【課題】 ウェーハ端面に接触する回転ブラシを用いることなく、ウェーハ端面の付着異物などを除去し得る洗浄技術を提供する。
【解決手段】 超音波洗浄液供給ユニット２０は、ウェーハ１の端部を包み込む溝状の壁面２２ｃを有する。超音波洗浄液供給ユニット２０をその壁面２２ｃがウェーハ端面に近接するように配置し、ウェーハ１の回転中に、壁面２２ｃに連通する吐出口２５からウェーハ端面に向けて、超音波振動が与えられた洗浄液を吐出する。超音波洗浄液供給ユニット２０の壁面２２ｃとウェーハ１の端面との間に、超音波振動する洗浄液の膜２６が形成される。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 （もっと読む）

【課題】デバイス領域に対応する裏面に円形凹部を有するウエーハの洗浄装置を提供する。
【解決手段】デバイス領域１７に対応する裏面に円形凹部３１と該円形凹部３１の外周側に環状補強部３３が形成されたウエーハ１１の該円形凹部３１を洗浄するウエーハ洗浄装置であって、回転チャックテーブル４６上に保持したウエーハの該円形凹部３１の底面に当接し回転する円盤状洗浄パッド８４を有する洗浄手段と、該洗浄パッド８４が該環状補強部３３の高さより高く位置づけられ退避位置との間で該洗浄手段を移動する上下駆動手段８０と、該洗浄位置に位置づけられた該洗浄パッド８４を水平揺動させる水平駆動手段７０とを具備し、該水平駆動手段７０によって該洗浄パッド８４が往復移動する距離と該洗浄パッド８４の直径の合計が、該円形凹部３１の半径より大きく直径以下であり、該洗浄パッド８４の中心が該円形凹部３１の中心を通って移動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面をスピン洗浄するにあたり、基板上に残存する水滴を低減し、例えば露光後の加熱処理時における水滴あるいはウオータマークによる加熱むらを抑えること。
【解決手段】 洗浄液ノズル５の吐出口よりもウエハＷの回転方向における下流側に洗浄液を拘束する液押さえ面部を設ける。具体的には洗浄液ノズル５の底面７０は長方形状に成形され、底面７０にはスキャン方向前方に向けて開いている概ねＶ字状の凹部７１が形成されると共に凹部７１の天井面７２における根元側に吐出口７３が形成される。洗浄液ノズル５からの洗浄液の供給位置を基板の中央部から周縁に向かって移動させると、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液は、液押さえ面部により拘束されて液の塊ができるので、低回転でも遠心力が大きくなってその液の塊が外に向かう作用が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上に貢献すると共に、大気雰囲気にパターンを露出せずに超臨界流体による処理を行うことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄槽２１は、基板Ｗを収容し、洗浄液を通流させて当該基板Ｗを洗浄し、処理容器２２は、この洗浄槽２１を収容し、前記基板Ｗに対して超臨界流体による処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(Ｗ)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくし、静電破壊を抑制する。
【解決手段】枠体４１１の上面に吸着部４１２が嵌合され、吸着部４１２の上面が保持面４１３とされたスピンナテーブル４１と、スピンナテーブル４１を回転可能に支持する回転ベース４２とからなるワーク保持装置４０において、吸着部４１２と枠体４１１をともにフッ素樹脂等の絶縁体で形成し、回転ベース４２をアルミニウム等の導体で形成する。導体であるウェーハ１と回転ベース４２との間に絶縁体のスピンナテーブル４１を挟んだコンデンサ構造を有し、間の絶縁体すなわちスピンナテーブル４１の厚さを大きくしてウェーハ１への帯電を抑える。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の洗浄効率を向上させること。
【解決手段】基板２を回転させるための基板回転手段１９と、回転する洗浄体３２で基板２の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段２１と、基板２に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段２２とを有する基板液処理装置を用いて、回転する基板２の周縁部に回転する洗浄体３２を接触させて、洗浄液で洗浄するときに、基板回転手段１９による基板２の回転方向と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転方向とを反対方向として、基板２と洗浄体３２とが接触する洗浄部分での基板２と洗浄体３２の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段１９による基板２の回転速度と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜３．５：１の範囲となるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極５に第１の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第１の高周波電力より周波数の低い第２の高周波電力をウエハＷの下部電極４に印加するプラズマ処理装置１を用いて、下部電極４上に載置されたウエハＷの端部に付着した堆積物Ｄを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を４００〜８００ｍＴｏｒｒに設定し、下部電極４からウエハＷを離した状態で上部電極５によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする （もっと読む）

