【課題】流路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる流路切替え装置を提供すること。また被処理体を処理する処理流体の専用排出路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに対して複数種別の処理流体を互いに異なるタイミングで供給して処理を行う液処理ユニット３から当該液処理ユニット３の雰囲気を排気路３５、流路切替え部５を介して、複数の専用排出路（接続用流路）６１〜６３に排気する。前記流路切替え部５は、外筒５１とその内部に設けられた回転筒５３を備え、前記回転筒５３の３つの開口部５３ａ〜５３ｃは、当該回転筒５３を回転する間に、互いに対応する外筒５１の３つの接続口５１ａ〜５１ｃと回転筒５１の開口部５１ａ〜５１ｃとの組の一つが重なり合って連通しかつ他の組については連通しない状態が各組の間で順番に起こるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】水分濃度が低い有機溶媒を処理部又は被処理体に供給して処理を行うことにより、被処理体や処理部の腐食を抑えること。
【解決手段】イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の供給源３０からＩＰＡを貯留タンク３に供給し、貯留タンク３内のＩＰＡを、水分除去フィルタ４及び濃度測定部５を備えた循環路３２を介して循環供給する。ＩＰＡは、循環路３２内を循環させることにより、水分除去フィルタ４により徐々に水分が除去される。そして、濃度測定部５により測定された水分濃度が０．０１重量％以下であるときには、中間タンク６にＩＰＡを送液する。中間タンク６からは、処理チャンバ１１に水分濃度が０．０１重量％以下のＩＰＡが供給され、処理チャンバ１１では、当該ＩＰＡを高温、高圧状態として、ウエハＷの処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】重量の増加を抑制しつつ、超音波を放射する放射面を大きく確保できる超音波基板処理ユニット及び超音波基板処理装置を提供する。
【解決手段】超音波基板処理ユニット10は、対向する半導体ウェハWHの表面WSに超音波を放射する放射面31を有する振動体30と、これを超音波振動させて、放射面31から超音波を放射させる複数の超音波振動子21とを備える。振動体30は、クサビ形状で、放射面31を複数の分割放射面に仮想的に分割する複数のクサビ部からなる。クサビ部は、分割放射面、これと鋭角αをなし、超音波振動子21で加振される加振面、分割放射面と鋭角βをなし、加振面とも角γをなし、分割放射面及び加振面に直交する仮想直交面に対して直交し、加振面から離れるほど分割放射面に近づく平坦なクサビ面、で囲まれる形態とされてなる。 （もっと読む）

【課題】微細バブルの洗浄に有効なより多くの性質を利用しつつ効果的な洗浄を可能にする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】処理液をかけて被洗浄物を洗浄する洗浄方法であって、マイクロナノバブルやナノバブル等の比較的小さいサイズのバブルを含む第１処理液を前記被洗浄物にかける第１ステップ（Ｓ３）と、該第１ステップの後に、前記第１処理液に含まれるバブルより大きいサイズのマイクロバブル等のバブルを含む第２処理液を前記第１処理液が付着した状態の前記被洗浄物にかける第２ステップ（Ｓ４）とを有し、第１処理液での洗浄の後に、該第１処理液に含まれるバブルより大きいサイズのバブルを含む第２処理液での洗浄がなされるので、比較的小さいバブルの好ましい性質を利用した第１処理液による洗浄の後に、比較的大きいバブルの好ましい性質を利用した第２処理液による洗浄を行うことができるようになる。 （もっと読む）

