【課題】超臨界状態を実現するために必要な圧力よりも低い圧力環境下で、基板Ｗに設けられたパターンを倒壊させることなく基板Ｗを乾燥できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理ユニット３０は、主に、乾燥処理チャンバ３１、二酸化炭素供給機構３２、第１窒素供給機構３３、液体窒素供給機構３４、第２窒素供給機構４４、及び排出機構３５を備える。置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。乾燥処理チャンバ３１内が、液体窒素供給機構３４により冷却されることで液体二酸化炭素は固体二酸化炭素へと凝固する。そして排出機構３５により、乾燥処理チャンバ３１内を大気圧に戻すとともに、第１窒素供給機構３３が気体窒素を供給することで昇温され、基板Ｗ表面の液体は昇華する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】処理液を含む雰囲気の漏洩を抑制または防止するとともに、排気量を低減することができるポットおよびこのポットを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、薬液を吐出する薬液吐出口３ａを有する薬液ノズル３と、待機位置Ｐ１３に配置された薬液ポット５とを含む。薬液ポット５は、薬液吐出口３ａが配置される内部空間Ｓ１を区画するハウジング２５と、内部空間Ｓ１を仕切る仕切部材２６とを含む。ハウジング２５は、薬液ノズル３が挿入される挿入口２７と、挿入口２７より下方に配置された排出口２８とを有している。また、仕切部材２６は、挿入口２７と排出口２８との間の高さで内部空間Ｓ１を上方空間Ｓ２と下方空間Ｓ３とに仕切っている。仕切部材２６は、上方空間Ｓ２と下方空間Ｓ３とを接続する接続口３０を有している。 （もっと読む）

【課題】沸点付近のリン酸水溶液を含む処理液を基板に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】リン酸、硫酸、および水が、第１タンク１５からスピンチャック２に保持された基板Ｗに至る処理液の流通経路Ｘ１に供給される。これにより、リン酸、硫酸、および水の混合液が生成される。また、硫酸を含む液体と水を含む液体とが流通経路Ｘ１において混合され、リン酸、硫酸、および水の混合液の温度が上昇する。スピンチャック２に保持された基板Ｗには、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液が供給される。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しつつ加熱する基板処理装置および基板処理方法において、基板の熱均一性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】基板の前端面が高温加熱プレート１０の上流側端部を通過するときに、基板を高速で搬送する。その後、基板を低速で搬送し、基板の後端面が高温加熱プレート１０の下流側端部を通過するときに、再び基板を高速で搬送する。基板の前端面および後端面は、高温加熱プレート１０の上流側端部および下流側端部を、それぞれ迅速に通過する。このため、高温加熱プレート１０から基板の前端面および後端面に与えられる熱量が、抑制される。その結果、基板の熱均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、被処理物の処理面における発火を検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理装置であって、前記処理面に有機溶媒を供給する有機溶媒供給部と、前記処理面における発火を検出する検出部と、を備えたこと、を特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、処理不良の基板が発生するのを未然に防止するとともに、無駄な凝固体の形成・解凍除去を抑制して稼動効率を高める。
【解決手段】基板の表面に形成される液膜の膜厚が所定範囲内となっている場合のみ、その基板に対して凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を実行している。したがって、液膜の膜厚が所定範囲を超えて十分なパーティクル除去率が期待できない場合には、レシピの途中であるが、基板に対する凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を行うことなく、基板処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー２５によって計測させる。さらに、ＣＰＵ２３は、ノズルの位置を検出するエンコーダ２２の出力と経過時間とをメモリー２４に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、エンコーダ２２の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ２２の出力は、経過時間と関連付けられて１つの動作データとしてメモリー２４に記憶される。 （もっと読む）

【課題】装置コストの増大を抑えつつ、複数種類の処理液を清浄な状態で供給することができる処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗに対して処理液による処理を行う処理チャンバ１０と、ミキシングバルブ３３を有する処理液供給装置３０とを備えている。ミキシングバルブ３３は、直方体形状の筒状部材で形成された混合部３６の中間位置に配置された純水導入口４６と、混合部３６の一端側に配置され、混合部３６で生成されたＳＣ１を導出するＳＣ１導出口４７と、混合部３６の他端側に配置され、混合部３６で生成されたＳＣ２を導出するＳＣ２導出口４８とを備えている。ミキシングバルブ３３で生成されたＳＣ１およびＳＣ２は、混合部３６内を互いに逆方向に流れてＳＣ１導出口４７およびＳＣ２導出口４８からそれぞれ導出される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体（１８）から除去する方法を提供する。
【解決手段】硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。 （もっと読む）