【課題】移動電極及び筒状容器の一方の端壁の間の空間におけるプラズマの発生を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容する筒状のチャンバ１１と、該チャンバ１１内においてチャンバ１１の中心軸に沿って移動自在なシャワーヘッド２３と、チャンバ１１内においてシャワーヘッド２３に対向するサセプタ１２と、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の蓋１４を接続する伸縮自在なベローズ３１とを備え、シャワーヘッド２３及びサセプタ１２の間に存在する処理空間ＰＳに高周波電力が印加されるとともに処理ガスが導入され、シャワーヘッド２３及びチャンバ１１の側壁１３は非接触であり、シャワーヘッド２３及び蓋１４の間に存在する上部空間ＵＳに第１のキャパシタ層３２及び第２のキャパシタ層３３が配設される。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】 振動体を用いるスピン洗浄（及びその装置）の洗浄時間を短くすること。
【解決手段】 回転中の基板の表面に供給される洗浄液に浸され状態で、前記洗浄液に超音波を照射する照射面を有する振動体と、前記振動体に固定され、前記超音波を発生する超音波振動子とを具備する超音波照射ユニットと、前記超音波照射ユニットが取り付けられ、少なくても前記表面に垂直な方向に往復運動する可動部を有する第１の往復運動ユニットとを具備すること。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】噴射ノズルおよび噴射ノズルを揺動する支持アームの汚染を防止することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に水溶性の保護膜が被覆されたウエーハをスピンナーテーブルに表面を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転するとともに洗浄水噴射ノズルから洗浄水をウエーハの表面に向けて噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで移動することにより、ウエーハの表面に被覆された保護膜を洗浄し除去するウエーハの洗浄方法であって、洗浄水噴射ノズルを支持し洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで揺動する支持アームが、揺動範囲において洗浄水噴射ノズルよりスピンナーテーブルの回転方向上流側に位置するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理部が搬送路に沿って配列されている場合でも、基板搬送時間の増加を抑制または回避することができる基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、複数の処理ユニット６と、シャトルＳＴと、メインロボットＭＲと、ＭＲ移動機構７と、シャトル移動機構とを含む。複数の処理ユニット６は、それぞれ基板Ｗを１枚ずつ処理するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って配列されている。また、シャトルＳＴは、基板Ｗを待機させておくためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。また、メインロボットＭＲは、シャトルＳＴと各処理ユニット６との間で基板Ｗを搬送するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。シャトル移動機構は、搬送路Ｃ１に沿ってシャトルＳＴを移動させる。また、ＭＲ移動機構７は、搬送路Ｃ１に沿ってメインロボットＭＲを移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】基板載置部を備えた基板保持部材に基板を載置して吸着保持するにあたって、基板との摺動による基板載置部の劣化を抑えることのできる基板保持部材を提供すること。また、基板載置部上の基板の表面に対して上方側から処理液を供給して液処理を行う場合には、処理液による基板載置部の劣化を抑えること。
【解決手段】テーブル１１を構成する樹脂内にその端部がテーブル１１の表面から外側に突き出るように成形されたカーボンファイバー２４が埋設されるように、少なくともウェハＷを吸着保持する保持面を覆うようにダイヤモンドライクカーボン膜２５を成膜する。また、テーブル１１上に吸着保持したウェハＷの表面に処理液を供給して液処理を行う場合には、ウェハＷの表面と連通するテーブル１１の側周面及び裏面にフッ素を含むダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）