【課題】基板の回転速度にかかわらず、基板の表面に供給した処理液を良好に回収できるようにすること。
【解決手段】本発明では、回転する基板（２）に処理液を供給して前記基板（２）の処理を行う基板液処理装置（１）において、前記基板（２）を水平に保持しながら回転させるための回転テーブル（２８）と、前記基板（２）に供給された処理液を回収するために前記基板（２）の外周下方に配置した環状の回収カップ（３９）と、前記回収カップ（３９）の内周壁（４３）と外周壁（４２）との間に形成した回収溝（４４）と、前記回収カップ（３９）の内周壁（４３）に配置し、前記回収溝（４４）に向けて内側へ傾斜状に張出したカップカバー（４７）とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】ダウンフローを発生させるための機構を簡素化した処理装置を提供すること。
【解決手段】ダウンフローを発生させる気流発生手段１５０と、循環経路部材２００内に配設され、ダウンフローを発生させる気体に含まれるミストを気体から分離させるミスト分離手段２４０と、循環経路部材２００内に配設され、ミスト分離手段２４０によって分離されて液化したミストを回収する廃液口２１３と、を有し、ダウンフローを発生させる気体を処理チャンバー１００と循環経路部材２００との間で、循環させるようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の下面にエッチング液などの薬液を供給した後、この薬液を効率的に除去することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗは基板保持部３に水平に保持されて、鉛直軸周りに回転され、薬液供給部３４３からは回転している被処理基板Ｗの下面に薬液が供給される一方、リンス液供給部３４３からはこの薬液が供給された面にリンス液が供給される。そして第１のステップにて第１の回転速度で回転させながら被処理基板Ｗに薬液を供給し、第２のステップにて薬液の供給を停止し、かつ被処理基板Ｗを前記第１の回転速度より速い第２の回転速度で回転させて薬液を振り切った後、第３のステップにて被処理基板Ｗを第１の回転速度以下の第３の回転速度で回転させた状態で、当該被処理基板Ｗにリンス液を供給する。 （もっと読む）

【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板１に対する処理を行う処理装置１において、被処理基板Ｗを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部２、３には、被処理基板Ｗの側周面を規制する規制部材５２と、回動軸５１３周りに回動自在であり、被処理基板Ｗを規制部材５２側に押し付けて保持する可動部材５１と、当該可動部材５１を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸５１３には、被処理基板Ｗの中央部寄りの位置側に回動軸５１３を付勢する付勢力が付与され、ガイド部５１７に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Ｗを保持する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、３０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板のリンス処理時に、基板が熱変形したり、処理液とリンス液とが反応したりするのを防止して、リンス液の飛散を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板の表面を処理液で液処理した後に処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理において、液処理とリンス処理との間に基板の表面の温度を処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことにした。中間処理は、処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度の中間処理液を基板に供給することにした。また、中間処理液を基板の裏面のみに供給することにした。また、処理液及びリンス液の供給を停止した状態で基板を回転させることにした。また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。 （もっと読む）

【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】異なる種類の処理流体を捕集するための複数のダクトを組み合わせるコンパクトなツールを備える。
【解決手段】ツール１０は、主に、アセンブリプロセス処理区域１１と、障壁構造の配給区域５００と、を含む。加工物１２の上に横たわり、かつ、覆うことができる特別な障壁構造を含む、加工物１２をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、加工物１２の上に、位置決めされ、移動できる、特別な移動可能な部材を含む、加工物１２をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、プロセス処理チャンバー５０３に横たわることができる特別な天井構造を含む、加工物１２をプロセス処理する方法及びそれに関連する装置、特別な環状体を含む、ノズル装置５５６及びそれに関連する方法、並びに特別な第１、第２、及び第３のノズル構造を含む、ノズル装置５５６及びそれに関連する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】被処理面を処理する処理液によって被処理面の外周部が処理されることを防ぎつつ、被処理面をより効果的に処理する技術を提供すること。
【解決手段】第１処理液を供給する供給口５６を備えた処理治具５０を、供給口５６が開口している貯留空間部５２を処理治具５０と被処理面１８ｂとが挟むようにして配置し、貯留空間部５２に第１処理液を貯留する貯留処理工程と、被処理体１８を回転させながら、外周部１８ａ上に第２処理液を供給しつつ、供給口５６から被処理面１８ｂ上に第１処理液を供給する回転処理工程とを包含しており、回転処理工程において、処理治具５０を被処理体１８の回転方向とは異なる方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】メガソニック洗浄方法及び洗浄装置を提供すること。
【解決手段】メガソニック洗浄方法として、洗浄対象体と区分される空間で、メガソニックによって洗浄液を起電させてマイクロ空洞を生成させる。生成されたマイクロ空洞のうち、安定な振動のマイクロ空洞のみを洗浄対象体がロードされた空間に移動させる。また、前記安定な振動のマイクロ空洞を利用して前記洗浄対象体の表面を洗浄する。前記方法によると、洗浄対象体内のパターンの損傷を防ぎ且つ洗浄対象体表面のパーティクルを効果的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板を保持する載置台と、前記載置台を回転させる回転駆動部と、前記載置台に載置される基板に液体を供給する液体供給部と、前記載置台に載置されて回転する基板から飛散する液体を下方へ案内するために、上から順に設けられた、液体案内上部カップと、液体案内中央カップと、液体案内下部カップと、前記液体案内中央カップを昇降させるための駆動機構と、を備え、前記駆動機構が前記液体案内中央カップを昇降させることによって、液体案内上部カップと液体案内中央カップとの間の間隔、及び／または、液体案内中央カップと液体案内下部カップとの間の間隔が変化するようになっていることを特徴とする基板液処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）