【課題】 乾燥すべき基板が大サイズとなった場合においても、装置コストや可動コストを低減しながら基板を確実に乾燥させることが可能な乾燥装置を提供する。
【解決手段】 乾燥ゾーン２１を有するチャンバー２４と、乾燥ゾーン２１内において複数の基板１００を上下方向に多段状に支持する支持ピン３２と、チャンバーにおける搬入・搬出領域に配設された整流板４１と、乾燥ゾーン２１における整流板４１とは逆側に配設された複数の排気口を有する仕切板４７と、均圧ゾーン２２と、均圧ゾーン２２を介して整流板４１における排気口から排気を行うための排気管２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ２０を、ステージ本体２１とその上側の表面板２２とに分割する。ステージ２０を挟んで両側には、処理ヘッド１０の移動に用いる一対のレール６１が設けられている。このレール６１上にステージ保守用クレーン３０を設置する。クレーン３０のフレーム３１の一対の支え部３２の下端部にスライダ３４をそれぞれ設け、これをレール６１にスライド可能に嵌合する。フレーム３１の天井部３３に吊具５１を昇降可能に垂下し、これに連結部５２を設ける。好ましくは、連結部５２をボルト５５にて表面板２２の端面に連結する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、互いに並列に設けられたインデクサブロック１０、第１の処理ブロック１１および第２の処理ブロック１２からなる。インデクサブロック１０には、インデクサロボットＩＲが設けられている。第１の処理ブロック１１には、第１のメインロボットＭＲ１が設けられている。第２の処理ブロック１２には、第２のメインロボットＭＲ２が設けられている。インデクサブロック１０と第１の処理ブロック１１との間には、複数の基板Ｗを同時に反転させるための反転ユニットＲＴ１ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２とを備えた移動機構１５０とを有している。第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部１１１の外周部を保持して鉛直方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の基板サセプタに配置されるフォーカスリング付設の誘電性リングを交換することなくその誘電率を調整できるようにすることで，基板周縁部の印加電圧のばらつきを抑え，フォーカスリングの上面電位を所望の値に制御する。
【解決手段】基板Ｗを載置する基板載置部を有し，高周波電力が印加されるサセプタ１１４と，基板載置部に載置された基板の周囲を囲むように配置され，基板より高い上面を有する外側リング２１４と，該外側リングの内側に延在して基板の周縁部の下方に入り込むように配置され基板より低い上面を有する内側リング２１２とによって一体に構成されたフォーカスリング２１０と，該フォーカスリングと前記サセプタとの間に介在する誘電性リング２２０と，該誘電性リングの誘電率を可変する誘電率可変機構２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１を有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、高いスループットを得られ、しかも優れた処理性能でパーティクル等を除去する。
【解決手段】凍結後の液膜ＬＦ（凝固膜ＦＦ）の到達温度を低くすることによってパーティクルの除去効率を高めることができる。しかも、基板表面Ｗｆ全体に凝固膜ＦＦが形成される前後で冷却ガスの流量を変更しているので、処理に要する時間を短縮しながら優れた処理性能でパーティクル等を除去することができる。特に、液膜ＬＦを凍結させる段階での冷却ガスの流量については基板表面Ｗｆ上の液膜ＬＦを吹き飛ばさない程度に抑えることが必要であるが、凝固膜ＦＦが全面形成された後の段階ではこのような制約がなく、冷却ガスの流量を多くすることが可能であり、これにより冷却能力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の損失を極力低減し、高密度プラズマを効率良く生成できるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置２１と、マイクロ波発生装置２１に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした中空状の矩形導波管２２と、矩形導波管２２に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置２３と、矩形導波管２２の一部分であって、内部で生成したプラズマを外部で放出するアンテナ部４０とを備えている。アンテナ部４０は、その断面において短辺をなす壁４０ａに１又は複数のスロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 （もっと読む）