎水化剤に置換され、基板の表面がさらに疎水化される（Ｓ１０８）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第２疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０９）。そして、溶剤が基板から除去されることにより、基板が乾燥する（Ｓ１１０）。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１は、剥離処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送する第１の搬送装置２０とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０と、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。 （もっと読む）

【課題】ワークへの保護膜形成やワークからの保護膜除去の際に、当該処理に伴い発生する保護膜成分を含む液滴のワーク搬送機構等の可動部への飛散を抑え、可動部の固着を防止すること。
【解決手段】レーザー加工装置１は、上面に開口部２７を有する筐体２８と、ウェーハＷを保持すると共に筐体２８内部に収容可能な保護膜形成・除去用テーブル２６と、筐体２８内部に設けられたウェーハＷの被加工面を洗浄する洗浄用ノズル３２と、ウェーハＷの洗浄の際に開口部２７を覆うシャッター機構３０とを備える。シャッター機構３０は、開口部２７を被覆可能なシート部材３３と、シート部材３３が巻回される巻回ローラ３４と、シート部材３３の先端部を保持し、筐体２８上面に設けられた一対のガイドレール３５、３５上を、開口部２７を開放する開放位置と開口部２７を閉塞する閉塞位置との間でスライド可能なシート部材保持部３６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板に疎水化剤が供給され、当該基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４，Ｓ１０８）。その後、基板が乾燥される（Ｓ１１０）。処理対象の基板は、疎水化されてから乾燥するまで水が接触しない状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】処理モジュールに処理液を共通の塗布ノズルを用いて供給するときに、複数準備される薬液ノズルの処理液供給配管同士の擦れを防ぎ、同時に塗布ノズルを把持して移動するときにノズル搬送アームへの無用な負荷を掛けないようにすること。
【解決手段】処理液供給ノズル１０を接続し、上部に第１の把持穴４０を設けるノズルブロック部１７と、上部に第２の把持穴２５を設ける把持用ブロック部１８と、両ブロック部を直状に接続する接続管１９と、を備える。処理液供給ノズルに連通される処理液供給管２１は、接続管の中に配管され、ノズル把持アーム１２は、第１の把持穴及び第２の把持穴にそれぞれ嵌合可能な第１及び第２の把持用凸部４１，４２を備え、ウエハＷの上方に処理液供給ノズルを移動する際は、ノズルブロック部の第１の把持穴と把持用ブロック部の第２の把持穴にそれぞれ第１及び第２の把持用凸部を同時に嵌合して把持した状態で移動させる。 （もっと読む）