本発明は、圧電素子の中心部で音圧が集中することなく広い面積に渡って均一な音圧が発生するようにし、被洗浄物に損傷を与えずに洗浄効率を高めることができる超音波精密洗浄装置に関する。本発明の超音波精密洗浄装置は、被洗浄物に洗浄液を供給する洗浄液供給装置と、セラミック体およびセラミック体の上部および下部にそれぞれ蒸着した上部電極、下部電極を備えて超音波を発生させる圧電素子と、圧電素子の端部に結合して被洗浄物と対向するように備えられ、圧電素子で発生する超音波を被洗浄物に伝達する超音波伝達体と、ハウジングと、電源線と、を含む超音波洗浄装置であって、圧電素子または超音波伝達体の中心には垂直ホールが形成される。
（もっと読む）

【課題】紫外線処理装置の周囲で大きな気流が発生しても、その影響を受けることなく、被処理物表面に紫外線を均一に照射することができ、被処理物の表面を均一に処理することができる紫外線処理装置、及び、紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】本願発明の紫外線処理装置は、鉛直方向の下方に開口を有するランプハウス１と、ランプハウス１内に収容された紫外線ランプ２及びガス噴出孔３０を有する不活性ガス供給管３と、被処理物Ｗを搬送する搬送機構４と、被処理物Ｗを処理するためのチャンバー５とを備え、被処理物Ｗを搬送しながら紫外線を照射する紫外線処理装置において、ランプハウス１より搬送方向の上流側に被処理物Ｗが搬入される前方緩和室６が連結され、ランプハウス１より搬送方向の下流側に被処理物Ｗが搬出される後方緩和室７が連結され、チャンバー５には、搬送されてくる被処理物Ｗに対して鉛直方向の下方の位置に、排気管８が接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第１の処理工程Ｓ１１と、第１の処理工程Ｓ１１の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程Ｓ１４と、位置変更工程Ｓ１４の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第２の処理工程Ｓ１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】回転するウェーハの表面に噴射されミスト状に飛散した洗浄水及び洗浄屑が、ウェーハ表面上に再付着することのない洗浄装置を提供する。
【解決手段】回転テーブル３の上面に対向する位置に強制給気手段５を設け、回転テーブル３の外周を囲繞し回転テーブル３の上面と同じ高さ位置またはその上面より低い位置に環状排気手段７を配設し、環状排気手段７から吸引排気することにより、洗浄チャンバー２内において強制給気手段５から環状排気手段７に向かうダウンフロー１００を発生させ、ダウンフロー１００を利用して洗浄時に飛散したミスト状の洗浄水及び洗浄屑を効果的に環状排気手段７から排気し、ミスト等の被洗浄物Ｗの表面への再付着を防ぐ。 （もっと読む）