【課題】スピンナ乾燥時にチャンバー内に発生する気流に淀みを生じさせることのないスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】洗浄水供給手段６２は、ウエーハＷを洗浄する洗浄位置と退避位置との間で移動する駆動手段に接続された回転軸６６と、該回転軸６６と一体的に連結され水平方向に伸長するアーム６８と、該アーム６８の先端に形成され該スピンナテーブル３８に保持されたウエーハＷに洗浄水を噴射する洗浄水噴射ノズル７０とを含み、該環状外周側壁４８ａには、該洗浄水供給手段６２を退避位置に位置づけた際、該洗浄水供給手段６２を収容する収容開口部７１が形成されており、該洗浄水供給手段６２には、該洗浄水供給手段６２が該収容開口部７１に収容された際、該収容開口部７１を閉塞する閉塞カバー７２が配設されている。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時に洗浄水受け容器の内側にコンタミを含む水滴が付着することのないスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを吸引保持して回転するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持されたウエーハに洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、該スピンナテーブルを囲繞する環状外周側壁と環状内周側壁と底壁とを有する洗浄水受け容器と、該洗浄水供給手段を該スピンナテーブルに保持されたウエーハを洗浄する洗浄位置と退避位置との間で移動する駆動手段と、該洗浄水受け容器の底壁に接続され該洗浄水受け容器内のエアを排気する排気手段とを備えたスピンナ洗浄装置であって、該洗浄水受け容器の内側に親水性処理が施されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回転するウェーハの表面に噴射されミスト状に飛散した洗浄水及び洗浄屑が、ウェーハ表面上に再付着することのない洗浄装置を提供する。
【解決手段】回転テーブル３の上面に対向する位置に強制給気手段５を設け、回転テーブル３の外周を囲繞し回転テーブル３の上面と同じ高さ位置またはその上面より低い位置に環状排気手段７を配設し、環状排気手段７から吸引排気することにより、洗浄チャンバー２内において強制給気手段５から環状排気手段７に向かうダウンフロー１００を発生させ、ダウンフロー１００を利用して洗浄時に飛散したミスト状の洗浄水及び洗浄屑を効果的に環状排気手段７から排気し、ミスト等の被洗浄物Ｗの表面への再付着を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、ろ過効果を高めることが可能な薬液供給システムを提供する。
【解決手段】開示される薬液供給システムは、薬液を貯留する第１の容器および第２の容器と、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第１の配管に設けられ、第１の容器に貯留される薬液を第２の容器へ流す第１のポンプと、第１の配管に設けられ、第１の容器から第２の容器へ向かって第１の配管内を流れる薬液をろ過する第１のフィルタと、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第２の配管と、第２の配管に設けられ、第２の容器に貯留される薬液を第１の容器へ流す第２のポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくし、静電破壊を抑制する。
【解決手段】ワーク１を支持する支持面４２１に負圧を伝達する多孔質体からなる吸着部４２と、絶縁性を有する部材で形成された枠体４１とを有するワーク支持部４０と、ワーク支持部４０を回転可能に支持する回転支持部５０と、回転支持部５０とワーク支持部４０との間に形成された軽量化空間４３と、吸着部４２と負圧を発生させる負圧源８０とを連通させる吸引経路７０Ａとを有し、吸引経路７０Ａは軽量化空間４３と連通しない構成とする。ワーク支持部４０を厚くして絶縁距離を大きくして帯電を抑えることができ、軽量化空間４３を有することから重量増を招かない。 （もっと読む）

【課題】基板に薬液を滴下し、基板を回転することによって基板を処理する基板処理装置であって、当該基板処理装置内の環境を大きく乱すことなく浮遊ミストを低減することが可能な基板処理装置およびこれを備える塗布現像システムを提供する。
【解決手段】基板に薬液を滴下し、基板を回転して基板を処理する基板処理装置が開示される。この基板処理装置は、基板の裏面を保持する基板保持部と、基板保持部を回転する基板回転部と、基板保持部に保持される基板に薬液を滴下する薬液滴下部と、凹形状を有し、基板保持部に保持される基板を囲むように設けられるカップ部と、基板保持部に保持される基板とカップ部の内周面との間に配置される吸気ポートと、基板回転部により駆動されるとともに、吸気ポートと連通して吸気ポートより吸引される気体を基板保持部の下方の空間に吐出する気体吐出部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の一方面中央部を保護しつつ基板に処理を施すことができるとともに、回転軸線方向に異なる複数の位置で所定の回転処理を基板に良好に施すことが可能な基板保持回転装置および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３は、ウエハＷの下面中央部を支持するためのセンターチャック７と、ウエハＷの下面周縁部を支持するための外周リング部材８と、ウエハＷの下面周縁部と外周リング部材８との間をシールするための第１シール部材９とを備える。吸着ベース１０は昇降モータによって、処理位置と、下面リンス位置と、取合位置との間で昇降されるようになっている。吸着ベース１０の上面１０ａには、吸引口２６と吸引溝２７とが形成されている。吸引溝２７には、吸着ベース１０の側面に開口するオリフィス３０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板の厚みにかかわらず、その少なくとも一方表面の周縁領域および周端面を良好に洗浄することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】ブラシ１６は、略円板状の胴部２７と、先端側に向けて拡がる略円錐台状の第１周端面当接部２８と、先端側に向けて拡がる略円錐台状の第２周端面当接部７２とを備えている。胴部２７の先端側の端面における第１周端面当接部２８の周囲の円環帯状の部分が、基板の一方表面の周縁領域に当接する第１洗浄面２９Ａとなっている。第１周端面当接部２８の側面が、基板の周端面に当接する第２洗浄面２９Ｂとなっている。第１周端面当接部２８の大径側端面における第２周端面当接部７２の周囲の円環帯状の部分が、基板の一方表面の周縁領域に当接する第３洗浄面７４Ａとなっている。第２周端面当接部７２の側面が、基板の周端面に当接する第４洗浄面７４Ｂとなっている。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）